基板以及發(fā)光二極管裝置的制造方法
【專利說明】基板以及發(fā)光二極管裝置
[0001]本發(fā)明是2011年09月29日所提出的申請?zhí)枮?01110295442.X、發(fā)明名稱為《基板》的發(fā)明專利申請的分案申請。
技術(shù)領(lǐng)域
[0002]本發(fā)明涉及一種基板，尤其涉及一種適于與發(fā)光二極管芯片共晶接合的基板以及發(fā)光二極管裝置。
【背景技術(shù)】
[0003]在環(huán)保意識高漲的今日，人們除了積極地尋找再生能源之外，亦不斷地投入節(jié)能產(chǎn)品的開發(fā)。以照明產(chǎn)品為例，一種節(jié)能環(huán)保的光源，即發(fā)光二極管(light emittingd1de, LED)芯片，已被開發(fā)出來。發(fā)光二極管芯片藉由在P-N接面中重組電子與電洞來發(fā)光。相較于傳統(tǒng)光源，發(fā)光二極管芯片具有低消耗功率(power consumpt1n)及長壽命等優(yōu)點(diǎn)，因此已被廣泛地運(yùn)用在各領(lǐng)域中。
[0004]發(fā)光二極管芯片是一種電流驅(qū)動元件，其需藉由適當(dāng)?shù)尿?qū)動電路驅(qū)動之。一般而言，發(fā)光二極管芯片會封裝于具有驅(qū)動電路的基板上。發(fā)光二極管芯片封裝于基板上的技術(shù)主要可分為打線技術(shù)(wire bonding)與覆晶(flip-chip)技術(shù)。打線技術(shù)是將發(fā)光二極管芯片利用銀膠或是共晶技術(shù)將發(fā)光二極管芯片背面固定于基板上，再利用打線的方式讓發(fā)光二極管芯片利用金屬線與基板上的連結(jié)點(diǎn)連接。覆晶技術(shù)，也稱倒晶封裝法，是將發(fā)光二極管芯片正面與基板利用金球或共晶技術(shù)固定于基板上。上述共晶技術(shù)是將發(fā)光二極管芯片正/背面蒸鍍或?yàn)R鍍上一層共晶焊料(eutectic solder) 0接著，在基板的焊墊上鍍上一層黃金。然后，將基板置于加熱板上加熱至共晶焊料的熔點(diǎn)之后，再將發(fā)光二極管芯片壓合于焊墊上并使焊墊上的黃金與發(fā)光二極管芯片上的共晶焊料結(jié)合在一起。之后，將基板的溫度下降至共晶焊料的熔點(diǎn)之下，而使共晶焊料固化，即完成固晶(die bonding)作業(yè)。然而，為增加發(fā)光二極管芯片的光利用效率，現(xiàn)有基板的最外層多設(shè)有金屬反射層。當(dāng)發(fā)光二極管芯片以上述的共晶技術(shù)進(jìn)行封裝時(shí)，基板的金屬反射層會曝露在高溫的環(huán)境中，而易與外界氣體作用，進(jìn)而發(fā)生氧化的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供一種基板，其可改善高溫制程中金屬反射層易被氧化的問題。
[0006]本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管，其在高溫制程中具有良好的良率。
[0007]本發(fā)明的其他目的和優(yōu)點(diǎn)可以從本發(fā)明所揭示的技術(shù)特征中得到進(jìn)一步的了解。
