些氣體之中一種以上的混合氣體。而且，在步驟ST4中，為了使處理氣體激勵，從第一高頻電源36將高頻電力供給到基座16。此外，在步驟ST4中，可以根據(jù)需要，將來自第二高頻電源38的高頻偏壓電力供給到基座16。
[0049]在此，參照圖5。圖5是用于說明步驟ST4的原理的圖。在該圖中，由圓包圍的“ + ”表示正離子，由圓包圍的表示二次電子。對處理空間S供給處理氣體，從第一高頻電源36將高頻電力供給到基座16時，處理氣體被激勵，在處理空間S內(nèi)產(chǎn)生正離子。在處理空間S生成有正離子的狀態(tài)下對上部電極48施加負的直流電壓時，如圖5所示，正離子與上部電極48碰撞。由此，從上部電極48產(chǎn)生二次電子，該二次電子照射到晶片W上。二次電子照射到晶片W的表面時，構(gòu)成第一區(qū)域Rl的第一聚合物固化。另一方面，照射到比第一區(qū)域Rl凹陷的第二區(qū)域R2的二次電子的量變少或者不照射二次電子。這被推測是因為第二區(qū)域R2具有窄的寬度并凹陷，或者滯留在凹陷的第二區(qū)域R2的正離子的中和消耗二次電子，或者因該兩者的影響而導致的。該步驟ST4的結(jié)果是，第一區(qū)域Rl的固化與第二區(qū)域R2的固化相比被促進。
[0050]接著，如圖1所示，在方法MTl中，進行步驟ST5。在步驟ST5中，嵌段共聚物層BCL的第二區(qū)域R2進一步被蝕刻。一實施方式中，第二區(qū)域R2被蝕刻至基底層UL的表面。在利用等離子體處理裝置I實施步驟ST5的情況下，該步驟ST5與步驟ST3的蝕刻同樣進行。即，在步驟ST5中，從氣體供給源60將處理氣體供給到腔室10內(nèi)，利用排氣裝置76將腔室10內(nèi)的壓力減壓至設定值。另外，從第一高頻電源36將高頻電力供給至基座16。此外，在步驟ST5中，可以根據(jù)需要，將來自第二高頻電源38的高頻偏壓電力供給到基座16。在步驟S53中所使用的處理氣體為用于對包含第二聚合物的第二區(qū)域R2進行蝕刻的處理氣體，所以能夠包含氧。例如該處理氣體能夠包含O2氣體。另外，該處理氣體還可以包含Ar氣體等稀有氣體。
[0051]如上所述，步驟ST4的處理的結(jié)果是，與第二區(qū)域R2相比，第一區(qū)域Rl的固化進行。因而，在步驟ST5中，與步驟ST3相比，第二區(qū)域R2的蝕刻率高于第一區(qū)域Rl的蝕刻率。S卩，步驟ST4的處理的結(jié)果是，在步驟ST5中，有選擇地進行第二區(qū)域R2的蝕刻。該步驟ST5的結(jié)果，如圖2的(d)所示，第一區(qū)域Rl殘留在基底層UL上。由該第一區(qū)域Rl形成的圖案能夠用作用于對基底層UL進行蝕刻的掩模。
[0052]以下，列舉實施例對本發(fā)明進一步詳細說明，但是本發(fā)明不限于這些實施例。
[0053](實施例1和比較例I的制作)
[0054]首先，在晶片上形成包含PS作為第一聚合物、包含PMMA作為第二聚合物的嵌段共聚物層(步驟STl)。接著，以250°C的溫度對晶片進行加熱(步驟ST2)，使得第二聚合物形成圓柱狀的第二區(qū)域，第一聚合物包圍該第二區(qū)域而形成第一區(qū)域。接著，使用等離子體處理裝置I進行以下所示的處理條件的步驟ST3?ST5，而獲得實施例1的晶片。
[0055](步驟ST3的條件)
[0056]腔室10 內(nèi)壓力:75mT(1Pa)
[0057]第一高頻電源36的高頻電力:40MHz、100W
[0058]第二高頻電源的高頻偏壓電力:13MHz、OW
[0059]可變直流電源82的直流電壓:0V
[0060]處理氣體:50sccm的 02、850sccm 的 Ar
[0061]晶片溫度:30°C
[0062]處理時間:10秒
[0063](步驟ST4的條件)
[0064]腔室10 內(nèi)壓力:50mT(6.666Pa)
[0065]第一高頻電源36的高頻電力:40MHz、300W
[0066]第二高頻電源的高頻偏壓電力:13MHz、OW
[0067]可變直流電源82的直流電壓:-900V
