有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明是涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，且特別是涉及一種具有良好顯示品質(zhì) 的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器。
【背景技術(shù)】
[0002] 有機(jī)發(fā)光二極管（OLED)顯示器具有厚度薄、主動(dòng)發(fā)光而無需背光源、無視角限制 等優(yōu)點(diǎn)。隨著消費(fèi)者對(duì)電子產(chǎn)品高顯示畫質(zhì)的期待，有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的影像分辨率 必須朝向高分辨率像素及高顯示品質(zhì)發(fā)展。
[0003] 然而，在制作有機(jī)發(fā)光二極管顯示器中的發(fā)光元件的過程中，仍可能因?yàn)榉N種制 作工藝因素，而使面板顯示顏色不均、純度不足、或發(fā)光強(qiáng)度較低等現(xiàn)象。因此，研發(fā)具有高 顯示品質(zhì)的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器為目前重要的課題之一。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明的目的在于提供一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器。實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯 示器中，經(jīng)由金屬層的設(shè)計(jì)與調(diào)整金屬層與兩個(gè)發(fā)光層的相對(duì)距離，則可以調(diào)整有機(jī)發(fā)光 二極管顯示器的發(fā)光特性。
[0005] 為達(dá)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，提出一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器。有機(jī)發(fā) 光二極管顯不器包括一第一電極層、一第二電極層、一第一發(fā)光層和一第二發(fā)光層、一第一 n型電荷生成層、一第二n型電荷生成層以及一第一金屬層。第一發(fā)光層和一第二發(fā)光層形 成于第一電極層和第二電極層之間。第一 n型電荷生成層和第二n型電荷生成層形成于第 一發(fā)光層和第二發(fā)光層之間。第一金屬層形成于第一 n型電荷生成層和第二n型電荷生成 層之間，其中第一金屬層具有一第一厚度。
[0006] 為了對(duì)本發(fā)明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特舉優(yōu)選實(shí)施例，并配合所 附的附圖，作詳細(xì)說明如下：
【附圖說明】
[0007] 圖1為本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的示意圖；
[0008] 圖2為本發(fā)明另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的示意圖；
[0009] 圖3A~圖3B分別為本發(fā)明的比較例1及實(shí)施例1的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的發(fā) 光波長(zhǎng)范圍對(duì)應(yīng)發(fā)光強(qiáng)度的關(guān)系圖；
[0010] 圖4為本發(fā)明的比較例2及實(shí)施例2的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的發(fā)光波長(zhǎng)范圍對(duì) 應(yīng)發(fā)光強(qiáng)度的關(guān)系圖；
[0011] 圖5A~圖5B分別為本發(fā)明的比較例3及實(shí)施例3的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的發(fā) 光波長(zhǎng)范圍對(duì)應(yīng)發(fā)光強(qiáng)度的關(guān)系圖；
[0012] 圖6A~圖6B分別為本發(fā)明的比較例4及實(shí)施例4的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的發(fā) 光波長(zhǎng)范圍對(duì)應(yīng)發(fā)光強(qiáng)度的關(guān)系圖。
[0013] 符號(hào)說明
[0014] 100、200:有機(jī)發(fā)光二極管顯示器
[0015] 110:第一電極層
[0016] 110a、120a、160a、160b:表面
[0017] 120:第二電極層
[0018] 130:第一發(fā)光層
[0019] 130a、140a:發(fā)光面
[0020] 140 :第二發(fā)光層
[0021] 151 :第一 n型電荷生成層
[0022] 153 :第二n型電荷生成層
[0023] 160 :第一金屬層
[0024] 170 :p型電荷生成層
[0025] 181 :第一空穴注入層
[0026] 182 :第一空穴傳輸層
