太陽能電池的后加工設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明的實(shí)施方式涉及太陽能電池的后加工設(shè)備，并且更具體地說，涉及基于晶體半導(dǎo)體基板的太陽能電池的后加工設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，已經(jīng)預(yù)見諸如石油和煤炭的現(xiàn)有能源的枯竭，從而對(duì)替代現(xiàn)有能源的另選能源的關(guān)注隨之增長(zhǎng)。在這種另選能源當(dāng)中，利用半導(dǎo)體裝置將光伏能量轉(zhuǎn)換成電能的太陽能電池被關(guān)注為下一代電池。
[0003]太陽能電池可以通過形成基于設(shè)計(jì)的不同層和電極來制造。不同層和電極的設(shè)計(jì)可以確定太陽能電池的效率。必須解決太陽能電池的低效率，以便商品化太陽能電池。為此，太陽能電池的不同層和電極被設(shè)計(jì)成，使得可以最大化太陽能電池的效率，并且，執(zhí)行各種加工過程以最大化太陽能電池的效率。因此，必須提供一種能夠最大化太陽能電池的效率的太陽能電池的后加工設(shè)備。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]因此，本發(fā)明的實(shí)施方式鑒于上述問題而做出，并且本發(fā)明實(shí)施方式的一目的是，提供一種能夠縮減太陽能電池的輸出損耗的太陽能電池的后加工設(shè)備。
[0005]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，通過提供這樣的一種后加工設(shè)備可以實(shí)現(xiàn)以上和其他目的，所述后加工設(shè)備執(zhí)行包括用于對(duì)具有半導(dǎo)體基板的太陽能電池進(jìn)行熱處理、同時(shí)向所述太陽能電池提供光的主時(shí)段的后加工操作，所述后加工設(shè)備包括:主區(qū)段，所述主區(qū)段用于執(zhí)行所述主時(shí)段，其中所述主區(qū)段包括，用于向所述半導(dǎo)體基板提供熱量的第一熱源單元以及用于向所述半導(dǎo)體基板提供光的光源單元，所述第一熱源單元和所述光源單元位于所述主區(qū)段中，并且所述光源單元包括由等離子體發(fā)光系統(tǒng)PLS構(gòu)成的光源。
【附圖說明】
[0006]根據(jù)下面結(jié)合附圖的詳細(xì)描述，將更清楚地明白本發(fā)明的實(shí)施方式的上述和其它目的、特征以及其它優(yōu)點(diǎn)，其中:
[0007]圖1是示出利用根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的太陽能電池的制造方法所制造的太陽能電池的一實(shí)施例的截面圖；
[0008]圖2是示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的、圖1所示太陽能電池的正面的平面圖；
[0009]圖3是示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的太陽能電池的制造方法的流程圖；
[0010]圖4A至4G是示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的、圖3所示太陽能電池的制造方法的截面圖；
[0011]圖5是示出根據(jù)本發(fā)明該實(shí)施方式的太陽能電池的制造方法的后加工操作的主加工工序的時(shí)間與溫度之間的關(guān)系的圖形；
[0012]圖6是示出根據(jù)本發(fā)明該實(shí)施方式的、基于在太陽能電池的制造方法的后加工操作下的溫度與光強(qiáng)度之間的關(guān)系的氫的狀態(tài)的圖形；
[0013]圖7是示出根據(jù)本發(fā)明該實(shí)施方式的、基于在太陽能電池的制造方法的后加工操作下的光強(qiáng)度與加工時(shí)間之間的關(guān)系的氫的狀態(tài)的圖形；
[0014]圖8是示出根據(jù)本發(fā)明該實(shí)施方式的、利用太陽能電池的制造方法所制造的太陽能電池的另一實(shí)施例的截面圖；
[0015]圖9是示出根據(jù)本發(fā)明該實(shí)施方式的、利用太陽能電池的制造方法所制造的太陽能電池的又一實(shí)施例的截面圖；
[0016]圖10是示出在本發(fā)明的實(shí)驗(yàn)例中展示相同輸出損耗的溫度和光強(qiáng)度線的圖形；