[0008]本發(fā)明的實(shí)施例的發(fā)光二極管裝置包括基板以及配置于基板上的發(fā)光二極管芯片?；灏ɑ?、金屬反射層以及抗氧化層?；寰哂邢鄬Φ囊坏谝槐砻媾c一第二表面。金屬反射層配置于基底的第一表面上且具有一第一線路結(jié)構(gòu)以及與第一線路結(jié)構(gòu)電性連接的多個(gè)第一接墊?？寡趸瘜痈采w金屬反射層且暴露出這些第一接墊，而金屬反射層位于抗氧化層與基底的第一表面之間。金屬反射層暴露出部分的第一表面，抗氧化層覆蓋且直接地連接至被金屬反射層暴露出的部分的第一表面。發(fā)光二極管芯片以覆晶方式或以打線方式透過這些第一接墊與第一線路結(jié)構(gòu)電性連接。
[0009]本發(fā)明的實(shí)施例的發(fā)光二極管裝置包括基板以及配置于基板上的發(fā)光二極管芯片?；灏ā⒔饘俜瓷鋵右约翱寡趸瘜??；拙哂邢鄬Φ囊坏谝槐砻媾c一第二表面。金屬反射層配置于基底的第一表面上。抗氧化層覆蓋金屬反射層，而金屬反射層位于抗氧化層與基底的第一表面之間。金屬反射層具有多個(gè)第一接墊，抗氧化層暴露出這些第一接墊。金屬反射層暴露出部分的第一表面，抗氧化層覆蓋且直接地連接至被金屬反射層暴露出的部分的第一表面。發(fā)光二極管芯片以覆晶方式或以打線方式與這些第一接墊電性連接。
[0010]本發(fā)明的實(shí)施例的發(fā)光二極管裝置包括基板以及配置在基板的發(fā)光二極管。基板包括基底、導(dǎo)線層以及反射層?；拙哂械谝槐砻妗?dǎo)線層配置于基底上并暴露出部分第一表面，導(dǎo)線層具有多個(gè)接墊。反射層配置于基底上，且反射層覆蓋在被導(dǎo)線層所暴露出的部分的第一表面上并暴露出這些接墊且與導(dǎo)線層電性絕緣。發(fā)光二極管電性連接這些接墊。
[0011]本發(fā)明的實(shí)施例的發(fā)光二極管裝置包括基板以及發(fā)光二極管芯片。基板包括基底、導(dǎo)線層以及反射層?；拙哂械谝槐砻?。導(dǎo)線層配置于基底上并暴露出部分第一表面，且導(dǎo)線層具有線路結(jié)構(gòu)及與線路結(jié)構(gòu)電性連接的多個(gè)接墊。反射層配置于基底上，且反射層覆蓋導(dǎo)線層并暴露出這些接墊且與導(dǎo)線層電性絕緣，且反射層覆蓋在被導(dǎo)線層所暴露出的部分的第一表面上。發(fā)光二極管芯片與這些接墊電性連接。
[0012]本發(fā)明的實(shí)施例的適于供發(fā)光二極管芯片配置的基板包括基底、導(dǎo)線層以及反射層。基底具有第一表面及第二表面。具有多個(gè)接墊的導(dǎo)線層配置于基底上并暴露出部分第一表面。反射層配置于基底上，反射層覆蓋在被導(dǎo)線層所暴露出的部分的第一表面上并暴露出這些接墊且與導(dǎo)線層絕緣。這些接墊適于與發(fā)光二極管電性連接。
[0013]本發(fā)明的實(shí)施例的適于供至少一發(fā)光二極管芯片配置的基板包括基底、導(dǎo)線層以及反射層。基底具有第一表面及第二表面。導(dǎo)線層配置于基底上并暴露出部分第一表面，且導(dǎo)線層具有線路結(jié)構(gòu)及與線路結(jié)構(gòu)電性連接的多個(gè)接墊。反射層配置于基底上，反射層覆蓋導(dǎo)線層并暴露出這些接墊，反射層與導(dǎo)線層絕緣并覆蓋在被導(dǎo)線層所暴露出的部分的第一表面上。這些接墊適于與發(fā)光二極管電性連接。
[0014]本發(fā)明的實(shí)施例的發(fā)光二極管裝置包括基板以及發(fā)光二極管?；灏ɑ住?dǎo)線層以及絕緣層?；拙哂械谝槐砻?，導(dǎo)線層配置于基底上并暴露出部分第一表面。導(dǎo)線層具有多個(gè)接墊，配置在基底上的絕緣層覆蓋在被導(dǎo)線層所暴露出的部分的第一表面上并暴露出這些接墊。發(fā)光二極管配置在基板且與這些接墊電性連接。
