有機電致發(fā)光器件的封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法、柔性顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及有機電致發(fā)光領(lǐng)域，特別是指一種有機電致發(fā)光器件的封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法、柔性顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]有機電致發(fā)光器件，又稱有機電致發(fā)光二極管(OLED)器件，是一種全新的顯示技術(shù)，其顯示質(zhì)量可與薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-1XD)相比擬，而價格遠(yuǎn)比其低廉。OLED因其發(fā)光亮度高、色彩豐富、低壓直流驅(qū)動、制備工藝簡單等在平板顯示中顯著的優(yōu)點，從而日益成為國際研究的熱點。在不到20年的時間內(nèi)，OLED已經(jīng)由研究進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化階段。
[0003]OLED器件一般采用剛性的玻璃基板或者柔性的聚合物基板作為載體，通過沉積透明陽極、金屬陰極以及夾在二者之間的兩層以上有機發(fā)光層構(gòu)成。這些有機發(fā)光層一般包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層等。OLED器件對氧和水汽非常敏感，如果氧和水汽滲入OLED器件內(nèi)部會引起諸如黑點、針孔、電極氧化、有機材料化學(xué)反應(yīng)等不良，從而嚴(yán)重影響OLED器件壽命。因此，封裝技術(shù)是實現(xiàn)OLED產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵之一。
[0004]目前，柔性O(shè)LED器件通常采用薄膜封裝(Thin Film Encapsulat1n)方法，基于真空鍍膜工藝制備有機薄膜和無機薄膜，并利用交替的多個有機薄膜和多個無機薄膜來形成薄膜封裝層。其中，無機薄膜具有較高的致密性，是主要的水氧阻隔層，但是無機薄膜的彈性較低，內(nèi)應(yīng)力大，比較容易受外力作用產(chǎn)生裂縫或者同OLED器件剝離，因此要搭配有機薄膜作為緩沖層，有機薄膜因具有較高的彈性可以有效地抑制無機薄膜開裂。但是在采用掩膜板(mask)進(jìn)行真空鍍膜時，常常發(fā)生mask shadow(掩模陰影)現(xiàn)象，如圖1所示，導(dǎo)致邊緣的薄膜封裝層的厚度遠(yuǎn)低于其它區(qū)域薄膜封裝層的厚度，使得水汽很容易從邊緣進(jìn)入；同時，薄膜封裝層表面的不完全致密性，使得水汽在薄膜封裝層表面吸附，因此，局部區(qū)域的濃度梯度會使水汽加速進(jìn)入，使得OLED器件壽命降低。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種有機電致發(fā)光器件的封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法、柔性顯示裝置，能夠有效提高封裝結(jié)構(gòu)的阻水能力，從而有效延長柔性O(shè)LED器件的壽命。
[0006]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的實施例提供技術(shù)方案如下:
[0007]—方面，提供一種有機電致發(fā)光器件的封裝結(jié)構(gòu)，包括:
[0008]用于承托所述有機電致發(fā)光器件的柔性基板；
[0009]位于所述柔性基板上的所述有機電致發(fā)光器件；
[0010]覆蓋所述有機電致發(fā)光器件的薄膜封裝層，所述薄膜封裝層由多個交替的第一無機薄膜和有機聚合物薄膜組成；
[0011]覆蓋所述薄膜封裝層的納米線結(jié)構(gòu)的第二無機薄膜。
[0012]進(jìn)一步地，所述第二無機薄膜的厚度為100-200nm，組成所述第二無機薄膜的納米線的直徑為50-200nm。
[0013]進(jìn)一步地，所述封裝結(jié)構(gòu)還包括:
[0014]覆蓋所述第二無機薄膜的阻擋層。
[0015]進(jìn)一步地，所述第二無機薄膜的材料選自A1203、Ti02、ZnO、Zr02、MgO、Hf02、Ta205、Si3N4' AIN、SiNx、SiNO、S1、Si02、S1x、SiC 和 ITO0