[0017]圖11是示出在本發(fā)明的實(shí)驗(yàn)例中展示相同輸出損耗的光強(qiáng)度和加工時(shí)間線的圖形；
[0018]圖12是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的太陽能電池的后加工設(shè)備的結(jié)構(gòu)的圖；
[0019]圖13是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的修改例的太陽能電池的后加工設(shè)備的結(jié)構(gòu)的圖；
[0020]圖14是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的應(yīng)用于圖13的太陽能電池的后加工設(shè)備的工作臺(tái)的示例的圖；
[0021]圖15是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的應(yīng)用于圖13的太陽能電池的后加工設(shè)備的工作臺(tái)的示例的圖；
[0022]圖16是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的另一修改例的太陽能電池的后加工設(shè)備的結(jié)構(gòu)的圖；
[0023]圖17是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的另一修改例的太陽能電池的后加工設(shè)備的結(jié)構(gòu)的圖；以及
[0024]圖18是示出能夠應(yīng)用于根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的另一修改例的太陽能電池的后加工設(shè)備的光源單元的結(jié)構(gòu)的圖。
【具體實(shí)施方式】
[0025]下面，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明，其示例在附圖中進(jìn)行了例示。然而，應(yīng)當(dāng)明白，本發(fā)明不應(yīng)受限于這些實(shí)施方式，而是可以按不同方式進(jìn)行修改。
[0026]在圖中，為清楚和簡(jiǎn)要說明本發(fā)明的實(shí)施方式，省略了對(duì)不涉及本描述的部件的例示，并且貫穿本說明書用相同標(biāo)號(hào)指定相同或相似的部件。另外，在圖中，為了更清楚說明，諸如厚度、寬度等的部件尺寸被擴(kuò)大或縮小，并由此，本發(fā)明實(shí)施方式的厚度、寬度等不限于圖中的例示。
[0027]在整個(gè)說明書中，當(dāng)一部件被稱為“包括”另一部件時(shí)，只要不存在特別不一致的描述，該部件都不應(yīng)被理解為排除其它部件，而是該部件可以包括至少一個(gè)其它部件。另夕卜，應(yīng)當(dāng)明白，當(dāng)諸如層、膜、區(qū)域或基板的部件被稱為“處于另一部件之上”時(shí)，其可以直接處于該另一部件之上，或者還可以存在插入部件。另一方面，當(dāng)諸如層、膜、區(qū)域或基板的部件被稱為“直接處于另一部件之上”時(shí)，這意指其間不存在插入部件。
[0028]下面，參照附圖，對(duì)根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的太陽能電池的的后加工設(shè)備進(jìn)行詳細(xì)描述。對(duì)利用包括由根據(jù)本發(fā)明該實(shí)施方式的太陽能電池的后加工設(shè)備執(zhí)行的后加工操作的用于制造太陽能電池的方法所制造的太陽能電池的實(shí)施例進(jìn)行描述，首先，將對(duì)包括后加工操作的太陽能電池的制造方法進(jìn)行描述，接著將對(duì)太陽能電池的后加工設(shè)備進(jìn)行描述。
[0029]圖1是示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的、利用太陽能電池的制造方法所制造的太陽能電池的一實(shí)施例的截面圖，而圖2是示出圖1所示太陽能電池的正面的平面圖。圖2主要示出了半導(dǎo)體基板和電極。
