Led光源基板及其制作方法和led光源的制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及半導體照明技術領域，更具體地說，涉及一種LED光源基板及其制作方法和LED光源。
【背景技術】
[0002]LED (Light Emitting D1de，發(fā)光二極管)芯片的PN結溫度，不僅能決定LED的壽命，還可能會使LED產生色漂移、出光不均勻等現象，影響LED的出光效果?；诖?，想要提高LED的壽命，改善其出光效果，關鍵是要降低LED芯片的PN結溫度，而降低PN結溫度的關鍵是采用散熱性能良好的基板作為散熱器，以便及時地把產生的熱量散發(fā)出去。
[0003]目前，大功率的LED主要采用COB (Chip On Board，集成光源)集成封裝方式，這種封裝方式比常規(guī)的封裝方式對散熱的要求更高，因此，對基板散熱性能的要求也越高。通常COB集成封裝采用的LED光源基板的結構如圖1所示，包括鋁基底1、絕緣層2、銅箔層3和反射層4，其中，LED芯片5 —般位于反射層4的表面。但是，這種結構的LED光源基板并不能將LED芯片產生的熱量有效的傳導至外部，散熱性能較差，會影響LED光源的性能和壽命O
【發(fā)明內容】
[0004]有鑒于此，本發(fā)明提供了一種LED光源基板及其制作方法和LED光源，以解決現有技術中LED光源基板散熱性能較差，影響LED光源性能和壽命的問題。
[0005]為實現上述目的，本發(fā)明提供如下技術方案:
[0006]—種LED光源基板,包括:
[0007]具有至少三個散熱結構的基底，所述基底上預設LED芯片區(qū)域對應的散熱結構的導熱強度大于其他散熱結構；
[0008]位于所述基底表面的銅箔層以及位于所述銅箔層表面的反射層和絕緣層。
[0009]優(yōu)選的，所述至少三個散熱結構為:呈同心圓環(huán)狀且沿圓心向外依次排布的第一散熱結構、第二散熱結構和第三散熱結構。
[0010]優(yōu)選的，所述第一散熱結構對應所述預設LED芯片區(qū)域，且所述第一散熱結構的導熱強度大于所述第二散熱結構，所述第二散熱結構的導熱強度大于所述第三散熱結構。
[0011]優(yōu)選的，所述第一散熱結構與所述第二散熱結構的半徑差等于所述第二散熱結構與所述第三散熱結構的半徑差。
[0012]優(yōu)選的，所述第一散熱結構、第二散熱結構和第三散熱結構的半徑之比為1:2:3。
[0013]優(yōu)選的，所述基底的材料為導熱塑料PA，其導熱系數為5W/m.K?20W/m.K。
[0014]優(yōu)選的，所述基底的第一散熱結構、第二散熱結構和第三散熱結構中分別摻雜了不同含量的纖維狀碳粉，以使不同的散熱結構具有不同的導熱強度。
[0015]優(yōu)選的，所述第一散熱結構、第二散熱結構和第三散熱結構中纖維狀碳粉的含量之比為4:2:1。
[0016]優(yōu)選的，所述纖維狀碳粉的導熱系數為400W/m.K?700W/m.K。
[0017]優(yōu)選的，所述基底的厚度范圍為0.5mm?1.5mm。
[0018]一種LED光源基板的制作方法，包括:
[0019]采用注塑工藝依次形成至少三個散熱結構，來構成預設LED芯片區(qū)域對應的散熱結構的導熱強度大于其他散熱結構的基底；
[0020]在所述基底的表面形成銅箔層，并在所述銅箔層的表面形成反射層和絕緣層。
[0021]優(yōu)選的，所述采用注塑工藝依次形成至少三個散熱結構，來構成預設LED芯片區(qū)域對應的散熱結構的導熱強度大于其他散熱結構的基底為:
[0022]采用注塑工藝將纖維狀碳粉含量不同的導熱塑料依次注塑成型，構成具有不同導熱強度的不同散熱結構的基底，其中，所述基底上預設LED芯片區(qū)域對應的散熱結構的導熱強度大于其他散熱結構。
