藥品全部使用了試劑。此外，“ ％ ”只要無特別說明，意味著“質(zhì)量％ ”。
[0140]<實(shí)施例1 >
[0141](ρ型擴(kuò)散層形成用組合物的調(diào)制)
[0142]調(diào)制包含6.0質(zhì)量％的乙基纖維素(有機(jī)粘結(jié)劑、日進(jìn)化成制Ethocel)的松油醇(分散介質(zhì)(B)、日本TERPENE化學(xué))溶液。將該溶液Sg和六方晶的氮化硼(硼化合物(A)、和光純藥工業(yè)制、試劑特級、體積平均次級粒子粒徑:11.7 μπκ平均初級粒子粒徑:
11μπι) 2g用自動乳缽混煉裝置混合，調(diào)制ρ型擴(kuò)散層形成用組合物(以下也簡稱為“糊劑”)。
[0143]氮化硼的體積平均粒徑采用激光衍射式粒度分布測定裝置測定。
[0144]此外，采用東京計(jì)器制E型粘度計(jì)測定糊劑的粘度。25°C、0.5rpm下的粘度為6IPa.s，5rpm 下的粘度為 37Pa.S。
[0145](熱擴(kuò)散和蝕刻工序)
[0146]在切割的η型硅基板(以下也稱為“η型切割硅基板”)表面上，將得到的糊劑采用絲網(wǎng)印刷涂布，在150°C的熱板上干燥5分鐘。接著，在以5L/分鐘使空氣流動的600°C的環(huán)狀爐中進(jìn)行了熱處理I分鐘。接下來，在以5L/分鐘使氮?dú)饬鲃拥?50°C的隧道爐中進(jìn)行了熱擴(kuò)散處理20分鐘。冷卻后，對η型硅基板用流水水洗，為了將在η型硅基板表面上形成的玻璃層除去，將基板在2.5質(zhì)量％ HF水溶液中浸漬5分鐘，接下來，進(jìn)行流水洗凈、超聲波洗凈、干燥，得到了形成了 P型擴(kuò)散層的η型硅基板。
[0147]在得到的形成了 ρ型擴(kuò)散層的η型硅基板中沒有發(fā)生翹曲。
[0148][評價]
[0149](薄膜電阻的測定)
[0150]使用三菱化學(xué)(株)制Loresta-EP MCP-T360型低電阻率計(jì)，采用四探針法測定形成了 P型擴(kuò)散層的η型切割硅基板的表面的薄膜電阻。
[0151]涂布了 ρ型擴(kuò)散層形成用組合物的部分為120Ω/ D，B(硼)擴(kuò)散，形成了 ρ型擴(kuò)散層。非涂布部的薄膜電阻為950 Ω/口。
[0152](基板的XRD圖案的測定)
[0153]測定形成了 ρ型擴(kuò)散層的η型切割硅基板的XRD圖案，結(jié)果沒有觀察到來自硅基板以外的峰。
[0154]<實(shí)施例2 >
[0155]實(shí)施例1中，除了代替氮化硼而使用了碳化硼(H.C.Starck制、體積平均次級粒子粒徑:0.5 μπκ平均初級粒子粒徑:0.5 μπι)以外，同樣地調(diào)制ρ型擴(kuò)散層形成用組合物，使用其與上述同樣操作得到了形成了 P型擴(kuò)散層的η型硅基板。
[0156]對于得到的糊劑的粘度，25 °C、0.5rpm下的粘度為50Pa.s，5rpm下的粘度為39Pa.S0
[0157]此外，涂布了 ρ型擴(kuò)散層形成用組合物的部分的薄膜電阻為55Ω/口，B(硼)擴(kuò)散，形成了 P型擴(kuò)散層。非涂布部的薄膜電阻為805 Ω/口。測定形成了 P型擴(kuò)散層的硅基板的XRD圖案，結(jié)果沒有觀察到來自硅基板以外的峰。
[0158]此外，在得到的形成了 ρ型擴(kuò)散層的η型硅基板沒有發(fā)生翹曲。
[0159]<實(shí)施例3 >
[0160]使用Fritsch制行星型球磨機(jī)，使用直徑Imm和3mm的氧化乾穩(wěn)定化氧化錯珠粒各30g，在45ml的氧化錯容器中裝入氮化硼Ig和超純水4g，以600rpm粉碎了 30分鐘。得到的氮化硼粉碎物的體積平均次級粒子粒徑為6.3 μ m，平均初級粒子粒徑為2 μ m。使用了該氮化硼粉碎物以外同樣操作，調(diào)制P型擴(kuò)散層形成用組合物，使用其與上述同樣操作，得到了形成了 P型擴(kuò)散層的η型硅基板。
[0161]對于得到的糊劑的粘度，25 °C、0.5rpm下的粘度為78Pa.s，5rpm下的粘度為48Pa.S0
[0162]此外，涂布了 ρ型擴(kuò)散層形成用組合物的部分的薄膜電阻為45Ω/口，B(硼)擴(kuò)散，形成了 P型擴(kuò)散層。非涂布部的薄膜電阻為610 Ω/口。測定形成了 P型擴(kuò)散層的硅基板的XRD圖案，結(jié)果沒有觀察到來自硅基板以外的峰。
[0163]此外，在得到的形成了 ρ型擴(kuò)散層的η型硅基板沒有發(fā)生翹曲。
[0164]<實(shí)施例4>
[0165]使用Fritsch制行星型球磨機(jī)，使用直徑Imm和3mm的氧化乾穩(wěn)定化氧化錯珠粒各30g，在45ml的氧化鋯容器中裝入氮化硼4g和超純水16g，以600rpm粉碎處理30分鐘。得到的氮化硼粉碎物的體積平均次級粒子粒徑為9.4 μ m，平均初級粒子粒徑為4 μ m。使用了該氮化硼粉碎物以外同樣操作，調(diào)制P型擴(kuò)散層形成用組合物，使用其與上述同樣操作，得到了形成了 P型擴(kuò)散層的η型硅基板。