[0030]參照?qǐng)D1，根據(jù)該實(shí)施方式的太陽能電池100包括:包括基極區(qū)10的半導(dǎo)體基板110、第一導(dǎo)電類型的第一導(dǎo)電區(qū)20、第二導(dǎo)電類型的第二導(dǎo)電區(qū)30、連接至第一導(dǎo)電區(qū)20的第一電極42、以及連接至第二導(dǎo)電區(qū)30的第二電極44。太陽能電池100還可以包括電介質(zhì)膜，如第一鈍化膜22和防反射膜24。下面，對(duì)太陽能電池100進(jìn)行更詳細(xì)描述。
[0031]半導(dǎo)體基板110可以由晶體半導(dǎo)體形成。例如，半導(dǎo)體基板110可以由單晶半導(dǎo)體(例如，單晶硅)或多晶半導(dǎo)體(例如，多晶硅)形成。具體來說，半導(dǎo)體基板110可以由單晶半導(dǎo)體(例如，單晶半導(dǎo)體晶片、更具體地說，單晶硅晶片)形成。在半導(dǎo)體基板110由如上所述單晶半導(dǎo)體(例如，單晶硅)形成的實(shí)例中，太陽能電池100可以是單晶半導(dǎo)體太陽能電池(例如，單晶硅太陽能電池)。因?yàn)樘柲茈姵?00是基于由如上所述展示高結(jié)晶度并由此展示低缺陷性的晶體半導(dǎo)體形成的半導(dǎo)體基板110，所以太陽能電池100可以展示優(yōu)異的電氣特性。
[0032]半導(dǎo)體基板110的前表面和/或后表面可以被紋理化，以使半導(dǎo)體基板110的前表面和/或后表面具有凹凸形狀。例如，該凹凸形狀可以是形成在半導(dǎo)體基板110的(111)表面處的錐體形狀，具有不規(guī)則尺寸。在該凹凸形狀如上所述通過紋理化而形成在半導(dǎo)體基板110的前表面處的實(shí)例中，半導(dǎo)體基板110的表面粗糙度可以增加，結(jié)果入射在半導(dǎo)體基板110的前表面上的光的反射率可以減小。從而，到達(dá)由基極區(qū)10和第一導(dǎo)電區(qū)20所形成的pn結(jié)的光的量可以增加，從而可以最小化太陽能電池100的光損耗。在本發(fā)明該實(shí)施方式中，該凹凸形狀形成在半導(dǎo)體基板110的前表面處以降低入射光的反射率，而該凹凸形狀未形成在半導(dǎo)體基板110的后表面處以增加入射光的反射率。然而，本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此。例如，凹凸形狀可以形成在半導(dǎo)體基板110的前表面和后表面兩者處，或者凹凸形狀可以不形成在半導(dǎo)體基板110的前表面或者后表面處。
[0033]半導(dǎo)體基板110的基極區(qū)10可以是具有摻雜濃度相對(duì)較低的第二導(dǎo)電摻雜劑的第二導(dǎo)電基極區(qū)10。例如，與第一導(dǎo)電區(qū)20相比，基極區(qū)10可以更遠(yuǎn)離半導(dǎo)體基板110的前表面而更靠近半導(dǎo)體基板的后表面。另外，與第二導(dǎo)電區(qū)30相比，基極區(qū)10可以更靠近半導(dǎo)體基板110的前表面而更遠(yuǎn)離半導(dǎo)體基板的后表面。然而，本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此。基極區(qū)10可以不同地定位。
[0034]基極區(qū)10可以由具有第二導(dǎo)電摻雜劑的晶體半導(dǎo)體形成。例如，基極區(qū)10可以由具有第二導(dǎo)電摻雜劑的單晶半導(dǎo)體(例如，單晶硅)或多晶半導(dǎo)體(例如，多晶硅)形成。具體來說，基極區(qū)10可以由具有第二導(dǎo)電摻雜劑的單晶半導(dǎo)體(例如，單晶半導(dǎo)體晶片、更具體地說，單晶硅晶片)形成。
[0035]第二導(dǎo)電類型可以是η型或P型。在基極區(qū)10具有η型的實(shí)例中，基極區(qū)10可以由摻雜有V族元素(如磷(P)、砷(As)、鉍(Bi)，或銻(Sb))的單晶半導(dǎo)體或多晶半導(dǎo)體形成。另一方面，在基極區(qū)10是P型的實(shí)例中，基極區(qū)10可以由摻雜有III族元素(如硼(B)、鋁(Al)、鎵(Ga)或銦(In))的單晶半導(dǎo)體或多晶半導(dǎo)體形成。然而，本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此?；鶚O區(qū)10和第二導(dǎo)電摻雜劑可以由不同材料形成。
