造階段的截面圖；以及
[0044]圖10是示出包括微電子組件的系統(tǒng)的截面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0045]圖1示出了根據(jù)本公開的方面的包括中介片的微電子組件的制造方法中的階段。如圖1所示階段的所示，介電區(qū)域110被設(shè)置在厚度為T的支持元件或支持結(jié)構(gòu)上方。支持結(jié)構(gòu)105可以由任何材料形成，并且在一些示例中可以由硅、模制材料、玻璃襯底或除上述材料之外的任何附加材料形成。典型地，介電區(qū)域110形成在支持結(jié)構(gòu)105的上方。例如，介電區(qū)域110可以具有第一表面IlOa和與第一表面IlOa相對(duì)的第二表面110b。在一個(gè)示例中，第一表面IlOa可以限定為介電區(qū)域110與支持結(jié)構(gòu)105的界面。在其他示例中，介電區(qū)域110可以集成設(shè)置有支持結(jié)構(gòu)105，并且在一些情況下可以由相同的介電材料形成，使得第一表面IlOa不存在直到稍后的制造過程。
[0046]圖2是示出介電區(qū)域110和其上支持的跡線和互連件的集合的放大截面圖。介電區(qū)域110可以支持一個(gè)或多個(gè)布線層以及相關(guān)聯(lián)的互連結(jié)構(gòu)，諸如包括在后端制程(“BE0L”)結(jié)構(gòu)中的通孔或再分布結(jié)構(gòu)。例如，介電區(qū)域110可以包括多個(gè)介電層111、112和114以及嵌入到介電層111、112和114中的一個(gè)或多個(gè)中的多條跡線113(例如，布線層)。跡線113可以在任何方向上延伸，并且可以相對(duì)于介電區(qū)域110的表面110a、I 1b以平行、垂直或任何其他方向延伸。
[0047]當(dāng)介電區(qū)域110是BEOL區(qū)域時(shí)，其可以具有近似為50納米至10微米的厚度T。在其他示例中，介電區(qū)域可以是或者包括再分布層(RDL)，其具有更大厚度T且其上跡線113在平行于表面IlOa的方向上的寬度可以例如在20納米到20微米的范圍內(nèi)。
[0048]介電層111可以是任何類型的介電層，諸如焊料掩模。在其他示例中，介電區(qū)域110可以不包括介電層111。介電層112也可以是任何類型的介電層，并且在一個(gè)示例中可以包括硅的氧化物。介電層114可以是任何類型的介電層，并且在一個(gè)示例中其可以是拋光停止、研磨停止或其他工藝停止層，當(dāng)在支持結(jié)構(gòu)105的研磨、打磨或拋光期間遇到時(shí)，其在一個(gè)示例中可以使得這些工藝停止或迅速減慢。例如當(dāng)介電層包括氧化娃時(shí)，這種層可以包括或者由硅的氮化物制成。在一個(gè)示例中，工藝停止層可以是在到達(dá)這種層時(shí)可被工藝設(shè)備使用(諸如用于檢測(cè)工藝的端點(diǎn))的端點(diǎn)層或端點(diǎn)檢測(cè)層。
[0049]在一個(gè)示例中，介電層111和112以及介電區(qū)域110的跡線113可以形成在介電層114上方。例如通過在支持結(jié)構(gòu)105上方沉積介電層114，介電層114(例如，拋光停止、研磨停止或其他工藝停止層)本身可以形成在支持結(jié)構(gòu)105上方。
[0050]—個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電元件115可以設(shè)置為從介電區(qū)域110的第二表面IlOb上方突出。如本文所使用的，“上方”和“向上”不是指重力參考系，而是可以表示垂直遠(yuǎn)離表面的方向。在一個(gè)示例中，如圖2所示，導(dǎo)電元件115可以包括導(dǎo)電塊(例如，焊球)，其可以在表面IlOb處附接至諸如金屬焊盤116的導(dǎo)電元件。如本文所使用的，術(shù)語“在…處”可以包括可用于連接的元件位于表面處、以及可以與表面平齊、凹陷在表面內(nèi)或者在表面上方突出。例如，焊盤116可以在平行于表面IlOb的方向上具有近似2微米至100微米的尺寸。例如，導(dǎo)電元件115可以包括接合材料(諸如焊料、錫、銦、銅、鎳、金、共熔合金、非共熔合金和導(dǎo)電基質(zhì)材料)的至少一塊。在另一示例中，如圖2所示，導(dǎo)電元件可以是柱115a，諸如可以通過在焊盤上鍍金屬或者可選地通過設(shè)置金屬層(諸如銅、銅合金、鎳或鎳合金或這些金屬的組合)然后蝕刻該金屬層以形成柱115a來形成。當(dāng)通過蝕刻形成時(shí)，柱115a可以具有例如如圖2所示的截錐形狀。導(dǎo)電元件115可以為上述焊球和柱的任何組合以及其他類型的導(dǎo)電元件。以這種方式，導(dǎo)電元件115可以包括主要由至少一種金屬(選自由銅、銅合金、鎳或鎳合金組成的組)組成的核心，這種柱具有高于300°C的熔化溫度。
[0051]可以在介電區(qū)域110的第一表面IlOa處設(shè)置多個(gè)接觸件I 1al。在一個(gè)示例中，如以下更詳細(xì)描述的，接觸件IlOal可以包括微凸塊接觸件，用于連接至一個(gè)或多個(gè)微電子元件。