[0016]本發(fā)明實施例還提供了一種柔性顯示裝置，包括如上所述的有機電致發(fā)光器件的封裝結(jié)構(gòu)。
[0017]本發(fā)明實施例還提供了一種有機電致發(fā)光器件的封裝方法，包括:
[0018]提供一第一硬質(zhì)基板，并在所述第一硬質(zhì)基板上形成柔性基板；
[0019]在所述柔性基板上制備所述有機電致發(fā)光器件；
[0020]形成覆蓋所述有機電致發(fā)光器件的薄膜封裝層，所述薄膜封裝層由多個交替的第一無機薄膜和有機薄膜組成；
[0021]形成覆蓋所述薄膜封裝層的納米線結(jié)構(gòu)的第二無機薄膜。
[0022]進(jìn)一步地，所述形成覆蓋所述薄膜封裝層的納米線結(jié)構(gòu)的第二無機薄膜包括:
[0023]以納米孔結(jié)構(gòu)的金屬網(wǎng)板為掩膜，在所述薄膜封裝層上沉積一層無機材料形成所述第二無機薄膜。
[0024]進(jìn)一步地，所述納米孔結(jié)構(gòu)的金屬網(wǎng)板由多個納米孔組成，納米孔之間的距離為20-30nm，納米孔的內(nèi)徑為50_200nm，納米孔的長度為100_200nm。
[0025]進(jìn)一步地，所述形成覆蓋所述薄膜封裝層的納米線結(jié)構(gòu)的第二無機薄膜包括:
[0026]采用化學(xué)氣相沉積在所述薄膜封裝層上沉積一層具有自組裝生長特性的無機材料，形成所述第二無機薄膜。
[0027]進(jìn)一步地，所述方法還包括:
[0028]提供一第二硬質(zhì)基板，在所述第二硬質(zhì)基板上形成熱失效膠層；
[0029]在所述熱失效膠層上形成阻擋層；
[0030]所述形成覆蓋所述薄膜封裝層的納米線結(jié)構(gòu)的第二無機薄膜之后還包括:
[0031]將形成有所述第二無機薄膜的第一硬質(zhì)基板與形成有所述阻擋層的第二硬質(zhì)基板進(jìn)行對合；
[0032]對熱失效膠層進(jìn)行加熱，去除所述第二硬質(zhì)基板。
[0033]本發(fā)明的實施例具有以下有益效果:
[0034]上述方案中，在覆蓋有機電致發(fā)光器件的薄膜封裝層上制備納米線結(jié)構(gòu)的無機薄膜，由于納米線的結(jié)構(gòu)特性，水汽很難通過納米線結(jié)構(gòu)，使得納米線結(jié)構(gòu)的無機薄膜具有較強的疏水能力，從而有效地提高了封裝結(jié)構(gòu)的阻水特性，將該納米線結(jié)構(gòu)的無機薄膜應(yīng)用于OLED器件的封裝中，能夠有效延長OLED器件的壽命，并有利于提高OLED器件在保存和使用過程中的可靠性。
【附圖說明】
[0035]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中有機電致發(fā)光器件的封裝結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0036]圖2為本發(fā)明實施例形成薄膜封裝層的示意圖；
[0037]圖3為本發(fā)明實施例有機電致發(fā)光器件的封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0038]附圖標(biāo)記
[0039]1、8硬質(zhì)基板 2柔性基板30LED器件
[0040]4交替的無機薄膜和有機薄膜5納米線結(jié)構(gòu)的無機薄膜
[0041]6阻擋層7熱失效膠層 9水汽
[0042]10納米孔結(jié)構(gòu)的金屬網(wǎng)板
【具體實施方式】
[0043]為使本發(fā)明的實施例要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實施例進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0044]本發(fā)明的實施例針對現(xiàn)有的薄膜封裝技術(shù)對水氧的阻隔能力較差，影響OLED器件壽命的問題，提供一種有機電致發(fā)光器件的封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法、柔性顯示裝置，能夠有效提高薄膜封裝層的水氧阻隔能力，從而有效延長OLED器件的壽命。
[0045]實施例一
[0046]本實施例提供一種有機電致發(fā)光器件的封裝結(jié)構(gòu)，包括:
[0047]用于承托所述有機電致發(fā)光器件的柔性基板；
[0048]位于所述柔性基板上的所述有機電致發(fā)光器件；
[0049]覆蓋所述有機電致發(fā)光器件的薄膜封裝層，所述薄膜封裝層由多個交替的第一無機薄膜和有機聚合物薄膜組成；