[0036]例如，基極區(qū)10可以是P型的。在這種情況下，包括在第二電極44中的材料可以擴(kuò)散到半導(dǎo)體基板110中，以在焙燒(firing)第二電極44的操作時(shí)形成第二導(dǎo)電區(qū)30。結(jié)果，可以省略用于形成第二導(dǎo)電區(qū)30的附加摻雜工序，由此，簡(jiǎn)化太陽能電池100的制造工序。然而，本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此。例如，基極區(qū)10和第二導(dǎo)電區(qū)30可以是P型的，而第一導(dǎo)電區(qū)20可以是η型的。
[0037]第一導(dǎo)電類型的第一導(dǎo)電區(qū)20(其與基極區(qū)10的第二導(dǎo)電類型相反)可以形成在半導(dǎo)體基板I1的前表面處。第一導(dǎo)電區(qū)20可以與基極區(qū)10 —起形成pn結(jié)，以構(gòu)成用于通過光電轉(zhuǎn)換來生成載流子的發(fā)射極區(qū)。
[0038]在本發(fā)明該實(shí)施方式中，第一導(dǎo)電區(qū)20可以是構(gòu)成半導(dǎo)體基板110的一部分的摻雜區(qū)。在這種情況下，第一導(dǎo)電區(qū)20可以由具有第一導(dǎo)電摻雜劑的晶體半導(dǎo)體形成。例如，第一導(dǎo)電區(qū)20可以由具有第一導(dǎo)電摻雜劑的單晶半導(dǎo)體(例如，單晶硅)或多晶半導(dǎo)體(例如，多晶硅)形成。具體來說，第一導(dǎo)電區(qū)20可以由具有第一導(dǎo)電摻雜劑的單晶半導(dǎo)體(例如，單晶半導(dǎo)體晶片、更具體地說，單晶硅晶片)形成。在第一導(dǎo)電區(qū)20如上所述構(gòu)成半導(dǎo)體基板110的一部分的實(shí)例中，可以改進(jìn)第一導(dǎo)電區(qū)20與基極區(qū)10之間的結(jié)特性。
[0039]然而，本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此。例如，第一導(dǎo)電區(qū)20可以與半導(dǎo)體基板110分離地形成在半導(dǎo)體基板I1上，下面，將參照?qǐng)D9對(duì)其進(jìn)行更詳細(xì)描述。
[0040]第一導(dǎo)電類型可以是P型或η型。在第一導(dǎo)電區(qū)20為P型的實(shí)例中，第一導(dǎo)電區(qū)20可以由摻雜有III族元素(如硼(B)、鋁(Al)、鎵(Ga)或銦(In))的單晶半導(dǎo)體或多晶半導(dǎo)體形成。另一方面，在第一導(dǎo)電區(qū)20為η型的實(shí)例中，第一導(dǎo)電區(qū)20可以由摻雜有V族元素(如磷(P)、砷(As)、鉍(Bi)或銻(Sb))的單晶半導(dǎo)體或多晶半導(dǎo)體形成。然而，本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此?？梢詫⒉煌牧嫌米鞯谝粚?dǎo)電摻雜劑。
[0041]在該圖中，第一導(dǎo)電區(qū)20被示出為具有總體均勻摻雜濃度的均質(zhì)結(jié)構(gòu)。然而，本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此。在本發(fā)明另一實(shí)施方式中，第一導(dǎo)電區(qū)20可以具有選擇性結(jié)構(gòu)，下面，將參照?qǐng)D8對(duì)其進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0042]第二導(dǎo)電類型的第二導(dǎo)電區(qū)30 (其與基極區(qū)10的第二導(dǎo)電類型相同，具有比基極區(qū)10更高摻雜濃度的第二導(dǎo)電摻雜劑)可以形成在半導(dǎo)體基板110的后表面處。第二導(dǎo)電區(qū)30可以形成后表面場(chǎng)，以構(gòu)成用于防止或減小因在半導(dǎo)體基板110的表面(更精確地講，半導(dǎo)體基板110的后表面)處的復(fù)合而造成的載流子損耗的后表面場(chǎng)區(qū)。
[0043]在本發(fā)明該實(shí)施方式中，第二導(dǎo)電區(qū)30可以是構(gòu)成半導(dǎo)體基板110的一部分的摻雜區(qū)。在這種情況下，第二導(dǎo)電區(qū)30可以由具有第二導(dǎo)電摻雜劑的晶體半導(dǎo)體形成。例如，第二導(dǎo)電區(qū)30可以由具有第二導(dǎo)電摻雜劑的單晶半導(dǎo)體(例如，單晶硅)或多晶半導(dǎo)體(例如，多晶硅)形成。具體來說，第二導(dǎo)電區(qū)30可以由具有第二導(dǎo)電摻雜劑的單晶半導(dǎo)體(例如，單晶半導(dǎo)體晶片、更具體地說，單晶硅晶片)形成。在第二導(dǎo)電區(qū)30如上所述構(gòu)成半導(dǎo)體基板110的一部分的實(shí)例中，可以改進(jìn)第二導(dǎo)電區(qū)30與基極區(qū)10之間的結(jié)特性。