[0027] 183:第一電子傳輸層
[0028] 184 :第二空穴注入層
[0029] 185 :第二空穴傳輸層
[0030] 186:第二電子傳輸層
[0031] 187:電子注入層
[0032]29〇:第二金屬層
[0033] 1、1-1、I-2、II、II-1、II-2、III、IV、V-1、V-2、VI-1、VI-2、VII-1、VII-2、VIII-1、 VIII-2:曲線
[0034]Ll:第一距離
[0035] L2:第二距離
[0036] L1' ：第三距離
[0037] L2'：第四距離
[0038]MUM2:發(fā)光單元
[0039]Tl:第一厚度
[0040] T2:第二厚度
[0041] T3 ~T5:厚度
【具體實(shí)施方式】
[0042] 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，在原本的串聯(lián)式有機(jī)發(fā)光二極管顯示器中添加一金屬層來 令一個(gè)有機(jī)發(fā)光二極管顯示器具有兩個(gè)發(fā)光單元的特性，并經(jīng)由金屬層材質(zhì)與厚度的選擇 以及調(diào)整金屬層與兩個(gè)發(fā)光層的距離等，則可以調(diào)整有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的發(fā)光特性。 以下參照所附的附圖詳細(xì)敘述本發(fā)明的實(shí)施例。附圖中相同的標(biāo)號(hào)用以標(biāo)示相同或類似的 部分。需注意的是，附圖已簡(jiǎn)化以利清楚說明實(shí)施例的內(nèi)容，實(shí)施例所提出的細(xì)部結(jié)構(gòu)僅為 舉例說明之用，并非對(duì)本發(fā)明欲保護(hù)的范圍做限縮。具有通常知識(shí)者當(dāng)可依據(jù)實(shí)際實(shí)施態(tài) 樣的需要對(duì)該些結(jié)構(gòu)加以修飾或變化。
[0043] 圖1繪示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器100的示意圖。如圖1所 不，有機(jī)發(fā)光二極管顯不器100包括一第一電極層110、一第二電極層120、一第一發(fā)光層 130、一第二發(fā)光層 140、一第一 n 型電荷生成層（n-type charge generation layer) 151、 一第二n型電荷生成層153以及一第一金屬層160。第一發(fā)光層130和第二發(fā)光層140形 成于第一電極層110和第二電極層120之間，第一 n型電荷生成層151和第二n型電荷生 成層153形成于第一發(fā)光層130和第二發(fā)光層140之間。第一金屬層160形成于第一 n型 電荷生成層151和第二n型電荷生成層153之間，其中第一金屬層160具有一第一厚度Tl, 第一厚度Tl例如是大于或等于10納米（nm)。第一 n型電荷生成層151和第二n型電荷生 成層153為低功函數(shù)材料摻雜電子傳輸材料，例如Bphen摻雜鋰金屬等。
[0044] 實(shí)施例中，第一金屬層160的第一厚度Tl例如是10~150納米，第一金屬層160 的材質(zhì)可包括反射性金屬（refractive metal),例如可包括銀、錯(cuò)或其組合。
[0045] 實(shí)施例中，第一電極層110例如是陽極（anode)，第二電極層120例如是陰極 (cathode)。實(shí)施例中，第一電極層110例如是反射電極層或透明電極層，第二電極層120 例如是透明電極層。
[0046] 如圖1所示，實(shí)施例中，有機(jī)發(fā)光二極管顯示器100還可包括一 p型電荷生成層 170。p型電荷生成層170形成于第二發(fā)光層140和第二n型電荷生成層153之間。p型電 荷生成層170為強(qiáng)拉電子材料（例如F4-TCNQ)摻雜空穴傳輸材料，例如三氧化鑰（M003) 等。
[0047] 如圖1所示，以第一金屬層160相隔開來，一個(gè)有機(jī)發(fā)光二極管顯示器100可視同 具有兩個(gè)發(fā)光單元Ml和M2。利用p型電荷生成層170和n型電荷生成層151、153連接兩 個(gè)發(fā)光單元Ml和M2,由此可在定電流驅(qū)動(dòng)時(shí)使發(fā)光亮度提高為兩倍。相對(duì)來說，當(dāng)令有機(jī) 發(fā)光二極管顯示器100所提供的亮度固定時(shí)，則可以降低驅(qū)動(dòng)電流，進(jìn)而可以延長(zhǎng)有機(jī)發(fā) 光二極管顯不器100的壽命。此外，添加第一金屬層160來令一個(gè)有機(jī)發(fā)光二極管顯TK器 具有兩個(gè)發(fā)光單元Ml和M2的特性，并經(jīng)由第一金屬層160材質(zhì)與厚度的選擇以及調(diào)整第 一金屬層160與第一發(fā)光層130、第二發(fā)光層140、第一電極層110、第二電極層120的距離 等則可以調(diào)整有機(jī)發(fā)光二極管顯示器100的發(fā)光特性。
[0048] 如圖1所示，第一 n型電荷生成層151具有一厚度T3,第二n型電荷生成層153具 有一厚度T4, p型電荷生成層170具有一厚度T5。實(shí)施例中，厚度T3與厚度T4的總和約 為10~100納米，本實(shí)施例中以10納米為例；厚度T5約為5~100納米，本實(shí)施例