外，不減少臂的數(shù)目，因而與具有相同數(shù)目的臂的基座支撐部相比，支撐基座的力未劣化。
[0052]此外，為進一步降低對加熱基座的影響，較佳將基座軸110的第一臂113的寬度設(shè)定為等于或小于通孔116的直徑。
[0053]具體而言，較佳將基座軸110的第一臂113的寬度設(shè)定為等于或大于3.0mm并小于6.3_。此設(shè)定的原因是:當寬度小于3.0mm時，存在基座無法被充分支撐的問題，而當寬度等于或大于6.3mm時，存在對加熱基座的影響可能增大的問題。
[0054]類似地，較佳將基座軸110的第三臂115的寬度設(shè)定為小于基座軸110的第二臂114的寬度。
[0055]類似地，較佳將基座軸110的第三臂115的寬度設(shè)定為等于或小于基座軸110的通孔116的直徑。
[0056]此外，如圖3中所示，為進一步降低對加熱基座的影響，較佳將基板升降部120的第二臂124的寬度設(shè)定為小于基板升降部120的第一臂123的寬度。
[0057]具體而言，較佳將基板升降部120的第二臂124的寬度設(shè)定為等于或大于2.0mm且小于4.8_。此設(shè)定的原因是:當寬度小于2.0mm時，存在升降銷無法被充分支撐的問題，而當寬度等于或大于4.8mm時，存在對加熱基座的影響可能增大的問題。
[0058]此外，可將基板升降部120的第二臂124的寬度設(shè)定為與基座軸110的第一臂113的寬度相同。
[0059]此外，如圖2中所示，基座軸110較佳在支撐柱111與第一臂113之間在支撐柱側(cè)面上包括臂117以用于將這些構(gòu)件彼此耦接，及較佳將支撐柱側(cè)面上的臂117的寬度設(shè)定為大于基座軸110的第一臂113的寬度。此設(shè)定的原因是加強了基座軸110的支撐柱111與基座軸110的臂112的耦接。
[0060]此外，基座軸110及基板升降部120較佳由透明石英形成。這是因為來自加熱設(shè)備210的輻射熱能充分地傳輸至基座20。
[0061]再者，亦可在基座軸110的支撐柱111的上部上提供用于增大支撐基座20的力的帽。
[0062]同時，在附圖中，將臂的數(shù)目設(shè)定為三，但所述數(shù)目可依需要而增加。
[0063]隨后，將參考附圖描述根據(jù)本發(fā)明的外延生長設(shè)備的實施方式。
[0064]如圖1中所示，作為一實例，根據(jù)本發(fā)明的外延生長設(shè)備200在放置于具有通孔10的基座20上的半導(dǎo)體晶片W的表面上形成外延膜。
[0065]外延生長設(shè)備200包括反應(yīng)腔室2。反應(yīng)腔室2由在其上放置有基板W的基座20、側(cè)壁部4及頂板部5構(gòu)成。
[0066]基座20是板狀構(gòu)件，從頂表面看時基座20為圓形，且基座20被配置成略大于基板W。基座20提供有用于基板的凹部3a以用于放置基板W。基座20由具有多個臂的基座支撐部100支撐。
[0067]基座20被配置以使得環(huán)形基座環(huán)7被設(shè)置在膜形成位置Pl處的基座的周邊?；h(huán)7由反應(yīng)腔室2的側(cè)壁部4中提供的凸緣部13支撐。
[0068]頂板部5由頂板21及支撐頂板21的支撐部22組成。頂板21具有滲透性，且被配置以能夠通過傳遞來自在頂板21的外部上方提供的加熱裝置210(例如鹵素燈)及上反射體26的熱來加熱反應(yīng)腔室2的內(nèi)部。換言之，本實施方式中的外延生長設(shè)備200是冷壁類型的外延生長設(shè)備。在本實施方式中，將石英用作頂板21。
[0069]支撐頂板21的支撐部22為環(huán)形。頂板21被固定至基板W側(cè)的通孔24的端部，頂板21被定位成比支撐部22的內(nèi)邊緣更靠內(nèi)。固定方法包括焊接。
[0070]側(cè)壁部4由環(huán)形的上側(cè)壁部31及環(huán)形的下側(cè)壁部32組成。上述凸緣部13被提供在下側(cè)壁部32的內(nèi)圓周側(cè)上。支撐部22設(shè)置在上側(cè)壁部31上。
[0071]下側(cè)壁部32的第一凹部34與上側(cè)壁部31的第一凸部36之間的間隙35充當反應(yīng)氣體供給通道41 (供給通道)。
[0072]類似地，下側(cè)壁部32的第一凹部37與上側(cè)壁部31的第一凸部39之間的間隙38充當排氣通道42。
[0073]以此方式，反應(yīng)氣體供給通道41與排氣通道42在反應(yīng)腔室2中彼此相面對，且反應(yīng)氣體在反應(yīng)腔室2中在基板W上沿水平方向流動。
[0074]側(cè)壁部4的下側(cè)壁部32的下表面?zhèn)忍峁┯协h(huán)形放置臺45，且側(cè)壁部4放置于放置臺45上。
[0075]頂板部5、側(cè)壁部4及放置臺45的外圓周側(cè)上提供有環(huán)形夾持部51，且環(huán)形夾持部51夾持并支撐頂板部5、側(cè)壁部4及放置臺45。夾持部51在供給側(cè)提供有連通通道52及在排放側(cè)提供有連通通道53，連通通道52與反應(yīng)氣體供給通道41連通，連通通道53與排氣通道42連通。氣體引入管55被插入到供給側(cè)的連通通道52。此外，排氣管58被插入到排放側(cè)的連通通道53。
