一種太陽能電池結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及太陽能發(fā)電技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種耐高溫的太陽能電池結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]近些年來，由于世界各地的原油存量逐年的減少，能源問題已成為全球注目的焦點(diǎn)。為了解決能源耗竭的危機(jī)，各種替代能源的發(fā)展與利用實(shí)為當(dāng)務(wù)之急。隨著環(huán)保意識抬頭，加上太陽能具有零污染、取之不盡用之不竭的優(yōu)點(diǎn)，太陽能發(fā)電技術(shù)已成為相關(guān)領(lǐng)域中最受矚目的焦點(diǎn)。因此，在日照充足的位置，例如建筑物屋頂、廣場等等，愈來愈廣泛地見到太陽能面板的裝設(shè)。
[0003]太陽能電池也可以稱之為光伏電池，其是一種利用光伏效應(yīng)(PhotovoltaicEffect)將太陽光輻射直接轉(zhuǎn)換為電能的新型發(fā)電技術(shù)，因其具有資源充足、清潔、安全、壽命長等優(yōu)點(diǎn)，被認(rèn)為是最有前途的可再生的能源技術(shù)之一。通常來講，晶體硅太陽能電池包括單晶娃太陽能電池、多晶娃太陽能電池和尚效晶體娃太陽能電池等。以尚效晶體娃太陽能電池為例，其主要包括非晶娃/晶娃異質(zhì)結(jié)(Hetero-junct1n with intrinsic thinlayer, HJT)電池、全背電極接觸晶娃(Interdigitated back contact，IBC)電池。其中，HJT電池是一種利用晶體硅基板和非晶硅薄膜制成的混合型太陽能電池，其結(jié)合了單晶硅太陽能電池和非晶硅太陽能電池各自的優(yōu)勢，已逐漸成為目前主流的幾種高效太陽能電池技術(shù)之一。
[0004]然而，在現(xiàn)有技術(shù)中，HJT太陽能電池中的非晶娃(amorphous，a_Si)材質(zhì)不耐高溫，因此只能使用低溫銀膠(Ag paste)與成本昂貴的透明導(dǎo)電氧化物(TransparentConductive Oxide, TC0)薄膜作為抗反射層。有鑒于此，如何設(shè)-H種HJT太陽能電池結(jié)構(gòu)，以解決現(xiàn)有結(jié)構(gòu)中的上述缺陷和不足，是業(yè)內(nèi)相關(guān)技術(shù)人員亟待解決的一項(xiàng)課題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]針對現(xiàn)有技術(shù)中的HJT太陽能電池結(jié)構(gòu)所存在的上述缺陷，本發(fā)明提供了一種新穎的、耐高溫的HJT太陽能電池結(jié)構(gòu)。
[0006]依據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種太陽能電池結(jié)構(gòu)，包括:
[0007]一 N型晶體娃，包括一第一表面和一第二表面；
[0008]—第一氧化硅層，位于所述N型晶體硅的第一表面的上方；
[0009]—第二氧化硅層，位于所述N型晶體硅的第二表面的下方；
[0010]一第一多晶硅層，位于所述第一氧化硅層的上方；
[0011]—第二多晶硅層，位于所述第二氧化硅層的下方；以及
[0012]—第一抗反射涂層，位于所述第一多晶硅層的上方。
[0013]在其中的一實(shí)施例，所述太陽能電池結(jié)構(gòu)還包括一第二抗反射涂層，位于所述第二多晶硅層的下方。
[0014]在其中的一實(shí)施例，所述第一抗反射涂層和所述第二抗反射涂層均為氮化硅(SiNx)或氧化娃(S1x)材質(zhì)。
[0015]在其中的一實(shí)施例，所述太陽能電池結(jié)構(gòu)還包括一第一電極和一第二電極，所述第一電極位于所述第一抗反射涂層的上方，所述第二電極位于所述第二抗反射涂層的下方。
[0016]在其中的一實(shí)施例，所述太陽能電池結(jié)構(gòu)還包括一金屬層，所述金屬層位于所述第二多晶硅層的下方。
[0017]在其中的一實(shí)施例，所述第一抗反射涂層為氮化娃(SiNx)或氧化娃(S1x)材質(zhì)。
