開(kāi)口 111和第二組焊窗開(kāi)口 112與芯片單元上端的距離均為X等于第三組焊窗開(kāi)口 113和第四組焊窗開(kāi)口 114與芯片單元下端的距離均為I。
[0043]結(jié)合圖2所示，本實(shí)施例中相鄰的芯片單元之間形成有若干切割道，包括若干橫向方向的第一切割道21和若干縱向方向的第二切割道22，相鄰芯片單元上的焊窗開(kāi)口沿第一切割道21或第二切割道22對(duì)稱(chēng)分布。
[0044]本實(shí)施例中晶圓上芯片單兀包括兩種布局結(jié)構(gòu)，包括第一布局結(jié)構(gòu)和第二布局結(jié)構(gòu)，其中第二布局結(jié)構(gòu)通過(guò)第一布局結(jié)構(gòu)沿中心順時(shí)針或逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)180°獲得，第一布局結(jié)構(gòu)為圖3a中的布局結(jié)構(gòu)。參圖2所示，該圖中第一排和第三排的芯片單元均為第一布局結(jié)構(gòu)，而第二排和第四排的芯片單元均為第二布局結(jié)構(gòu)。
[0045]結(jié)合圖5所示，以四個(gè)芯片單元為例，第一芯片單元101、第二芯片單元102、第三芯片單元103和第四芯片單元104上分別分布有第一組焊窗開(kāi)口 111、第二組焊窗開(kāi)口112、第三組焊窗開(kāi)口 113及第四組焊窗開(kāi)口 114。
[0046]本實(shí)施例中相鄰芯片單元上的焊窗開(kāi)口分別對(duì)稱(chēng)分布，其中，相鄰芯片單元為橫向相鄰或縱向相鄰，包括第一芯片單元101和第二芯片單元102、第三芯片單元103和第四芯片單元104、第一芯片單元101和第三芯片單元103、以及第二芯片單元102和第四芯片單元104。第一芯片單元101上的第二組焊窗開(kāi)口 112和第四組焊窗開(kāi)口 114分別與第二芯片單元102上的第一組焊窗開(kāi)口 111和第三組焊窗開(kāi)口 113沿第一切割道21對(duì)稱(chēng)分布；第三芯片單元103上的第三組焊窗開(kāi)口 113和第一組焊窗開(kāi)口 111分別與第四芯片單元104上的第四組焊窗開(kāi)口 114和第二組焊窗開(kāi)口 112沿第一切割道21對(duì)稱(chēng)分布；第一芯片單元101上的第三組焊窗開(kāi)口 113和第四組焊窗開(kāi)口 114分別與第三芯片單元103上的第四組焊窗開(kāi)口 114和第三組焊窗開(kāi)口 113沿第二切割道22對(duì)稱(chēng)分布，第二芯片單元102上的第三組焊窗開(kāi)口 113和第四組焊窗開(kāi)口 114分別與第四芯片單元104上的第四組焊窗開(kāi)口 114和第三組焊窗開(kāi)口 113沿第二切割道22對(duì)稱(chēng)分布。
[0047]進(jìn)一步地，在本實(shí)施例中橫向方向和縱向方向上相鄰芯片單元的距離均相同，切割道分別位于相鄰芯片單元的中間位置。
[0048]本實(shí)施例中的晶圓級(jí)芯片TSV封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法，包括:
提供一晶圓；
在晶圓上制備TSV封裝結(jié)構(gòu)，該TSV封裝結(jié)構(gòu)包括若干陣列排布的芯片單元，芯片單元上設(shè)有若干TSV結(jié)構(gòu)，相鄰的芯片單元之間形成有若干切割道，芯片單元包括相對(duì)的第一表面和第二表面，第一表面的四周設(shè)有若干與TSV結(jié)構(gòu)相連的焊窗開(kāi)口，焊窗開(kāi)口的分布如上所述；
將TSV封裝結(jié)構(gòu)沿切割道進(jìn)行切割，得到若干單顆晶圓級(jí)芯片。
[0049]通過(guò)上述焊窗開(kāi)口的布局設(shè)計(jì)，沿著第一切割道21和第二切割道22的兩側(cè)焊窗開(kāi)口完全對(duì)稱(chēng)，因此，在切割時(shí)兩邊芯片單元的表面應(yīng)力完全相同，避免了現(xiàn)有技術(shù)中切割時(shí)因表面應(yīng)力不同造成的芯片碎裂的問(wèn)題，能夠有效提高芯片的良品率。
[0050]實(shí)施例二:
在本實(shí)施例中晶圓上芯片單元的布局與實(shí)施例一完全相同，而不同的是:參圖6所示，第一組焊窗開(kāi)口 111和第二組焊窗開(kāi)口 112與芯片單元上端的距離X小于第三組焊窗開(kāi)口113和第四組焊窗開(kāi)口 114與芯片單元下端的距離y。
[0051]由于第三組焊窗開(kāi)口 113和第四組焊窗開(kāi)口 114包括4個(gè)焊窗開(kāi)口，而第一組焊窗開(kāi)口 111和第二組焊窗開(kāi)口 112僅包括2個(gè)焊窗開(kāi)口，在切割時(shí)第三組焊窗開(kāi)口 113和第四組焊窗開(kāi)口 114處的晶圓更容易碎裂，因此將第三組焊窗開(kāi)口 113和第四組焊窗開(kāi)口114與芯片單元下端的距離y適當(dāng)增大，切割時(shí)第三組焊窗開(kāi)口 113和第四組焊窗開(kāi)口 114與切割道距尚$父遠(yuǎn)，可以減小切割時(shí)的表面應(yīng)力，提尚芯片的良品率。
