一種氣流保護濕法刻蝕擴散面的裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及晶體硅太陽能電池制造過程中的濕法刻蝕的裝置，具體是一種氣流保護濕法刻蝕擴散面的裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]RENA Inoxiside鏈式單面濕法刻蝕機臺是使硅片在藥液上漂浮達到刻蝕背面和側(cè)邊PN結(jié)的效果。但硅片在藥液上漂浮，由于液體張力而浸入到邊緣擴散表面，必然對擴散面的N型層或P型層造成影響，這是濕法刻蝕無法避免的缺陷。如圖2所示，目前RENAInoxiside鏈式濕法刻蝕機臺可控制擴散面單邊刻蝕線寬度的水平在0.5_ - 2.0_，刻蝕線寬度越寬，擴散面刻蝕區(qū)域I面積越大，電池的有效受光面積會減少，從而導致短路電流降低，同時區(qū)域7的部分區(qū)域擴散方阻上升，會導致漿料的接觸電阻上升，電池片的串聯(lián)電阻增大，這兩個因素都會造成電池片的效率降低。
[0003]Schmid鏈式單面濕法刻蝕是通過水膜保護上表面的擴散面，減少擴散面單邊的刻蝕寬度。由于上表面水膜中水會溢到酸腐蝕液中，稀釋酸腐蝕液，這樣酸的補液量會增大，造成化學品的單耗會上升3倍以上，化學品的成本增加。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]發(fā)明目的:本發(fā)明的目的是為了解決現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種氣流保護濕法刻蝕擴散面的裝置，通過采用該裝置及其方法，減少現(xiàn)有濕法刻蝕工藝中對擴散面產(chǎn)生的多余刻蝕區(qū)域，增加電池的有效受光面積，提高電池效率。
[0005]技術(shù)方案:為了實現(xiàn)以上目的，本發(fā)明所述的一種氣流保護濕法刻蝕擴散面的裝置，它包括:刻蝕機、刻蝕槽體、硅片、滾輪、腐蝕液液面、氣泵、排氣管、氣孔、抽風機、抽風口和抽風管，所述的排氣管位于硅片的上方，排氣管上設(shè)有一排氣孔，排氣管和氣泵相連，刻蝕機和刻蝕槽體的中間處設(shè)有抽風口，抽風口通過抽風管和抽風機相連。
[0006]作為本發(fā)明的進一步優(yōu)選，所述的氣孔輸出的氣體的方向與硅片的傳輸方向平行，氣孔位于硅片中線的上方。待刻蝕的硅片進入刻蝕槽后，通過在硅片上方加氣孔輸出氣體，在硅片上表面的擴散面形成從與硅片傳輸方向平行的硅片中線向兩側(cè)的氣流，該氣流在刻蝕時用來阻止酸腐蝕液從硅片側(cè)面通過張力作用對擴散面的腐蝕，然后該硅片漂浮在刻蝕藥液上進行常規(guī)濕法刻蝕。
[0007]作為本發(fā)明的進一步優(yōu)選，所述的氣泵的壓力值限定為l~10kg/cm2，抽風機的壓力限定為5~15kg/cm2，通過氣泵對氣孔進行輸氣，硅片兩側(cè)增加兩排抽風口，抽風機通過抽風管將氣孔出來的氣體抽走，這樣在硅片上表面的會形成從硅片中線向兩側(cè)的氣流。
[0008]作為本發(fā)明的進一步優(yōu)選，所述的氣孔輸出的氣體為壓縮空氣或氮氣，從氣孔中被輸出的壓縮空氣或氮氣形成氣流在刻蝕時來阻止酸腐蝕液從硅片側(cè)面通過張力作用對擴散面的腐蝕，然后該硅片漂浮在刻蝕藥液上進行常規(guī)濕法刻蝕，減少現(xiàn)有濕法刻蝕工藝中對擴散面產(chǎn)生的多余刻蝕區(qū)域，增加電池的有效受光面積，提高電池效率有益效果:本發(fā)明提供的一種氣流保護濕法刻蝕擴散面的裝置，通過在刻蝕機的上方加設(shè)與氣泵相連的排氣管，排氣管上設(shè)有的一排氣孔的輸出氣體的方向與硅片的傳輸方向平行，在硅片的兩側(cè)設(shè)有抽風機相連的抽風口，實現(xiàn)利用氣流在硅片表面形成保護層，減少現(xiàn)有濕法刻蝕工藝中對擴散面產(chǎn)生的多余刻蝕區(qū)域，增加PN結(jié)的有效受光面積，提高光電轉(zhuǎn)換效率，增加電池效率。
【附圖說明】
[0009]圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖2為現(xiàn)有技術(shù)中硅片擴散面的有效受光面積；
圖3為通過采用本發(fā)明后硅片擴散面的有效受光面積。
【具體實施方式】
[0010]下面結(jié)合附圖和具體實施例，進一步闡明本發(fā)明。
[0011]如圖1所示，本發(fā)明所述的一種氣流保護濕法刻蝕擴散面的裝置，它包括:刻蝕機
1、刻蝕槽體2、娃片3、滾輪4、腐蝕液液面5、氣泵6、排氣管7、氣孔8、抽風機9、抽風口 10和抽風管11。
[0012]實施例1
先將排氣管7與氣泵6相連，然后將設(shè)有一排氣孔8的排氣管7水平置于硅片3的中線的上方，然后在刻蝕機I和刻蝕槽體2的中間處加設(shè)抽風口 10，抽風口 10通過抽風管11和抽風機9相連。
[0013]待刻蝕的硅片3進入刻蝕槽2后，啟動氣泵6，由氣泵6向排氣管7上的氣孔8輸送壓縮空氣，氣泵6的壓力值限定為lkg/cm2，啟動抽風機9，抽風機9的壓力限定為5kg/cm2，此時，通過氣孔8向硅片3的上方輸出壓縮空氣或者氮氣，氣孔8輸出的空氣或氮氣的方向與硅片3的傳輸方向平行，此時，在硅片3上表面的擴散面形成從與硅片3傳輸方向平行的硅片中線向兩側(cè)的氣流，該氣流在刻蝕時用來阻止酸腐蝕液從硅片3側(cè)面通過張力作用對擴散面的腐蝕，然后該硅片漂浮在刻蝕藥液上進行常規(guī)濕法刻蝕。