[0018]在其中的一實(shí)施例，所述太陽能電池結(jié)構(gòu)還包括一第三電極，該第三電極位于所述第一抗反射涂層的上方。
[0019]在其中的一實(shí)施例，所述第一氧化硅層的厚度以及所述第二氧化硅層的厚度均介于0.1nm?1nm之間。
[0020]在其中的一實(shí)施例，所述第一多晶硅層的厚度以及所述第二多晶硅層的厚度均介于Inm?10nm之間。
[0021]采用本發(fā)明的太陽能電池結(jié)構(gòu)，其N型晶體硅包括第一表面和第二表面，第一氧化硅層位于N型晶體硅的第一表面的上方，第二氧化硅層位于N型晶體硅的第二表面的下方，第一多晶硅層位于第一氧化硅層的上方，第二多晶硅層位于第二氧化硅層的下方，第一抗反射涂層位于第一多晶硅層的上方。相比于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的太陽能電池結(jié)構(gòu)藉由N型晶體硅的上下表面的氧化硅層與多晶硅層的層疊結(jié)構(gòu)來取代現(xiàn)有的非晶硅層，使得電池結(jié)構(gòu)可耐高溫，并且在其上方可使用耐高溫的抗反射涂層/高溫銀膠。此外，本發(fā)明利用氮化硅或氧化硅材質(zhì)的抗反射涂層不僅可增加抗反射效果，而且相較于透明導(dǎo)電氧化物材質(zhì)更能節(jié)約成本。
【附圖說明】
[0022]讀者在參照附圖閱讀了本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】以后，將會更清楚地了解本發(fā)明的各個方面。其中，
[0023]圖1示出現(xiàn)有技術(shù)的一種太陽能電池結(jié)構(gòu)的部件組成示意圖；
[0024]圖2示出依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的耐高溫的太陽能電池結(jié)構(gòu)的部件組成示意圖；以及
[0025]圖3示出依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式的耐高溫的太陽能電池結(jié)構(gòu)的部件組成示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0026]為了使本申請所揭示的技術(shù)內(nèi)容更加詳盡與完備，可參照附圖以及本發(fā)明的下述各種具體實(shí)施例，附圖中相同的標(biāo)記代表相同或相似的組件。然而，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，下文中所提供的實(shí)施例并非用來限制本發(fā)明所涵蓋的范圍。此外，附圖僅僅用于示意性地加以說明，并未依照其原尺寸進(jìn)行繪制。
[0027]下面參照附圖，對本發(fā)明各個方面的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步的詳細(xì)描述。
[0028]圖1示出現(xiàn)有技術(shù)的一種太陽能電池結(jié)構(gòu)的部件組成示意圖。參照圖1，現(xiàn)有的太陽能電池結(jié)構(gòu)10包括一娃襯底100、一 P型非晶娃層(amorphous，a-Si) 102、一 η型非晶娃層104、一第一透明導(dǎo)電氧化層106、一第二透明導(dǎo)電氧化層108、一第一電極110和一第二電極112。
[0029]具體而言，娃襯底(Si substrate) 100包括一上表面(upper surface)和一下表面(lower surface)。p型非晶娃層102位于娃襯底100的上表面之上，η型非晶娃層104位于娃襯底100的下表面之下。第一透明導(dǎo)電氧化層(Transparent Conductive Oxide,TCO) 106位于p型非晶硅層102的上方，第二透明導(dǎo)電氧化層108位于η型非晶硅層104的下方。第一電極110可以是正電極(positive electrode)，其自第一透明導(dǎo)電氧化層106的上表面引出并均勾分布于其上方。第二電極112可以是負(fù)電極(negative electrode)，其子第二透明導(dǎo)電氧化層108的下表面引出并均勻分布于其下方。
[0030]然而，如前文部分所述，在上述太陽能電池結(jié)構(gòu)中，非晶硅材質(zhì)的P型非晶硅層102和η型非晶硅層104不耐高溫，因而只能使用低溫銀膠(A