導(dǎo)體襯底的正面形成所述絕緣柵雙極晶體管的柵極，所述柵極覆蓋所述阱區(qū)部分表面；
[0056]在所述阱區(qū)表面形成第一摻雜類型的發(fā)射區(qū)；
[0057]對所述發(fā)射區(qū)進(jìn)行刻蝕，在所述發(fā)射區(qū)內(nèi)形成溝槽，所述溝槽貫穿所述發(fā)射區(qū)；
[0058]通過所述溝槽向所述半導(dǎo)體襯底注入第一摻雜類型的粒子，在所述阱區(qū)背離所述柵極一側(cè)形成載流子濃度大于所述半導(dǎo)體襯底載流子濃度的載流子存儲層；
[0059]形成所述絕緣柵雙極晶體管的發(fā)射極；
[0060]在所述半導(dǎo)體襯底的背面形成所述絕緣柵雙極晶體管的背面結(jié)構(gòu)。
[0061]相應(yīng)的，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種絕緣柵雙極晶體管，包括:
[0062]第一摻雜類型的半導(dǎo)體襯底；
[0063]位于所述半導(dǎo)體襯底正面內(nèi)部的第二摻雜類型的阱區(qū)；
[0064]位于所述阱區(qū)朝向所述半導(dǎo)體襯底背面一側(cè)，且載流子濃度大于所述半導(dǎo)體襯底的載流子存儲層；
[0065]位于所述阱區(qū)中心的溝槽；
[0066]位于所述溝槽兩側(cè)，且位于所述阱區(qū)內(nèi)部的第一摻雜類型的發(fā)射區(qū)；
[0067]位于所述溝槽兩側(cè)，且位于所述半導(dǎo)體襯底表面的柵極；
[0068]覆蓋所述柵極和溝槽表面的發(fā)射極；
[0069]位于所述半導(dǎo)體襯底背面內(nèi)部的第二摻雜類型的集區(qū)；
[0070]位于所述集區(qū)背離所述半導(dǎo)體襯底一側(cè)的集電極。
[0071]本發(fā)明實(shí)施例提供的一種絕緣柵雙極晶體管及其制備方法，其中，所述制備方法通過在所述發(fā)射區(qū)刻蝕出貫穿所述發(fā)射區(qū)的溝槽，并通過所述溝槽向所述半導(dǎo)體襯底注入第一摻雜類型的粒子，形成所述載流子存儲層。所述載流子存儲層提高了所述半導(dǎo)體襯底的載流子濃度，實(shí)現(xiàn)降低所述絕緣柵雙極晶體管導(dǎo)通壓降的目的。
[0072]而且本發(fā)明實(shí)施例所提供的所述制備方法在形成所述載流子存儲層之前先在所述發(fā)射區(qū)刻蝕出溝槽，降低了所述第一摻雜類型的粒子的注入深度，因此采用普通的粒子注入設(shè)備即可完成所述第一摻雜類型的粒子的注入，而不需要采用高能粒子注入設(shè)備，從而降低了低導(dǎo)通壓降的絕緣柵雙極晶體管的生產(chǎn)成本。
[0073]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0074]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種絕緣柵雙極晶體管的制備方法，如圖1所示，包括:
[0075]SlOl:提供第一摻雜類型的半導(dǎo)體襯底。
[0076]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體襯底優(yōu)選為單晶結(jié)構(gòu)的硅襯底。但需要說明的是，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體襯底的種類包括但不限于:單晶、多晶或非晶體結(jié)構(gòu)的硅或鍺、碳化硅、銻化銦、碲化鉛、砷化銦、磷化銦、砷化鎵或銻化鎵、合金半導(dǎo)體或其組合。但本發(fā)明對所述半導(dǎo)體襯底的具體類型不做限定，具體視實(shí)際情況而定。
[0077]S102:在所述半導(dǎo)體襯底的正面內(nèi)部形成第二摻雜類型的阱區(qū)，并在所述半導(dǎo)體襯底的正面形成所述絕緣柵雙極晶體管的柵極，所述柵極覆蓋所述阱區(qū)部分表面。
[0078]在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例中，所述第一摻雜類型為N型，第二摻雜類型為P型。但在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，所述第一摻雜類型為P型，第二摻雜類型為N型。本發(fā)明對此并不做限定，具體視實(shí)際情況而定。
[0079]在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例中，在所述半導(dǎo)體襯底的正面內(nèi)部形成第二摻雜類型的阱區(qū)包括:
[0080]在所述半導(dǎo)體襯底的正面形成氧化層；
[0081 ] 對所述氧化層的中心區(qū)域進(jìn)行光刻；
[0082]在光刻區(qū)域注入第二摻雜類型的粒子；
[0083]對所述半導(dǎo)體襯底退火，形成所述阱區(qū)。
