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長壽命等離子無極氙氣燈的制作方法

文檔序號:9351476閱讀:178來源:國知局
長壽命等離子無極氙氣燈的制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及照明領域中的一種照明光源裝置,特別涉及一種長壽命等離子無極氙氣燈。
【背景技術】
[0002]HID氙氣燈其所發(fā)出的光接近太陽光,在照明上的應用非常的合適,又由于發(fā)光效率相當高,本身是一種照明節(jié)能產品,但是,由于目前的HID氙氣燈存在很多的相對缺點,因此與LED照明燈在不同的應用要求上存在差距。
[0003]目前的HID氙氣燈光源,都是采用在一個球泡內放置兩個電極,工作時靠這兩個電極在瞬間加上一個很高的電壓進行啟動。啟動成功后,在電極的兩端加上一個維持工作電壓進行工作。這種工作方式存在如下缺陷:首先,由于需要采用高壓啟動(23KV),對電路及燈的安全使用范圍有一定的限制;其次,由于采用電極,電極在啟動和工作時,電極易受到損傷,極大的縮短其使用壽命,如果是鎮(zhèn)流器性能做得不好,在啟動點火的過程中,易在電極上引起電子濺射,加大電極的氧化過程,使電極過早衰老,縮短壽命。

【發(fā)明內容】

[0004]針對現有HID氙氣燈光源的缺陷,本發(fā)明提供了一種長壽命等離子無極氙氣燈。
[0005]為了實現上述目的,本發(fā)明所采取的措施是:長壽命等離子無極氙氣燈,包括通過燈泡接口連接在燈頭座上的氙氣球泡發(fā)光體,固定在支架上的氙氣球泡發(fā)光體與等離子磁控體相連,氙氣球泡發(fā)光體的外圍設有一個一端固定在等離子磁控體上的磁控罩,磁控罩內部設置有連接在等離子磁控體上的導體,磁控罩外部設有固定連接在等離子磁控體上的玻璃燈罩,為了方便安裝應用,等離子磁控體經燈泡接口與燈頭座相連,燈頭座通過連接線與等離子放大驅動器上的驅動信號輸出接口相連,連接有電源輸入線的等離子體驅動器內部依次設置有電源輸入整流濾波電路、校正電路、等離子高頻等離子產生電路和功率控制CPU電路。
[0006]所述玻璃燈罩的外表面鍍上一層透明的屏蔽金屬網,防止電離輻射對其它用電設備的影響。
[0007]所述玻璃燈罩的內表面可以噴涂有三基色烯土熒光粉,以增強光照的柔和性。
[0008]所述玻璃燈罩的內部充有惰性氣體,與外界隔絕,可以起到保護發(fā)光球體的作用。
[0009]所述XLEP球泡發(fā)光體的內部填充有氙氣氣體和無汞鹵化物,具有環(huán)保的作用。
[0010]
本發(fā)明的有益效果:低碳環(huán)保,無電極污染(汞污染)和能量損耗;壽命長,延長壽命達到5萬小時以上;將XLEP等離子氙氣燈發(fā)光源的效率提高50%以上,光效高平均流明可以達到138LM/W、光色好、光衰小良好的光維持率(燃點50000小時后光衰小于3% );光線可調在20%?100%之間實現連續(xù)調光、似太陽光連續(xù)光譜、較低紫外和紅外輻射、光譜連續(xù)性好;人體感覺更舒服自然、冷啟動較快,無需采用產生一個高壓電壓來進行啟動,并且也能進行快速熱啟動。
【附圖說明】
[0011]圖1是本發(fā)明一個實施方式提供的一種XLEP燈的結構示意圖。
[0012]圖2是本實施方式等離子無極氙氣燈使用時的電路模塊示意圖。
[0013]圖3是圖2中高頻等離子驅動器3的一種實現方式的電路示意圖。
【具體實施方式】
[0014]請參照圖1,圖1是本發(fā)明一個實施方式提供的一種XLEP燈的結構示意圖。本實施例的等離子無極氙氣燈包括通過燈泡接口 6可以安裝在燈頭座5上的氙氣球泡發(fā)光體11,固定在支架10上的氙氣球泡發(fā)光體11與等離子磁控體7相連,氙氣球泡發(fā)光體11的外圍設有一個一端固定在等離子磁控體7上的磁控罩9,磁控罩9內部設置有連接在等離子磁控體7上的導體8,磁控罩9靠近氙氣球泡發(fā)光體11 一定的距離,這一距離的大小直接景響到氙氣球泡發(fā)光體11的發(fā)光效率,磁控罩9外部設有固定連接在等離子磁控體7上的玻璃燈罩12。燈體外玻璃罩12的外表下采用一種特殊的工藝鍍上一層透明的屏蔽金屬網13,其目的是屏蔽高頻等離子磁場向外空間輻射;燈體外玻璃罩12罩住等離子氙氣球泡發(fā)光體11后與磁控體7相連固定,后并抽空后注入一定氣壓的惰性氣體,以保護氙氣球泡發(fā)光體11 ;燈體外玻璃罩12的內表面可以噴涂有三基色烯土熒光粉,可以利用等離子磁場輻射電子流激發(fā)的紫外線激發(fā)熒光粉發(fā)光,增加發(fā)光效率,同時可以起到所發(fā)出的光光照柔和,均勻度增強,有利于照明配光的要求;等離子氙氣球泡發(fā)光體11內充氙氣氣體,根據功率要求,并在內腔注入一定量的無汞鹵化物,用來控制發(fā)光體的管壓及最大額定功率;
請一起參照圖1和圖2,其中圖2是本實施方式等離子無極氙氣燈使用時的電路模塊示意圖。等離子磁控體7經燈泡接口 6與燈頭座5相連,燈頭座5通過連接線4與高頻等離子驅動器3 (亦稱高頻微波驅動器)上的驅動信號輸出接口 2相連。
