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靜電放電保護(hù)元件的制作方法_5

文檔序號:9476456閱讀:來源:國知局
之外,其余均以與實(shí)施例1相同地進(jìn)行操作來獲得實(shí)施例3的靜電放電保護(hù)元件。
[0085] (比較例1)
[0086] 除了以燒成后的第2絕緣層17、18的厚度成為2 μπι的形式由絲網(wǎng)印刷條件來調(diào) 整之外,其余均以與實(shí)施例1相同地進(jìn)行操作來獲得比較例1的靜電放電保護(hù)元件。
[0087] (比較例2)
[0088] 除了以燒成后的第2絕緣層17、18的厚度成為40 μ m的形式由絲網(wǎng)印刷條件來調(diào) 整之外,其余均以與實(shí)施例1相同地進(jìn)行操作來獲得比較例2的靜電放電保護(hù)元件。
[0089] (實(shí)施例4)
[0090] 除了以燒成后的間隙距離AG成為40 μπι、第2絕緣層17、18的厚度成為3 μπι的 形式由絲網(wǎng)印刷條件來調(diào)整之外,其余均以與實(shí)施例1相同地進(jìn)行操作來獲得實(shí)施例4的 靜電放電保護(hù)元件。
[0091] (實(shí)施例5)
[0092] 除了以燒成后的間隙距離AG成為40 μπι、第2絕緣層17、18的厚度成為34 μπι的 形式由絲網(wǎng)印刷條件來調(diào)整之外,其余均以與實(shí)施例1相同地進(jìn)行操作來獲得實(shí)施例5的 靜電放電保護(hù)元件。
[0093] (比較例3)
[0094] 除了以燒成后的間隙距離AG成為40 μπκ第2絕緣層17、18的厚度成為1 μπι的 形式由絲網(wǎng)印刷條件來調(diào)整之外,其余均以與實(shí)施例1相同地進(jìn)行操作來獲得比較例3的 靜電放電保護(hù)元件。
[0095] (比較例4)
[0096] 除了以燒成后的間隙距離AG成為40 μπκ第2絕緣層17、18的厚度成為1 μπι的 形式由絲網(wǎng)印刷條件來調(diào)整之外,其余均以與實(shí)施例1相同地進(jìn)行操作來獲得比較例4的 靜電放電保護(hù)元件。
[0097] (實(shí)施例6)
[0098] 除了以加工到燒成后的第1絕緣性基板19的加工深度成為0 μ m的形式調(diào)整YAG 激光的加工條件之外,其余均以與實(shí)施例1相同地進(jìn)行操作來獲得實(shí)施例6的靜電放電保 護(hù)元件。
[0099] (實(shí)施例7)
[0100] 除了以燒成后的間隙距離A G成為5 μ m的形式來調(diào)整使用比YAG激光的點(diǎn)直徑 更小的飛秒激光的加工條件之外,其余均以與實(shí)施例1相同地進(jìn)行操作來獲得實(shí)施例7的 靜電放電保護(hù)元件。
[0101] (比較例5)
[0102] 除了以燒成后的間隙距離AG成為50 μπι的形式由絲網(wǎng)印刷條件來調(diào)整之外,其 余均以與實(shí)施例1相同地進(jìn)行操作來獲得比較例5的靜電放電保護(hù)元件。
[0103] 〈靜電放電試驗(yàn)〉
[0104] 接著,關(guān)于以以上所述形式獲得的實(shí)施例1~6以及比較例1~4的靜電放電保 護(hù)元件,使用圖4所表示的靜電試驗(yàn)電路來實(shí)施靜電放電試驗(yàn)。試驗(yàn)結(jié)果被表示于表1。
[0105] 該靜電放電試驗(yàn)是根據(jù)國際標(biāo)準(zhǔn)IEC61000-4-2的靜電放電抗擾性試驗(yàn)以及噪聲 試驗(yàn)并以人體模型為依據(jù)(放電電阻330 Ω,放電電容150pF,施加電壓8kV,接觸放電)來 實(shí)行的。具體如圖4的靜電試驗(yàn)電路所表示的那樣,將評價(jià)對象的靜電放電保護(hù)元件的一 方的端子電極連接于接地線路,并將靜電脈沖施加部連接到另一方端子電極之后,使放電 槍接觸于靜電脈沖施加部并施加靜電脈沖。還有,靜電放電試驗(yàn)是首先分別準(zhǔn)備10個(gè)樣 品,接著以8. OkV重復(fù)1000次來分別實(shí)行靜電放電試驗(yàn)。放電特性是根據(jù)第一次放電試驗(yàn) 時(shí)的峰值電壓來進(jìn)行評價(jià)的。再有,關(guān)于放電耐久性是根據(jù)第1〇〇〇次峰值電壓(Peak電 壓)和1000次后的靜電電容(Cp)以及IR特性來進(jìn)行評價(jià)的。
[0108] 另外,在同樣的實(shí)驗(yàn)條件下評價(jià)電器特性的偏差(〇 ),各個(gè)試樣準(zhǔn)備1〇〇個(gè),進(jìn)行 靜電放電試驗(yàn)。但是關(guān)于IR特性,下限值會成為問題,故記載了最小值(Min.)