[0076]夾持部51的外側(cè)提供有反應(yīng)氣體引入部54，且反應(yīng)氣體引入部54與供給側(cè)的連通通道52彼此連通。在本實施方式中，從反應(yīng)氣體引入部54引入第一原料氣體及第二原料氣體。同時，第二原料氣體亦充當載氣。亦可使用通過混合三種或更多種氣體所獲得的氣體作為反應(yīng)氣體。供給側(cè)的連通通道52與反應(yīng)氣體引入部54之間的連接部提供有流矯直板56以便垂直于氣體通道。流矯直板53提供有沿圓周方向排列在較低位置的多個孔部56a，且反應(yīng)氣體穿過孔部56a。因此，第一原料氣體與第二原料氣體被混合并矯直。此外，夾持部51的外側(cè)進一步提供有排氣部57。在與反應(yīng)氣體引入部54相面對的位置處配備有排氣部57，其中反應(yīng)腔室2的中心設(shè)置在反應(yīng)氣體引入部54與排氣部57之間。排氣部57與排氣側(cè)的連通通道53相互連通。換言之，反應(yīng)氣體引入部54通過供給側(cè)的連通通道52連接至反應(yīng)氣體供給通道41。此外，排氣部57通過排氣側(cè)的連通通道53連接至排氣通道42。排氣通道42被提供以便與反應(yīng)氣體供給通道41相面對，其中反應(yīng)腔室2的中心設(shè)置在排氣通道42與反應(yīng)氣體供給通道41之間。
[0077]此外，放置臺45的內(nèi)圓周側(cè)的下部上提供有設(shè)備的底部61。設(shè)備的底部61的外部提供有另一加熱裝置62及下反射體65，加熱裝置62及下反射體65可從下方加熱基板Wo基座支撐部100的柄63被插入設(shè)備的底部61的中心，且在柄63中提供凈化氣體引入部(未圖示)，凈化氣體被引入所述凈化氣體引入部。從凈化氣體引入部中提供的凈化氣體引入裝置(未圖示)將凈化氣體引入到反應(yīng)腔室的下部64，下部64由設(shè)備的底部61、下側(cè)壁部32及放置臺45組成。
[0078]上文描述了從下方支撐基座20的基座支撐部100。
[0079]將參考圖5、圖6及圖7詳細描述根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式的外延生長設(shè)備200的配置。圖5是圖示外延生長設(shè)備200整體的截面視圖。此外，圖6是圖示根據(jù)外延生長設(shè)備200的反應(yīng)腔室2的配置的分解透視圖，及圖7是圖示根據(jù)外延生長設(shè)備200的反應(yīng)腔室2的外部配置的分解透視圖。
[0080]外延生長設(shè)備200是用于在基板W上外延生長諸如例如硅之類的膜的膜形成設(shè)備。
[0081]外延生長設(shè)備200包括反應(yīng)腔室2。反應(yīng)腔室2由放置基板W的基座20、側(cè)壁部4及頂板部5組成。
[0082]基座20是板狀構(gòu)件，從頂表面看時基座20為圓形，且基座20被配置成略大于基板W。基座20提供有用于基板的凹部3a以用于放置基板W?；?0由具有多個臂的基座支撐部100支撐。
[0083]基座支撐部100在支撐基座20的同時升高基座20。其上放置有基板W的基座20的表面的升高范圍是從膜形成位置Pl至基板運送位置P2的范圍，在Pl處在基板W上實施膜形成，基板W在基板運送位置P2處被移送出入外延生長設(shè)備200?；尾?00被配置以使用基座支撐部100的軸作為旋轉(zhuǎn)中心而在膜形成位置Pl處旋轉(zhuǎn)，從而容許基座20及基板W旋轉(zhuǎn)。
[0084]基座20被配置以使得環(huán)形基座環(huán)7被設(shè)置在膜形成位置Pl處的基座周邊?；h(huán)7由第一環(huán)11及放置于第一環(huán)11上的第二環(huán)12構(gòu)成，基座環(huán)7的細節(jié)將描述于后?；h(huán)7由反應(yīng)腔室2的側(cè)壁部4中提供的凸緣部13支撐。
[0085]頂板部5由頂板21及支撐頂板21的支撐部22構(gòu)成。頂板21具有滲透性，且被配置成能夠通過傳遞來自在頂板21的外部上方提供的加熱裝置210(例如鹵素燈)和上反射體26的熱來加熱反應(yīng)腔室2的內(nèi)部。換言之，在本實施方式中，外延生長設(shè)備200是冷壁式外延生長設(shè)備。在本實施方式中，石英用作頂板21。
[0086]支撐頂板21的支撐部22為環(huán)形。頂板21被固定至基板W側(cè)的通孔24的端部，基板W側(cè)的通孔24的端部定位在比支撐部22的內(nèi)邊緣更靠內(nèi)的位置處。固定方法包括焊接。
[0087]側(cè)壁部4由環(huán)形上側(cè)壁部31和環(huán)形下側(cè)壁部32構(gòu)成。上文提及的凸緣部13被提供在下側(cè)壁部32的內(nèi)圓周側(cè)上。在位置比凸緣部13更靠下的側(cè)部處提供有基板運送端口 30。上側(cè)壁部31在其上表面上具有斜面，此斜面對應(yīng)于支撐部22的突出部25的外斜面。支撐部22被設(shè)置在上側(cè)壁部31的斜面上。
[0088]下側(cè)壁部32的上表面被配置以使得外圓周部分的一部分有