[0052]在其他實(shí)施方式中，焊窗開(kāi)口也可以為其他形狀，而由于上下兩部分焊窗為非對(duì)稱(chēng)設(shè)計(jì)，將表面應(yīng)力較大的一側(cè)焊窗開(kāi)口離芯片單元的端部距離適當(dāng)增大即可。
[0053]實(shí)施例三:
在本實(shí)施例中晶圓上芯片單元的布局與實(shí)施例一完全相同，而不同的是:參圖7a、7b并結(jié)合圖3a所示，芯片單元與其兩側(cè)的兩條第一切割道的距離不同，即縱向方向上相鄰的芯片單元之間的距離部分不相同，包括第一距離和第二距離，第三焊窗窗口 113和第四焊窗窗口 114相鄰的芯片單元之間的距離為第一距離，第一焊窗窗口 111和第二焊窗窗口 112相鄰的芯片單元之間的距離為第二距離，該第一距離大于第二距離。
[0054]由于第三組焊窗開(kāi)口 113和第四組焊窗開(kāi)口 114包括4個(gè)焊窗開(kāi)口，而第一組焊窗開(kāi)口 111和第二組焊窗開(kāi)口 112僅包括2個(gè)焊窗開(kāi)口，而焊窗窗口離芯片單元上端和下端的距離相同，在切割時(shí)第三組焊窗開(kāi)口 113和第四組焊窗開(kāi)口 114處的晶圓更容易碎裂，因此將其相鄰的芯片單元之間的距離增大，切割時(shí)第三組焊窗開(kāi)口 113和第四組焊窗開(kāi)口114與切割道距離較遠(yuǎn)，可以減小切割時(shí)的表面應(yīng)力，提高芯片的良品率。
[0055]在其他實(shí)施方式中，焊窗開(kāi)口也可以為其他形狀，而由于上下兩部分焊窗為非對(duì)稱(chēng)設(shè)計(jì)，將表面應(yīng)力較大的一側(cè)芯片單元之間的距離適當(dāng)增大即可。
[0056]本實(shí)施例中是將縱向方向上相鄰的芯片單元之間的距離分別設(shè)計(jì)，而橫向方向上相鄰的芯片單元之間距離相等，在其他實(shí)施方式中，也可以將橫向方向上相鄰的芯片單元之間距離分別設(shè)計(jì)，以進(jìn)一步提高切割效果。
[0057]由以上技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明中相鄰芯片單元上的焊窗開(kāi)口沿切割道對(duì)稱(chēng)分布，在切割時(shí)相鄰芯片單元上所受到的表面應(yīng)力相同，能夠避免受力不均而導(dǎo)致的芯片碎裂，提尚了封裝效率和芯片的良品率。
[0058]對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，顯然本發(fā)明不限于上述示范性實(shí)施例的細(xì)節(jié)，而且在不背離本發(fā)明的精神或基本特征的情況下，能夠以其他的具體形式實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。因此，無(wú)論從哪一點(diǎn)來(lái)看，均應(yīng)將實(shí)施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求而不是上述說(shuō)明限定，因此旨在將落在權(quán)利要求的等同要件的含義和范圍內(nèi)的所有變化囊括在本發(fā)明內(nèi)。不應(yīng)將權(quán)利要求中的任何附圖標(biāo)記視為限制所涉及的權(quán)利要求。
[0059]此外，應(yīng)當(dāng)理解，雖然本說(shuō)明書(shū)按照實(shí)施方式加以描述，但并非每個(gè)實(shí)施方式僅包含一個(gè)獨(dú)立的技術(shù)方案，說(shuō)明書(shū)的這種敘述方式僅僅是為清楚起見(jiàn)，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)將說(shuō)明書(shū)作為一個(gè)整體，各實(shí)施例中的技術(shù)方案也可以經(jīng)適當(dāng)組合，形成本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的其他實(shí)施方式。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種晶圓級(jí)芯片TSV封裝結(jié)構(gòu)，包括若干陣列排布的芯片單元，芯片單元上設(shè)有若干TSV結(jié)構(gòu)，相鄰的芯片單元之間形成有若干切割道，其特征在于，所述芯片單元包括相對(duì)的第一表面和第二表面，第一表面的四周設(shè)有若干與TSV結(jié)構(gòu)相連的焊窗開(kāi)口，同一個(gè)芯片單元內(nèi)焊窗開(kāi)口的分布有且僅有一條對(duì)稱(chēng)軸，相鄰芯片單元上的焊窗開(kāi)口沿位于相鄰芯片單元之間的切割道對(duì)稱(chēng)分布。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓級(jí)芯片TSV封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述切割道包括若干相互垂直的第一切割道和第二切割道，與第一切割道相鄰的芯片單元上的焊窗開(kāi)口沿該第一切割道對(duì)稱(chēng)分布，與第二切割道相鄰的芯片單元上的焊窗開(kāi)口沿該第二切割道對(duì)稱(chēng)分布。