[0015]本發(fā)明的實(shí)施例的發(fā)光二極管裝置包括基板以及發(fā)光二極管芯片?；灏ɑ?、導(dǎo)線層以及絕緣層。基底具有一第一表面，導(dǎo)線層配置于基底上并暴露出部分第一表面。導(dǎo)線層具有一線路結(jié)構(gòu)及與線路結(jié)構(gòu)電性連接的多個(gè)接墊，配置在基底上的絕緣層覆蓋導(dǎo)線層并暴露出這些接墊以及覆蓋在被導(dǎo)線層所暴露出的部分的第一表面上。發(fā)光二極管芯片配置在基板上且與這些接墊電性連接。
[0016]本發(fā)明的實(shí)施例的適于供發(fā)光二極管芯片配置的基板包括基底、導(dǎo)線層以及絕緣層?；拙哂械谝槐砻婕暗诙砻?。導(dǎo)線層配置于基底上并暴露出部分第一表面。導(dǎo)線層具有多個(gè)接墊，配置於基底上的絕緣層覆蓋在被導(dǎo)線層所暴露出的部分的第一表面上且暴露出這些接墊。這些接墊適于與發(fā)光二極管電性連接。
[0017]本發(fā)明的實(shí)施例的適于供至少一發(fā)光二極管芯片配置的基板包括基底、導(dǎo)線層以及絕緣層?；拙哂械谝槐砻婕暗诙砻妗?dǎo)線層配置于基底上并暴露出部分第一表面。導(dǎo)線層具有一線路結(jié)構(gòu)及與線路結(jié)構(gòu)電性連接的多個(gè)接墊，配置于基底上的絕緣層覆蓋導(dǎo)線層并暴露出這些接墊以及覆蓋在被導(dǎo)線層所暴露出的部分的第一表面上。這些接墊適于與發(fā)光二極管電性連接。
[0018]基于上述，本發(fā)明一實(shí)施例的基板藉由在金屬反射層上配置抗氧化層，而使得金屬反射層在高溫制程中不易發(fā)生氧化的問題。本發(fā)明一實(shí)施例的抗氧化層除了具有防止金屬反射層氧化的功能外，同時(shí)還兼具反射光束的功效。
[0019]為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖作詳細(xì)說明如下。
【附圖說明】
[0020]圖1為本發(fā)明第一實(shí)施例的基板的剖面示意圖；
[0021]圖2為圖1的抗氧化層的放大示意圖；
[0022]圖3示出本發(fā)明第一實(shí)施例的基板與另一種形式的發(fā)光二極管芯片接合的情形；
[0023]圖4為本發(fā)明第二實(shí)施例的基板的剖面示意圖；
[0024]圖5示出本發(fā)明第二實(shí)施例的基板與另一種形式的發(fā)光二極管芯片接合的情形。
[0025]附圖標(biāo)記說明:
[0026]100、100A:基板；
[0027]102:基底；
[0028]102a、102b:基底的表面；
[0029]104:金屬反射層；
[0030]104a、108a:線路結(jié)構(gòu)；
[0031]104b、108b:接墊；
[0032]106:抗氧化層；
[0033]106a:高折射率層；
[0034]106b:低折射率層；
[0035]108:導(dǎo)電層；
[0036]110:絕緣層；
[0037]200:覆晶式發(fā)光二極管芯片；
[0038]202:第一型摻雜半導(dǎo)體層；
[0039]204:第二型摻雜半導(dǎo)體層；
[0040]206:發(fā)光層；
[0041]208、210:電極；
[0042]300:固晶結(jié)構(gòu)；
[0043]400:打線式發(fā)光二極管芯片；
[0044]400a:背面；
[0045]410:導(dǎo)線；
[0046]D1、