[0166]對于得到的糊劑的粘度，25 °C、0.5rpm下的粘度為73Pa.s，5rpm下的粘度為41Pa.S0
[0167]涂布了 ρ型擴(kuò)散層形成用組合物的部分的薄膜電阻為65Ω/口，B(硼)擴(kuò)散，形成了 P型擴(kuò)散層。非涂布部的薄膜電阻為670 Ω/口。測定形成了 P型擴(kuò)散層的硅基板的XRD圖案，結(jié)果沒有觀察到來自硅基板以外的峰。
[0168]此外，在得到的形成了 ρ型擴(kuò)散層的η型硅基板沒有發(fā)生翹曲。
[0169]〈比較例1>
[0170]除了代替氮化硼而使用了氧化硼(B2O3、高純度化學(xué)制)以外，與實(shí)施例1同樣操作，調(diào)制P型擴(kuò)散層形成用組合物，將其涂布于η型硅基板，同樣地?zé)崽幚怼?br>[0171]涂布了包含氧化硼的ρ型擴(kuò)散層形成用組合物的部分在采用氫氟酸的蝕刻、水洗后，也殘存黑色的析出物，電阻為1000 Ω / □以上。
[0172]進(jìn)而，測定η型切割硅基板的XRD圖案，觀察到了與來自硅基板以外的結(jié)晶化物對應(yīng)的峰。進(jìn)而，在蝕刻處理后也觀察到氧化硼和硅基板的反應(yīng)物。
[0173]由以上可知，通過使用含有氮化硼或碳化硼的ρ型擴(kuò)散層形成用組合物，能夠抑制娃基板與棚化合物的反應(yīng)，此外，能夠抑制娃基板的翅曲。
[0174]對于日本申請2011-005333號的公開內(nèi)容，通過引用將其全體并入本說明書中。
[0175]本說明書中記載的全部的文獻(xiàn)、專利申請和技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，將各個文獻(xiàn)、專利申請和技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)通過引用并入，與具體地并且分別記載的情形同程度地，通過引用并入本說明書中。
[0176]附圖標(biāo)記
[0177]I ρ型硅基板
[0178]2、5熱處理物層
[0179]3 P+型擴(kuò)散層
[0180]4、8 電極
[0181]6 η型擴(kuò)散層
[0182]7反射膜或表面保護(hù)膜
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種P型擴(kuò)散層形成用組合物，其含有從氮化硼和碳化硼中選擇的至少I種的硼化合物和分散介質(zhì)。2.如權(quán)利要求1所述的P型擴(kuò)散層形成用組合物，其中，以粒子形狀含有所述硼化合物，該粒子的體積平均次級粒子粒徑(50% D)為1nm?15 μm，平均初級粒子粒徑為1nm ?12 μ m03.如權(quán)利要求1或2所述的P型擴(kuò)散層形成用組合物，其中，以粒子形狀含有所述硼化合物，該粒子的平均初級粒子粒徑為1nm?5 μ m。4.如權(quán)利要求1?3中的任一項(xiàng)所述的P型擴(kuò)散層形成用組合物，其中，所述分散介質(zhì)含有有機(jī)粘結(jié)劑。5.如權(quán)利要求1?4中的任一項(xiàng)所述的P型擴(kuò)散層形成用組合物，其中，所述硼化合物為濕式粉碎的產(chǎn)物。6.如權(quán)利要求5所述的P型擴(kuò)散層形成用組合物，其中，使用珠磨機(jī)進(jìn)行所述濕式粉碎。7.一種P型擴(kuò)散層的制造方法，其具有:在半導(dǎo)體基板上賦予權(quán)利要求1?6中的任一項(xiàng)所述的P型擴(kuò)散層形成用組合物的工序；和實(shí)施熱擴(kuò)散處理的工序。8.—種太陽能電池元件的制造方法，其具有:在半導(dǎo)體基板上賦予權(quán)利要求1?6中的任一項(xiàng)所述的P型擴(kuò)散層形成用組合物的工序；實(shí)施熱擴(kuò)散處理，形成P型擴(kuò)散層的工序；和在所形成的P型擴(kuò)散層上形成電極的工序。9.一種太陽能電池，其具備:采用權(quán)利要求8所述的太陽能電池元件的制造方法得到的太陽能電池元件，和在所述太陽能電池元件的電極上配置的極耳線。
【專利摘要】含有從氮化硼和碳化硼中選擇的至少1種的硼化合物和分散介質(zhì)而構(gòu)成p型擴(kuò)散層形成用組合物。通過將該p型擴(kuò)散層形成用組合物涂布于半導(dǎo)體基板上，實(shí)施熱擴(kuò)散處理，從而制造p型擴(kuò)散層和具有p型擴(kuò)散層的太陽能電池元件。
【IPC分類】H01L31/068, H01L21/22, H01L21/228, H01L21/225, H01L31/18
【公開號】CN105161404
【申請?zhí)枴緾N201510655317
【發(fā)明人】織田明博, 吉田誠人, 野尻剛, 町井洋一, 巖室光則, 木澤桂子, 足立修一郎, 佐藤鐵也
【申請人】日立化成株式會社
【公開日】2015年12月16日
【申請日】2011年7月14日
【公告號】CN103299399A, CN103299400A, EP2665089A1, EP2665089A4, WO2012096018A1