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓級(jí)芯片TSV封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述芯片單元與位于該芯片單元兩側(cè)的兩條第一切割道的距離相同或不同，所述芯片單元與位于該芯片單元兩側(cè)的兩條第二切割道的距離相同或不同。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶圓級(jí)芯片TSV封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述芯片單元與位于該芯片單元兩側(cè)的第一切割道和第二切割道的距離相同或不同。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓級(jí)芯片TSV封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述芯片單元的第二表面上設(shè)有若干與TSV結(jié)構(gòu)相連的焊盤(pán)，所述焊盤(pán)陣列排布于第二表面中間位置，焊盤(pán)和焊窗開(kāi)口通過(guò)重布線電性導(dǎo)通。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶圓級(jí)芯片TSV封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述TSV結(jié)構(gòu)包括貫穿第一表面和第二表面的通孔、以及在第二表面上開(kāi)設(shè)的開(kāi)槽。7.—種晶圓級(jí)芯片TSV封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法，其特征在于，所述封裝方法包括: 提供一晶圓； 在晶圓上制備TSV封裝結(jié)構(gòu)，該TSV封裝結(jié)構(gòu)包括若干陣列排布的芯片單元，芯片單元上設(shè)有若干TSV結(jié)構(gòu)，相鄰的芯片單元之間形成有若干切割道，所述芯片單元包括相對(duì)的第一表面和第二表面，第一表面的四周設(shè)有若干與TSV結(jié)構(gòu)相連的焊窗開(kāi)口，同一個(gè)芯片單元內(nèi)焊窗開(kāi)口的分布有且僅有一條對(duì)稱(chēng)軸，相鄰芯片單元上的焊窗開(kāi)口沿位于相鄰芯片單元之間的切割道對(duì)稱(chēng)分布； 將TSV封裝結(jié)構(gòu)沿所述切割道進(jìn)行切割，得到若干單顆晶圓級(jí)芯片。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的封裝方法，其特征在于，所述切割道包括相互垂直的第一切割道和第二切割道，與第一切割道相鄰的芯片單元上的焊窗開(kāi)口沿第一切割道對(duì)稱(chēng)分布，與第二切割道相鄰的芯片單元上的焊窗開(kāi)口沿第二切割道對(duì)稱(chēng)分布。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的封裝方法，其特征在于，所述芯片單元與位于該芯片單元兩側(cè)的兩條第一切割道的距離相同或不同，所述芯片單元與位于該芯片單元兩側(cè)的兩條第二切割道的距離相同或不同。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的封裝方法，其特征在于，所述芯片單元與位于該芯片單元兩側(cè)的第一切割道和第二切割道的距離相同或不同。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種晶圓級(jí)芯片TSV封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法，該封裝結(jié)構(gòu)包括若干陣列排布的芯片單元，芯片單元上設(shè)有若干TSV結(jié)構(gòu)，相鄰的芯片單元之間形成有若干切割道，所述芯片單元包括相對(duì)的第一表面和第二表面，第一表面的四周設(shè)有若干與TSV結(jié)構(gòu)相連的焊窗開(kāi)口，同一個(gè)芯片單元內(nèi)焊窗開(kāi)口的分布有且僅有一條對(duì)稱(chēng)軸，相鄰芯片單元上的焊窗開(kāi)口沿位于相鄰芯片單元之間的切割道對(duì)稱(chēng)分布。本發(fā)明中相鄰芯片單元上的焊窗開(kāi)口沿切割道對(duì)稱(chēng)分布，在切割時(shí)相鄰芯片單元上所受到的表面應(yīng)力相同，能夠避免受力不均而導(dǎo)致的芯片碎裂，提高了封裝效率和芯片的良品率。
【IPC分類(lèi)】H01L21/768, H01L23/48
【公開(kāi)號(hào)】CN105047628
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510305840
【發(fā)明人】蔣舟, 李揚(yáng)淵
【申請(qǐng)人】蘇州邁瑞微電子有限公司
【公開(kāi)日】2015年11月11日
【申請(qǐng)日】2015年6月5日