[0044]然而，本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此。例如，第二導(dǎo)電區(qū)30可以與半導(dǎo)體基板110分離地形成在半導(dǎo)體基板I1上，下面，將參照?qǐng)D9對(duì)其進(jìn)行更詳細(xì)描述。
[0045]第二導(dǎo)電類型可以是η型或p型。在第二導(dǎo)電區(qū)30為η型的實(shí)例中，第二導(dǎo)電區(qū)30可以由摻雜有V族元素(如磷(P)、砷(As)、鉍(Bi)，或銻(Sb))的單晶半導(dǎo)體或多晶半導(dǎo)體形成。另一方面，在第二導(dǎo)電區(qū)30為P型的實(shí)例中，第二導(dǎo)電區(qū)30可以由摻雜有III族元素(如硼(B)、鋁(Al)、鎵(Ga)，或銦(In))的單晶半導(dǎo)體或多晶半導(dǎo)體形成。然而，本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此。可以將不同材料用作第二導(dǎo)電摻雜劑。第二導(dǎo)電區(qū)30的第二導(dǎo)電摻雜劑可以由和基極區(qū)10的第二導(dǎo)電摻雜劑相同的材料或者與基極區(qū)10的第二導(dǎo)電摻雜劑不同的材料形成。
[0046]在本發(fā)明該實(shí)施方式中，第二導(dǎo)電區(qū)30被示出為具有總體均勻摻雜濃度的均質(zhì)結(jié)構(gòu)。然而，本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此。在本發(fā)明另一實(shí)施方式中，第二導(dǎo)電區(qū)30可以具有選擇性結(jié)構(gòu)或局部結(jié)構(gòu)，下面，將參照?qǐng)D8對(duì)其進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0047]在本發(fā)明該實(shí)施方式中，形成在半導(dǎo)體基板110處的第一導(dǎo)電區(qū)20和第二導(dǎo)電區(qū)30摻雜有第一導(dǎo)電摻雜劑和第二導(dǎo)電摻雜劑，而基極區(qū)10摻雜有第二導(dǎo)電摻雜劑。結(jié)果，該摻雜劑遍布半導(dǎo)體基板110分布。這時(shí)，任何特定摻雜劑都可能與半導(dǎo)體基板110中的不同材料或元素化合，以致降低太陽能電池100的特性。例如，在半導(dǎo)體基板110具有硼(B)作為摻雜劑的實(shí)例中，硼(B)可以與氧(O)起反應(yīng)，以形成B-O化合物。這種B-O化合物可以極大地縮減載流子的壽命，由此，降低太陽能電池100的特性。特別地講，在將硼⑶用作包括在基極區(qū)10中的第二導(dǎo)電劑，并由此基極區(qū)10是P型的實(shí)例中，大量的B-O化合物可以在半導(dǎo)體基板110的大面積上分布，由此，極大地降低太陽能電池100的特性。
[0048]在本發(fā)明該實(shí)施方式中，因此，可以執(zhí)行后加工操作(ST50)(參見圖3)，以使不產(chǎn)生可以降低太陽能電池100的特性的任何化合物(例如，上述B-O化合物)，來防止太陽能電池100的特性降低或劣化，下面，將在描述制造太陽能電池100的方法時(shí)，對(duì)其進(jìn)行更詳細(xì)描述。
[0049]半導(dǎo)體基板110可以具有大約200 μm或以下的厚度Tl。如果半導(dǎo)體基板110的厚度Tl大于200 μ m，則可能難于遍布半導(dǎo)體基板110來展示通過執(zhí)行后加工操作(ST50)所獲取的效果。例如，半導(dǎo)體基板110可以具有100 μπι至200 μπι的厚度Tl。如果半導(dǎo)體基板110的厚度Tl小于100 μπι，則因?yàn)榘雽?dǎo)體基板110的厚度Tl不足以執(zhí)行光電轉(zhuǎn)換，所以太陽能電池100的效率可能減小，并且太陽能電池100的機(jī)械特性可能不足。然而，本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此。半導(dǎo)體基板110的厚度Tl可以不同地改變。