[0084]在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，所述阱區(qū)的厚度的取值范圍為I μ m-7 μ m，包括端點(diǎn)值。但本發(fā)明對所述阱區(qū)的厚度的具體取值并不做限定，具體視實(shí)際情況而定。
[0085]在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，在所述半導(dǎo)體襯底正面形成所述絕緣柵雙極晶體管的柵極包括:
[0086]在所述半導(dǎo)體襯底的正面通過熱氧化生長工藝形成一層?xùn)叛趸瘜樱?br>[0087]在所述柵氧化層背離所述半導(dǎo)體襯底一側(cè)沉積一層多晶硅層；
[0088]在所述多晶硅層上涂覆光刻膠，并覆蓋掩膜板；
[0089]對所述多晶硅層進(jìn)行曝光并顯影，形成所述絕緣柵雙極晶體管的柵極。
[0090]需要說明的是，在本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例中，在所述柵氧化層背離所述半導(dǎo)體襯底一側(cè)沉積一層多晶硅層的方法為化學(xué)氣相沉底法。在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，沉積所述多晶硅層還可以采用物理氣相沉積法。本發(fā)明對此并不做限定，具體視實(shí)際情況而定。
[0091]還需要說明的是，本發(fā)明實(shí)施例僅就形成所述絕緣柵雙極晶體管的阱區(qū)和柵極提供了一種可行的實(shí)施方法，但其他形成所述阱區(qū)和所述柵極的方法均適用于本發(fā)明，本發(fā)明對此并不做限定，具體視實(shí)際情況而定。
[0092]S103:在所述阱區(qū)表面形成第一摻雜類型的發(fā)射區(qū)。
[0093]需要說明的是，在本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例中，通過在所述阱區(qū)表面注入第一摻雜類型的粒子并擴(kuò)散形成所述發(fā)射區(qū)。由于粒子注入與擴(kuò)散過程已為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，本發(fā)明在此并不做贅述。還需要說明的是，本發(fā)明對所述發(fā)射區(qū)的形成方式并不做限定，具體視實(shí)際情況而定。
[0094]在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，所述發(fā)射區(qū)的厚度的取值范圍為0.2ym-l.5 μ m，包括端點(diǎn)值。但本發(fā)明對所述發(fā)射區(qū)的厚度的具體取值并不做限定，具體視實(shí)際情況而定。
[0095]S104:對所述發(fā)射區(qū)進(jìn)行刻蝕，在所述發(fā)射區(qū)內(nèi)形成溝槽，所述溝槽貫穿所述發(fā)射區(qū)。
[0096]形成所述溝槽后的所述半導(dǎo)體襯底的剖面如圖2所示，圖中所示101代表所述半導(dǎo)體襯底，102代表所述柵極，103代表所述發(fā)射區(qū)，104代表所述阱區(qū)，105代表所述溝槽。
[0097]在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在本發(fā)明的另一個(gè)具體實(shí)施例中，對所述發(fā)射區(qū)103進(jìn)行刻蝕，在所述發(fā)射區(qū)103內(nèi)形成溝槽105包括:
[0098]在所述發(fā)射區(qū)103表面涂覆光刻膠；
[0099]在所述半導(dǎo)體襯底101正面覆蓋掩膜板；
[0100]以所述掩膜版為掩膜，對所述光刻膠進(jìn)行曝光并顯影，形成圖案化的光刻膠；
[0101]以所述圖案化的光刻膠為掩膜，對所述發(fā)射區(qū)103進(jìn)行刻蝕，在所述發(fā)射區(qū)103內(nèi)形成溝槽105，所述溝槽105貫穿所述發(fā)射區(qū)103 ;
[0102]清除殘留的光刻膠。
[0103]需要說明的是，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，所述溝槽105由濕法刻蝕法形成，本發(fā)明對形成所述溝槽105所采用的刻蝕方法并不做限定，具體視實(shí)際情況而定。
[0104]在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，所述溝槽105的深度大于所述發(fā)射區(qū)103的厚度，且小于所述阱區(qū)104的厚度。本發(fā)明對所述溝槽105的深度的具體取值不做限定，具體視實(shí)際情況而定。
[0105]S105:通過所述溝槽105向所述半導(dǎo)體襯底101注入第一摻雜類型的粒子，在所述阱區(qū)104背離所述柵極102 —側(cè)形成載流子濃度大于所述半導(dǎo)體襯底101載流子濃度的載流子存儲層。
[0106]需要說明的是，所述載流