[0068]處理氣體:150sccm的 H2、1200sccm 的 Ar、30sccm 的 CF4
[0069]晶片溫度:30°C
[0070]處理時間:20秒
[0071](步驟ST5的條件)
[0072]腔室10 內(nèi)壓力:75mT(1Pa)
[0073]第一高頻電源36的高頻電力:40MHz、100W
[0074]第二高頻電源的高頻偏壓電力:13MHz、OW
[0075]可變直流電源82的直流電壓:0V
[0076]處理氣體:50sccm的 02、850sccm 的 Ar
[0077]晶片溫度:30°C
[0078]處理時間:10秒
[0079]另外，為了比較例I的制作而進行了與實施例1的制作中的步驟STl和步驟ST2的處理條件同樣的處理條件的處理后，使用等離子體處理裝置I進行以下所示的處理條件的蝕刻，而獲得比較例I的晶片。
[0080](比較例I的制作的蝕刻條件)
[0081]腔室10 內(nèi)壓力:75mT(1Pa)
[0082]第一高頻電源36的高頻電力:40MHz、100W
[0083]第二高頻電源的高頻偏壓電力:13MHz、OW
[0084]可變直流電源82的直流電壓:0V
[0085]處理氣體:50sccm的 02、850sccm 的 Ar
[0086]晶片溫度:30°C
[0087]處理時間:20秒
[0088](實施例1和比較例I的評價)
[0089]拍攝實施例1的晶片和比較例I的晶片的截面和上表面的SEM照片。然后，如圖6的(a)所示，利用截面SEM照片，求出第一區(qū)域Rl的膜厚的處理前后的變化量、第二區(qū)域R2膜厚的處理前后的變化量，將這些變化量分別作為第一區(qū)域Rl的蝕刻量EA1、第二區(qū)域R2的蝕刻量EA2。然后，針對實施例1的晶片和比較例I的晶片分別計算出EA2/EA1。此外，EA2/EA1的數(shù)值大表示相對于第一區(qū)域Rl進一步有選擇地蝕刻第二區(qū)域R2。另外，如圖6的(b)所示，利用上表面的SEM照片，求出通過蝕刻第二區(qū)域R2而形成的開口的長徑Ma和短徑Mi，計算出Ma/Mi作為表示該開口的真圓度的參數(shù)。此外，Ma/Mi越靠近I表示開口越接近真圓。該評價的結(jié)果是，實施例1的EA2/EA1為13.8，實施例1的Ma/Mi為1.15。另一方面，比較例I的EA2/EA1為8.0，比較例I的Ma/Mi為1.21。根據(jù)以上的結(jié)果確認了，實施例1的制作所使用的方法MTl，與比較例I的制作所使用的方法、即不進行照射二次電子的步驟ST4的處理而蝕刻嵌段共聚物層的方法相比，能夠進一步有選擇地蝕刻第二區(qū)域R2，且能夠以第二區(qū)域R2的蝕刻后所形成的開口更加接近真圓的方式蝕刻該第二區(qū)域R2。
[0090](實施例2?3和比較例2的制作)
[0091]以與實施例1的制作中的處理條件相同的條件進行步驟STl?步驟ST5，獲得實施例2的晶片。另外，以與實施例2的制作中的處理條件僅步驟ST3的處理時間為5秒、步驟ST5的處理時間為15秒這方面不同的處理條件進行步驟STl?ST5，獲得實施例3的晶片。另外，以與實施例2的制作的步驟STl和步驟ST2的處理條件相同的處理條件獲得嵌段共聚物層后，進行以下所示的處理條件的固化處理和蝕刻，獲得比較例2的晶片。
[0092](比較例2的制作中的固化處理的條件)
[0093]腔室10 內(nèi)壓力:50mT(6.666Pa)
[0094]第一高頻電源36的高頻電力:40MHz、300W
[0095]第二高頻電源的高頻偏壓電力:13MHz、OW
[0096]可變直流電源82的直流電壓:-900V
[0097]處理氣體:150sccm的 H2、1200sccm 的 Ar、30sccm 的 CF4
[0098]晶片溫度:30°C
[0099]處理時間:20秒
[0100](比較例2的制作的蝕刻條件)
[0101]腔室10 內(nèi)壓力:75mT(1Pa)
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