[0015]請參照圖3,圖3是圖2中高頻等離子驅動器3的一種實現方式的電路示意圖。連接有電源輸入線I的高頻等離子驅動器3內部依次設置有電源輸入整流濾波電路17、校正電路16、高頻等離子產生電路15和功率控制CPU電路14。
[0016]工作過程中,驅動器主體3將輸入的電源電壓經電源輸入整流濾波電路17整流后經功能因素校正電路16進行功率因素校正,再經高頻等離子產生電路15轉化成高頻等離子電壓脈沖驅動信號,經驅動器驅動信號輸出2輸送到總體燈上。磁控體7將驅動器3產生的等離子高頻脈沖電壓信號轉化成高頻等離子磁信號,經導體8附加到磁控罩9上,產生并激發(fā)等離子體,耦合到氙氣球泡發(fā)光體11中。磁控罩9將從磁控體中的等離子高頻脈沖磁場產生等離子放電形成等離子體耦合到氙氣球泡發(fā)光體11上,引起氙氣球泡發(fā)光體11內的鹵化物電離,再激發(fā)氙氣體體放電發(fā)光,等離子場的作用下被激發(fā)放電并達到穩(wěn)定,這種方式解決了氙氣發(fā)電發(fā)光要求高壓激發(fā)的條件。
[0017]本發(fā)明的有益效果:低碳環(huán)保,氙氣球泡發(fā)光體的填充鹵化物質中不含汞等有害物質,因此不會對環(huán)境構成危害,無電極污染和能量損耗;由于等離子氙氣球泡發(fā)光體沒有電極,不存在電子碰撞電極濺射氧化等現象,在高溫下氙氣球泡發(fā)光體內部的鹵化物與氙氣球泡發(fā)光體的球泡玻璃也不會發(fā)生化學反應的現象,極大的增加了總燈的使用壽命,達到5萬小時以上;將HID氙氣燈發(fā)光源的效率提高50%以上,光效高平均流明可以達到138LM/W、光色好、光衰小良好的光維持率(燃點50000小時后光衰小于3%);光線可調在20%?100%之間實現連續(xù)調光、似太陽光連續(xù)光譜、較低紫外和紅外輻射、光譜連續(xù)性好;人體感覺更舒服自然、冷啟動較快,無需采用產生一個高壓電壓來進行啟動,并且也能進行快速熱啟動。
[0018]為了舉例說明本發(fā)明的實現,描述了上述的【具體實施方式】。但是本發(fā)明的其他變化和修改,對于本領域技術人員是顯而易見的,在本發(fā)明所公開的實質和基本原則范圍內的任何修改/變化或者仿效變換都屬于本發(fā)明的權利要求保護范圍。
【主權項】
1.一種等離子無極氙氣XLEP燈,包括與燈泡接口(6)相連的氙氣球泡發(fā)光體(11),其特征在于,固定在支架(10)上的氙氣球泡發(fā)光體(11)與等離子磁控體(7)相連,氙氣球泡發(fā)光體(11)的外圍設有一個一端固定在等離子磁控體(7)上的磁控罩(9),磁控罩(9)內部設置有連接在等離子磁控體(7)上的導體(8),磁控罩(9)外部設有固定連接在等離子磁控體(7)上的玻璃燈罩(12),等離子磁控體(7)與燈泡接口(6)相連。2.根據權利要求1所述的一種等離子無極氙氣燈,其特征在于,所述等離子無極氙氣還包括燈頭座(5)和高頻等離子驅動器(3),所述燈頭座(5)通過連接線(4)與所述高頻等離子驅動器(3)上的驅動信號輸出接口(2)相連。3.根據權利要求2所述的一種等離子無極氙氣燈,其特征在于,連接有電源輸入線(I)的高頻等離子驅動器(3)內部依次設置有電源輸入整流濾波電路(17)、校正電路(16)、高頻等離子產生電路(15)和功率控制CPU電路(14)。4.根據權利要求1所述的一種等離子無極氙氣燈,其特征在于,所述玻璃燈罩(12)的外表面鍍上一層透明的屏蔽金屬網(13)。5.根據權利要求1所述的一種等離子無極氙氣燈,其特征在于,所述玻璃燈罩(12)的內表面噴涂有三基色烯土熒光粉。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種長壽命等離子無極氙氣燈,包括通過燈泡接口(6)連接在燈頭座(5)上的發(fā)光體(11),固定在支架(10)上的發(fā)光體(11)與等離子磁控體(7)相連,發(fā)光體(11)的外圍設有一個磁控罩(9),磁控罩(9)內部設置有連接在等離子磁控體(7)上的導體(8),磁控罩(9)外部設有固定連接在等離子磁控體(7)上的玻璃燈罩(12),等離子磁控體(7)經燈頭座(5)與高頻等離子驅動器(3)相連,高頻等離子驅動器(3)內部依次設置有電源輸入整流濾波電路(17)、校正電路(16)、高頻等離子產生電路(15)和功率控制CPU電路(14)。本發(fā)明的有益效果:無污染、低能耗,壽命長,光效高、光色好,光線可調。
【IPC分類】H01J65/04, H01J61/35, H01J61/16
【公開號】CN105070641
【申請?zhí)枴緾N201510424453
【發(fā)明人】胡建國
【申請人】海寧市新時達光電有限公司
【公開日】2015年11月18日
【申請日】2015年7月20日
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