[0050]覆蓋所述薄膜封裝層的納米線結(jié)構(gòu)的第二無機薄膜。
[0051]本實施例中，在覆蓋有機電致發(fā)光器件的薄膜封裝層上制備納米線結(jié)構(gòu)的無機薄膜，由于納米線的結(jié)構(gòu)特性，水汽很難通過納米線結(jié)構(gòu)，使得納米線結(jié)構(gòu)的無機薄膜具有較強的疏水能力，從而有效地提高了封裝結(jié)構(gòu)的阻水特性，將該納米線結(jié)構(gòu)的無機薄膜應(yīng)用于OLED器件的封裝中，能夠有效延長OLED器件的壽命，并有利于提高OLED器件在保存和使用過程中的可靠性。
[0052]進(jìn)一步地，所述第二無機薄膜的厚度為100_200nm，組成所述第二無機薄膜的納米線的直徑為50-200nm，這樣能夠使得第二無機薄膜有效地阻止水汽進(jìn)入。
[0053]進(jìn)一步地，所述封裝結(jié)構(gòu)還包括:
[0054]覆蓋所述第二無機薄膜的阻擋層，能夠進(jìn)一步提高封裝結(jié)構(gòu)的水氧阻隔能力。
[0055]進(jìn)一步地，所述第二無機薄膜的材料可以選自A1203、Ti02、ZnO、Zr02、MgO、HfO2、Ta2O5' Si3N4' AIN、SiNx、SiNO、S1、Si02、S1x、SiC 和 ITO0
[0056]實施例二
[0057]本實施例還提供了一種柔性顯示裝置，包括如上所述的OLED器件的封裝結(jié)構(gòu)。其中，OLED器件的封裝結(jié)構(gòu)同上述實施例，在此不再贅述。另外，柔性顯示裝置其他部分的結(jié)構(gòu)可以參考現(xiàn)有技術(shù)，對此本文不再詳細(xì)描述。該柔性顯示裝置可以為:電子紙、電視、顯示器、數(shù)碼相框、手機、平板電腦等具有任何顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0058]該柔性顯示裝置在覆蓋有機電致發(fā)光器件的薄膜封裝層上制備納米線結(jié)構(gòu)的無機薄膜，由于納米線的結(jié)構(gòu)特性，水汽很難通過納米線結(jié)構(gòu)，使得納米線結(jié)構(gòu)的無機薄膜具有較強的疏水能力，從而有效地提高了封裝結(jié)構(gòu)的阻水特性，將該納米線結(jié)構(gòu)的無機薄膜應(yīng)用于OLED器件的封裝中，能夠有效延長OLED器件的壽命，并有利于提高OLED器件在保存和使用過程中的可靠性。
[0059]實施例三
[0060]本實施例還提供了一種有機電致發(fā)光器件的封裝方法，包括:
[0061]提供一第一硬質(zhì)基板，并在所述第一硬質(zhì)基板上形成柔性基板；
[0062]在所述柔性基板上制備所述有機電致發(fā)光器件；
[0063]形成覆蓋所述有機電致發(fā)光器件的薄膜封裝層，所述薄膜封裝層由多個交替的第一無機薄膜和有機薄膜組成；
[0064]形成覆蓋所述薄膜封裝層的納米線結(jié)構(gòu)的第二無機薄膜。
[0065]本實施例在覆蓋有機電致發(fā)光器件的薄膜封裝層上制備納米線結(jié)構(gòu)的無機薄膜，由于納米線的結(jié)構(gòu)特性，水汽很難通過納米線結(jié)構(gòu)，使得納米線結(jié)構(gòu)的無機薄膜具有較強的疏水能力，從而有效地提高了封裝結(jié)構(gòu)的阻水特性，將該納米線結(jié)構(gòu)的無機薄膜應(yīng)用于OLED器件的封裝中，能夠有效延長OLED器件的壽命，并有利于提高OLED器件在保存和使用過程中的可靠性。
[0066]進(jìn)一步地，所述形成覆蓋所述薄膜封裝層的納米線結(jié)構(gòu)的第二無機薄膜包括:
[0067]以納米孔結(jié)構(gòu)的金屬網(wǎng)板為掩膜，在所述薄膜封裝層上沉積一層無機材料形成所述第二無機薄膜。
[0068]進(jìn)一步地，所述納米孔結(jié)構(gòu)的金屬網(wǎng)板由多個納米孔組成，納米孔之間的距離為20-30nm，納米孔的內(nèi)徑為50_200nm，納米孔的長度為100_200nm。采用該種尺寸的金屬網(wǎng)板，能夠形成的第二無機薄膜的厚度為100-200nm，第二無機薄膜的納米線的直徑為50-200nm，這樣能夠使得第二無機薄膜有效地阻止水汽進(jìn)入。
[0069]進(jìn)一步地，所述形成覆蓋所述薄膜封裝層的納米線結(jié)構(gòu)的第二無機薄膜還包括:
[0070]采用化學(xué)氣相沉積在所述薄膜封裝層上沉積一層具有自組裝生長特性的無機材料，形成所述第二無機薄膜。具體地，具有自組裝生長特性的無機材料可以為