[0109] [表 2]
[0110]
[0111] 根據(jù)表1以及表2的結(jié)果,本申請實(shí)施例的靜電放電保護(hù)元件,被確認(rèn)到的是考慮 了偏差而取得了放電耐久試驗(yàn)前后的Peak電壓和IR降低的平衡,并且被確認(rèn)為在重復(fù)使 用的耐久性方面表現(xiàn)優(yōu)異。
[0112] 另外,比較例1的靜電放電保護(hù)元件從表1被確認(rèn)到的是發(fā)生IR降低并且在重復(fù) 使用的耐久性方面較為遜色。由此,間隙距離短并且第2絕緣層薄的元件其第2絕緣層由 于放電所產(chǎn)生的熱或沖擊而被破壞,因此,這就暗示著在放電電極之間容易發(fā)生短路。此處 被確認(rèn)的IR降低,是指比一般謀求的絕緣電阻IR = 1 X 1〇5 Ω還要低的元件被認(rèn)為是IR降 低。
[0113] 另外,關(guān)于比較例2和比較例4的靜電放電保護(hù)元件,被確認(rèn)為,峰值電壓的偏差 較大,并且發(fā)生IR降低,重復(fù)使用的耐久性較差。
[0114] 另外,關(guān)于比較例3的靜電放電保護(hù)元件也被確認(rèn)為峰值電壓高,并且發(fā)生IR降 低并且在重復(fù)使用的耐久性較差。由此,第2絕緣層薄的元件由于放電所產(chǎn)生的熱或沖擊 而使第2絕緣層被破壞,因此,這就暗示著在放電電極之間容易發(fā)生短路。
[0115] 產(chǎn)業(yè)上的利用可能性
[0116] 正如以上所說明的那樣本發(fā)明的靜電放電保護(hù)元件因?yàn)榫哂幸韵滤鎏卣?,即?放電特性以及重復(fù)使用的耐久性被提高并且還提高了放電特性,所以能夠廣泛而且有效地 利用于具備本發(fā)明的靜電放電保護(hù)元件的電子·電氣設(shè)備以及具備這些電子?電氣設(shè)備的 各種機(jī)器、設(shè)備以及系統(tǒng)等。
[0117] 符號說明
[0118] 12、13 放電電極
[0119] 14 放電觸發(fā)部
[0120] 15、16 第1絕緣層
[0121] 17、18 第2絕緣層
[0122] 19 第1絕緣性基板
[0123] 20 第2絕緣性基板
[0124] 31a 中空部
[0125] 31b 中空部
[0126] 100 靜電放電保護(hù)元件
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種靜電放電保護(hù)元件,其特征在于: 具備: 絕緣性層疊體,具有被層疊的第1以及第2絕緣性基板; 第1以及第2放電電極,被配置于所述第1以及第2絕緣性基板之間且各自至少具有 側(cè)面以及主面,并且以所述側(cè)面相對的形式被配置; 第1絕緣層,被設(shè)置于所述第1以及第2放電電極的所述側(cè)面并含有玻璃質(zhì); 第2絕緣層,被設(shè)置于所述第1以及第2放電電極的所述主面并含有玻璃質(zhì); 放電觸發(fā)部,經(jīng)由所述第1絕緣層而被設(shè)置于所述第1以及第2放電電極的所述側(cè)面 之間,并以至少一部分經(jīng)由所述第2絕緣層而與所述第1以及第2放電電極的所述主面相 重疊的形式被設(shè)置,由微小空間不連續(xù)地散布的多孔質(zhì)形成并且具有中空構(gòu)造,該中空構(gòu) 造具有至少一個(gè)以上中空部, 在將所述第1以及第2放電電極的所述側(cè)面之間的距離設(shè)定為AG、將所述第2絕緣層 的厚度設(shè)定為AZ時(shí),滿足下述關(guān)系式 AZ<35tim, AG< 40ym〇2. 如權(quán)利要求I所述的靜電放電保護(hù)元件,其特征在于: 所述放電觸發(fā)部具有向所述第1絕緣性基板以及所述第2絕緣性基板突出的形狀。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種重復(fù)使用的耐久性優(yōu)異且放電特性的偏差減小的靜電放電保護(hù)元件,具備,絕緣性層疊體,具有被層疊的第1以及第2絕緣性基板;第1以及第2放電電極,被配置于絕緣性基板之間且以側(cè)面相對的形式被配置;第1絕緣層,被設(shè)置于放電電極的側(cè)面并含有玻璃質(zhì);第2絕緣層,被設(shè)置于放電電極的主面并含有玻璃質(zhì);放電觸發(fā)部,經(jīng)由第1絕緣層而被設(shè)置于放電電極的側(cè)面之間,并以至少一部分經(jīng)由第2絕緣層而與放電電極的主面相重疊的形式被設(shè)置,由微小空間不連續(xù)地散布的多孔質(zhì)形成并且具有至少一個(gè)以上中空部;在將放電電極的側(cè)面之間的距離設(shè)定為ΔG、將第2絕緣層的厚度設(shè)定為ΔZ時(shí),滿足下述關(guān)系式3μm≤ΔZ≤35μm,ΔG≤40μm。
【IPC分類】H01T4/10, H01T1/20, H01T1/22, H01T4/12
【公開號】CN105229876
【申請?zhí)枴緾N201480015822
【發(fā)明人】鈴木真吾, 朝倉健作, 藤森敬洋, 畑中潔
【申請人】Tdk株式會社
【公開日】2016年1月6日
【申請日】2014年3月6日
【公告號】US20160028227, WO2014141988A1
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