[0050]第一鈍化膜22和防反射膜24順序地形成在半導(dǎo)體基板110的前表面上，更精確地在形成在半導(dǎo)體基板110上的第一導(dǎo)電區(qū)20上形成，并且第一電極42與第一鈍化膜22和防反射膜24接觸地形成在第一導(dǎo)電區(qū)20處(S卩，經(jīng)由貫穿第一鈍化膜22和防反射膜24形成的開孔102)。
[0051]除了與第一電極42相對(duì)應(yīng)的開孔102以外，第一鈍化膜22和防反射膜24可以遍布半導(dǎo)體基板110的前表面形成。
[0052]第一鈍化膜22與第一導(dǎo)電區(qū)20接觸地形成，以鈍化存在于第一導(dǎo)電區(qū)20的表面上或第一導(dǎo)電區(qū)20的體(bulk)中的缺陷。鈍化缺陷可以去除少數(shù)載流子的復(fù)合地點(diǎn)，其可以增加太陽能電池100的開路電壓Voc。防反射膜24縮減入射在半導(dǎo)體基板110的前表面上的光的反射率。通過縮減入射在半導(dǎo)體基板110的前表面上的光的反射率，到達(dá)由基極區(qū)10和第一導(dǎo)電區(qū)20所形成的pn結(jié)的光的量可以增加，從而可以增加太陽能電池100的短路電流Isc。如上所述，第一鈍化膜22和防反射膜24可以增加太陽能電池100的開路電壓和短路電流，由此，改進(jìn)太陽能電池100的效率。
[0053]第一鈍化膜22可以由不同材料形成。例如，第一鈍化膜22可以由包括氫的電介質(zhì)材料形成。在第一鈍化膜22如上所述包括氫的實(shí)例中，第一鈍化膜22可以起作用以鈍化半導(dǎo)體基板110的表面，而且另外，充當(dāng)用于在后加工操作(ST50)時(shí)向半導(dǎo)體基板110的表面提供氫或者將氫供應(yīng)到半導(dǎo)體基板110的體中的氫源。
[0054]例如，第一鈍化膜22可以包括102°ea/cm3至10 22ea/cm3的氫。第一鈍化膜22的氫含量被限制于這樣一范圍，即，第一鈍化膜22可以在第一鈍化膜22鈍化半導(dǎo)體基板110的表面時(shí)和在后加工操作(ST50)時(shí)有效地充當(dāng)氫源。然而，本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此。第一鈍化膜22的氫含量可以不同地改變。
[0055]例如，第一鈍化膜22可以包括:包括氫的氮化硅(SiNx:H)、包括氫的氮氧化硅(S1xNy:H)、包括氫的碳化硅(SiCx:H)或者包括氫的氧化硅(S1x:H)。然而，本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此。第一鈍化膜22可以包括不同的其它材料。
[0056]第一鈍化膜22可以具有50nm至200nm的厚度。如果第一鈍化膜22的厚度小于50nm，則鈍化效果可能不足，并且后加工操作(ST50)處的氫擴(kuò)散效果可能不足。另一方面，如果第一鈍化膜22的厚度大于200nm，則加工時(shí)間可能增加，同時(shí)效果未極大改進(jìn)，并且太陽能電池100的厚度可能增加。然而，本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此。第一鈍化膜22的厚度可以不同地改變。
[0057]防反射膜24可以由不同材料形成。例如，防反射膜24可以具有單膜結(jié)構(gòu)或多層膜結(jié)構(gòu)，其根據(jù)從由包括氫的氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化鋁、MgF2, ZnS, T12以及CeO2所構(gòu)成的組中選擇的至少一種形成。例如，防反射膜24可以包括氮化硅。
[0058]在本發(fā)明該實(shí)施方式中，接觸地形成在半導(dǎo)體基板110中的防反射膜24包括氫，以使防反射膜24可以有效地起作用來鈍化半導(dǎo)體基板110的表面，并且充當(dāng)氫源。然而，本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此。例如，僅防反射膜24可以包括氫，或者防反射膜24和第一鈍化膜22都可以包括氫。在防反射膜24包括氫的實(shí)例中，防反射膜24的材料、氫含量、厚度等可以等于或類似于第一鈍化膜22。
[0059]而且，在本發(fā)明該實(shí)施方式中，第一鈍化膜22 (其是設(shè)置在半導(dǎo)體基板110的前表面上的電介質(zhì)膜)包括氫，以使第一鈍化膜22可以在后加工操作(ST50)時(shí)供應(yīng)氫。這是因?yàn)槎滩ㄩL(zhǎng)光容易入射在半導(dǎo)體基板1