[0052]在所示結(jié)構(gòu)中，一個(gè)或多個(gè)接觸件IlOal可以通過跡線113與導(dǎo)電元件115或?qū)щ娫?15a中的一個(gè)或多個(gè)電親合。接觸件llOal、導(dǎo)電元件115和跡線113可以根據(jù)任何期望的結(jié)構(gòu)進(jìn)行配置，使得可以實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電元件和接觸件IlOal之間的互連件的任何期望結(jié)構(gòu)。
[0053]應(yīng)該理解，接觸件IlOal可以定位在表面IlOa處以具有最小間距，其與設(shè)置在介電區(qū)域110的與第一表面相對(duì)的第二表面IlOb處的導(dǎo)電兀件115或115a的最小間距相同或不同。在具體示例中，導(dǎo)電元件115的最小間距可以按照大于1:1的比率大于接觸件IlOal的最小間距，該比率在一些示例中可以大于或等于2:1或者在其他情況下大于或等于3:1或者可能更大。
[0054]介電區(qū)域110可以具有多達(dá)1ppm/攝氏度的熱膨脹系數(shù)(“CTE”)，并且在一些情況下可以具有與娃或其他半導(dǎo)體材料的CTE相同或接近的CTE，例如低于5ppm/攝氏度的CTE0
[0055]如圖3所示，可以在介電區(qū)域110的第二表面IlOb上設(shè)置密封劑120。在一個(gè)示例中，密封劑120可以是成型物，其可以部分地或完全地密封導(dǎo)電元件115。密封劑120可以填充相鄰的導(dǎo)電元件115之間的空間。在一個(gè)示例中，密封劑120可以具有多達(dá)1ppm/攝氏度范圍內(nèi)的CTE。
[0056]參照?qǐng)D4，與圖1相比，可以從介電區(qū)域110的第一表面IlOa去除支持結(jié)構(gòu)105的厚度T的至少一部分。例如，這可以根據(jù)各種方法來進(jìn)行，諸如研磨、打磨或拋光或剝離、斷裂、蝕刻或上述工藝的任何組合，它們可以與其他工藝進(jìn)行組合。在去除工藝期間，設(shè)置為研磨停止層或端點(diǎn)檢測(cè)層的介電層114可以被檢測(cè)或暴露。這可以幫助確保支持結(jié)構(gòu)105 (尤其是一種半導(dǎo)體材料或非絕緣體)被完全去除，同時(shí)還確保不去除介電區(qū)域110自身的任何部分。
[0057]如圖5所示，多個(gè)微電子元件130可以定位在介電區(qū)域110的第一表面IlOa上方。微電子元件可以具有達(dá)到1ppm/攝氏度范圍內(nèi)的熱膨脹系數(shù)。在一個(gè)示例中，微電子元件130可以是或者包括其上具有有源電路元件(諸如晶體管)的半導(dǎo)體芯片。微電子元件130可以在平行于第一表面IlOa的方向上隔開。在另一示例中，微電子元件130可以是或者包括無源電路元件，諸如芯片上集成無源器件(“IP0C”)。還可以設(shè)置附加微電子元件130a。微電子元件130a可以是無源微電子元件，諸如無源裸片。
[0058]每個(gè)微電子元件130都具有面131以及位于面131處的多個(gè)接觸件，接觸件可以面對(duì)介電區(qū)域的面IlOa并與介電區(qū)域的面IlOa處的對(duì)應(yīng)接觸件IlOal接合(諸如通過導(dǎo)電接合金屬)。以相同方式，元件130a還可以與接觸件IlOal接合。
[0059]如圖6所示，可以設(shè)置密封劑135。密封劑可以包括底部填充物和/或成型物。在一個(gè)示例中，密封劑135可以具有比與密封劑120相關(guān)聯(lián)的CTE大的CTE，具體是因?yàn)槲㈦娮釉?30中的硅用作加固物并具有較大的楊氏模量。在其他示例中，密封劑120和135可以具有相同值的CTE，或者密封劑135可以具有比密封劑120小的CTE。
[0060]如圖所示，密封劑120和135的組合可以分別或者組合至少部分地或完全地密封介電區(qū)域110。這可以提供容易處理的組件。在其他示例中，可以從組件中省略密封劑135。[0061 ] 如圖7所示，可以去除部分密封劑120和/或?qū)щ娫?15以至少部分地露出導(dǎo)電元件115。這可以通過諸如研磨、打磨、拋光等的磨損工藝來實(shí)現(xiàn)?？蛇x地，導(dǎo)電元件115 (可以包括焊料、錫或其他導(dǎo)電材料的導(dǎo)電塊)可以形成為與其他導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(例如，焊盤116、通孔、跡線，它們?cè)谌コに嚻陂g露出)接觸。
[0062]在一個(gè)示例中，還可以去除部分密封劑135和部分微電子元件130。這也可以通過研磨、打磨等來實(shí)現(xiàn)。
[0063]如圖8所示，接合元件140可以附接至接觸件130。例如，接合元件可以由焊接材料(例如但不限于焊料、錫、共晶成分或?qū)щ娀|(zhì)材料，即加載有金屬顆?；虮∑木酆喜牧?的導(dǎo)電塊制成或包括焊接材料的導(dǎo)電塊。在具體示例中，接合元件可以包括金屬元件，其具有低熔化溫度組成和高熔化溫度組成。
[0064]圖9示出了根據(jù)本公開的方面的包括中介片的微電子組件200。例如，中介片可以包括介電區(qū)域110、導(dǎo)電元件115和密封劑120。在該階段，接合元件140可連接至襯底150。此外，可以設(shè)置諸如底部填充物的密封劑145以填充密封劑120、襯底150和接合元件140之間的空間。
[0065]在一個(gè)示例中，密封劑120可具有不大于與微電子元件或與微電子元