[0014]如圖2、圖3所示，經(jīng)過比較發(fā)現(xiàn)，通過采用本發(fā)明，硅片3擴散面的有效受光面積增大，擴散面刻蝕區(qū)域12減小，最終提升光電轉(zhuǎn)換效率，同時鍍膜后的電池外觀更均勻。
[0015]在單、多晶太陽能電池的RENA Inoxside鏈式濕法刻蝕和去PSG中采用本發(fā)明所述的一種氣流保護濕法刻蝕擴散面的裝置，經(jīng)證明可以帶來的電池效率和良率的提升。
[0016]實施例2
先將排氣管7與氣泵6相連，然后將設(shè)有一排氣孔8的排氣管7水平置于硅片3的中線的上方，然后在刻蝕機I和刻蝕槽體2的中間處加設(shè)抽風口 10，抽風口 10通過抽風管11和抽風機9相連。
[0017]待刻蝕的硅片3進入刻蝕槽2后，啟動氣泵6，由氣泵6向排氣管7上的氣孔8輸送壓縮氮氣，氣泵6的壓力值限定為10kg/cm2，啟動抽風機9，抽風機9的壓力限定為15kg/cm2，此時，通過氣孔8向硅片3的上方輸出壓縮空氣或者氮氣，氣孔8輸出的空氣或氮氣的方向與硅片3的傳輸方向平行，此時，在硅片3上表面的擴散面形成從與硅片3傳輸方向平行的硅片中線向兩側(cè)的氣流，該氣流在刻蝕時用來阻止酸腐蝕液從硅片3側(cè)面通過張力作用對擴散面的腐蝕，然后該硅片漂浮在刻蝕藥液上進行常規(guī)濕法刻蝕。
[0018]如圖2、圖3所示，經(jīng)過比較發(fā)現(xiàn)，通過采用本發(fā)明，硅片3擴散面的有效受光面積增大，擴散面刻蝕區(qū)域12減小，最終提升光電轉(zhuǎn)換效率，同時鍍膜后的電池外觀更均勻。
[0019]在單、多晶太陽能電池的RENA Inoxside鏈式濕法刻蝕和去PSG中采用本發(fā)明所述的一種氣流保護濕法刻蝕擴散面的裝置，經(jīng)證明可以帶來的電池效率和良率的提升。
[0020]上述實施例只為說明本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思及特點，其目的是讓熟悉該技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠了解本發(fā)明的內(nèi)容并據(jù)以實施，并不能以此來限制本發(fā)明的保護范圍。凡根據(jù)本發(fā)明精神實質(zhì)所做出的等同變換或修飾，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種氣流保護濕法刻蝕擴散面的裝置，它包括:刻蝕機(1)、刻蝕槽體(2)、硅片(3)、滾輪(4)和腐蝕液液面(5)，其特征在于:它還包括:氣泵(6)、排氣管(7)、氣孔(8)、抽風機(9)、抽風口(10)和抽風管(11)，所述的排氣管(7)位于硅片(3)的上方，排氣管(7)上設(shè)有一排氣孔(8 )，排氣管(7 )和氣泵(6 )相連，刻蝕機(I)和刻蝕槽體(2 )的中間處設(shè)有抽風口(10 )，抽風口( 10 )通過抽風管(11)和抽風機(9 )相連。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氣流保護濕法刻蝕擴散面的裝置，其特征在于:所述的氣孔(8)輸出的氣體的方向與硅片(3)的傳輸方向平行。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氣流保護濕法刻蝕擴散面的裝置，其特征在于:所述的氣孔(8)位于硅片(3)中線的上方。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氣流保護濕法刻蝕擴散面的裝置，其特征在于:所述的氣泵(6)的壓力值限定為l~10kg/cm2。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氣流保護濕法刻蝕擴散面的裝置，其特征在于:所述的抽風機(9)的壓力限定為5~15kg/cm2 根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種氣流保護濕法刻蝕擴散面的裝置，其特征在于:所述的氣孔(8)輸出的氣體為壓縮空氣或氮氣。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種氣流保護濕法刻蝕擴散面的裝置，它包括：刻蝕機、刻蝕槽體、硅片、滾輪、腐蝕液液面、氣泵、排氣管、氣孔、抽風機、抽風口和抽風管，所述的排氣管位于硅片的上方，排氣管上設(shè)有一排氣孔，排氣管和氣泵相連，刻蝕機和刻蝕槽體的中間處設(shè)有抽風口，抽風口通過抽風管和抽風機相連，通過采用本發(fā)明，實現(xiàn)利用氣流在硅片表面形成保護層，減少現(xiàn)有濕法刻蝕工藝中對擴散面產(chǎn)生的多余刻蝕區(qū)域，增加PN結(jié)的有效受光面積，提高光電轉(zhuǎn)換效率，增加電池效率。
【IPC分類】H01L31/0236, H01L21/67
【公開號】CN104979411
【申請?zhí)枴緾N201510410622
【發(fā)明人】劉仁中, 陳同銀, 夏正月, 張斌
【申請人】奧特斯維能源（太倉）有限公司
【公開日】2015年10月14日
【申請日】2015年7月14日