[0023]優(yōu)選的，當所述至少三個散熱結構為呈同心圓環(huán)狀且沿圓心向外依次排布的第一散熱結構、第二散熱結構和第三散熱結構時，所述采用注塑工藝依次形成至少三個散熱結構為:
[0024]采用注塑工藝形成圓形的第一散熱結構；
[0025]在所述第一散熱結構的四周形成圓環(huán)狀的第二散熱結構；
[0026]在所述第二散熱結構的四周形成圓環(huán)狀的第三散熱結構；
[0027]其中，所述第一散熱結構的纖維狀碳粉的含量大于所述第二散熱結構，所述第二散熱結構的纖維狀碳粉的含量大于所述第三散熱結構，以使所述第一散熱結構的導熱強度大于所述第二散熱結構，所述第二散熱結構的導熱強度大于所述第三散熱結構。
[0028]優(yōu)選的，所述在所述基底的表面形成銅箔層為:
[0029]在所述基底的表面沉積銅箔層，并對所述銅箔層進行刻蝕，形成預設的電路結構。
[0030]優(yōu)選的，所述在所述銅箔層的表面形成反射層和絕緣層為:
[0031]在所述銅箔層表面的預設LED芯片區(qū)域形成反射層，并在所述銅箔層表面的其他區(qū)域形成絕緣層。
[0032]一種LED光源，包括上述的LED光源基板，其中，LED芯片位于所述LED光源基板的預設LED芯片區(qū)域，且所述LED光源基板的預設LED芯片區(qū)域對應的散熱結構的導熱強度大于其他散熱結構。
[0033]與現有技術相比，本發(fā)明所提供的技術方案具有以下優(yōu)點:
[0034]本發(fā)明所提供的LED光源基板及其制作方法和LED光源，基底具有至少三個散熱結構，且預設LED芯片區(qū)域對應的散熱結構的導熱強度大于其他散熱結構，從而使得LED芯片產生的熱量能夠最大程度的散發(fā)出去，提高了 LED光源基板的散熱能力，穩(wěn)定了 LED光源的性能參數，增加了 LED光源的使用壽命。并且，由于本發(fā)明的LED光源基板的基底材料是導熱塑料PA，是非常良好的絕緣材料，因此，相比于傳統(tǒng)的基板省去了絕緣層，節(jié)約了成本，簡化了制作工藝。
【附圖說明】
[0035]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0036]圖1為現有技術中LED光源基板的結構示意圖；
[0037]圖2為本發(fā)明實施例一提供的LED光源基板的結構示意圖；
[0038]圖3為本發(fā)明實施例一提供的LED光源基板的基座的結構TJK意圖；
[0039]圖4為本發(fā)明實施例二提供的LED光源基板的制作方法流程圖；
[0040]圖5為本發(fā)明實施例二提供的基座的制作方法的流程圖。
【具體實施方式】
[0041]正如【背景技術】所述，現有技術中的LED光源基板并不能將LED芯片產生的熱量有效的傳導至外部，散熱性能較差，會影響LED光源的性能和壽命。發(fā)明人研究發(fā)現，造成這種問題的原因主要是，現有技術中LED光源基板表面的熱量分布并不是均勻的，其中LED芯片區(qū)域的熱量是最高的，但是，由于LED光源基板所有區(qū)域的散熱能力是一樣的，因此，現有的LED光源基板并不能將LED芯片產生的熱量有效地散發(fā)出去，導致散熱性能較差，影響LED光源的性能和壽命。
[0042]基于此，本發(fā)明提供了一種LED光源基板，以克服現有技術存在的上述問題，包括:
[0043]具有至少三個散熱結構的基底，所述基底上預設LED芯片區(qū)域對應的散熱結構的導熱強度大于其他散熱結構；位于所述基底表面的銅箔層以及位于所述銅箔層表面的反射層和絕緣層。
[0044]本發(fā)明還提供了一種LED光源基板的制作方法，包括:
[0045]采用注塑工藝依