基礎(chǔ)部121的折射率小，也可以比基礎(chǔ)部121的折射率大。
[0144]照射激光時，如果以恒定的強度連續(xù)地進行照射，則因溫度導致的折射率變化的狀態(tài)有可能因場所不同而有所不同，因此，可以以能使得折射率恒定的方式，以細的間隔以脈沖方式進行照射。另外，也可以通過使用在直流電流上疊加按時序改變寬度的脈沖而得到的電流，作為照射激光的激光驅(qū)動信號(驅(qū)動電流)，由此使激光的照射時間基于各脈沖而發(fā)生變化。
[0145]結(jié)構(gòu)體122的形狀是任意的，但是由于通過光線的照射而形成，所以如圖12(a)?(c)所示的第I例或圖12(d)?(f)所示的第2例那樣，例如為圓柱狀或橢圓柱狀的形狀(剖面形狀為圓或橢圓)。需要說明的是，圖12(a)?(c)所示的第I例表示通過光線照射形成與上述的實施例1(圖7(a)?(c))同樣的形狀及配置的結(jié)構(gòu)體122的例子。另外，圖12(d)?(f)所示的第2例表示通過光線照射形成與上述的實施例2(圖9(a)?(d))同樣的形狀及配置的結(jié)構(gòu)體122的例子。
[0146]例如，對于結(jié)構(gòu)體122與基礎(chǔ)部121的折射率差而言，隨著從與基礎(chǔ)部121的邊界起朝向該結(jié)構(gòu)體122內(nèi)側(cè)而遠離所述邊界，該折射率差逐漸變大。即，例如隨著從結(jié)構(gòu)體122與基礎(chǔ)部121的邊界起朝向結(jié)構(gòu)體122的內(nèi)側(cè)遠離所述邊界，結(jié)構(gòu)體122的折射率減小或增大。
[0147]作為基礎(chǔ)部121的材料，在使用因加熱而導致折射率降低的材料的情況下，通過加熱衍射光柵層120的一部分，能夠使加熱后的部分的折射率降低。作為這樣的材料的例子，有DVD或CD等中使用的酞菁系或偶氮系等的有機材料。
[0148]另外，作為基礎(chǔ)部121的材料，在使用因加熱而導致折射率提尚的材料的情況下，通過在將衍射光柵層120的一部分加熱后進行冷卻，由此可以使加熱后的部分進行結(jié)晶化，能夠使該加熱后的部分的折射率增大。作為這樣的材料的例子，有用作有機功能層140的材料的NPB。
[0149]接下來，對于本實施例涉及的發(fā)光元件的制造方法，對形成衍射光柵層120的工序進行說明。圖13(a)?(C)為用于說明本實施例涉及的發(fā)光元件的制造方法的圖。
[0150]在本實施例的情況下，形成衍射光柵層120的工序包括下述工序:形成基礎(chǔ)部121的工序；和通過對基礎(chǔ)部121的一部分照射光線而使該部分的折射率變?yōu)榕c基礎(chǔ)部121不同的折射率，將該部分加工成結(jié)構(gòu)體122的工序。
[0151]首先，如圖13(a)所示，在透光性基板110的下表面形成作為基礎(chǔ)部121的有機膜。
[0152]接著，如圖13(b)及(C)所示，對基礎(chǔ)部121的一部分照射激光等光線。由此，加熱該部分，使該部分的折射率變?yōu)榕c基礎(chǔ)部121不同的折射率。由此，能夠?qū)⒃摬糠旨庸こ山Y(jié)構(gòu)體122。
[0153]通過加熱衍射光柵層120的一部分，構(gòu)成衍射光柵層120的材料的分子結(jié)構(gòu)發(fā)生變化、或者構(gòu)成衍射光柵層120的材料的粗密分布發(fā)生變化，因此該部分的折射率發(fā)生變化。此處，照射的激光等光的強度分布為高斯分布，該光的照射光斑的中心部的強度變高。因此，越靠近照射光斑的中央，對構(gòu)成衍射光柵層120的材料的分子結(jié)構(gòu)、粗密分布的影響越大。因此，結(jié)構(gòu)體122的折射率例如朝向照射光斑的中心逐漸降低或增大。
[0154]此處，通過在光線的照射方向上從內(nèi)部依次(如圖13(b)及(C)所示那樣從下方照射光線的情況下，為從上方依次)形成結(jié)構(gòu)體122，由此復數(shù)個結(jié)構(gòu)體122能夠形成為在與光線的照射方向相同的方向上排列的形式。此時，通過使形成各結(jié)構(gòu)體122時的光線的焦點位置階段性地不同，從而能夠在期望的位置(深度)形成各結(jié)構(gòu)體122。
[0155]需要說明的是，本實施例的情況下，并不是如上述的實施例1那樣通過層合復數(shù)片薄膜(透光性膜124)而形成衍射光柵層120，而是通過I層有機材料形成衍射光柵層120 (基礎(chǔ)部121)，所以能夠容易且平坦地形成衍射光柵層120。因此，可以不形成出于平坦化的目的而設(shè)置的隔離膜160。但是，出于抑制對有機材料的影響的目的，也可以形成隔離膜 160。
[0156]其他工序由于與上述的實施例1相同，所以省略說明。
[0157]此處，光線可以從基礎(chǔ)部121的下表面?zhèn)?透光性基板110的相反側(cè))照射，也可以介由透光性基板110照射至基礎(chǔ)部121。
[0158]另外，使光線照射基礎(chǔ)部121而形成結(jié)構(gòu)體122的時機，可以為形成基礎(chǔ)部121后的任意時機。
[0159]在形成基礎(chǔ)部121后、形成第I電極130前形成結(jié)構(gòu)體122的情況下，可以從基礎(chǔ)部121的任意面?zhèn)日丈涔饩€。
[0160]另外，在形成第I電極130后形成結(jié)構(gòu)體122的情況、在形成第I電極130及有機功能層140后形成結(jié)構(gòu)體122的情況、或在形成第I電極130、有機功能層140及第2電極150后形成結(jié)構(gòu)體122的情況下，為了抑制對第I電極130、有機功能層140的損傷，優(yōu)選介由透光性基板110將光線照射到基礎(chǔ)部121。
[0161]使用激光作為光線的情況下，通過使用飛秒激光、納秒激光，能夠抑制由激光導致的對第I電極130、有機功能層140的損傷。但是，對于在形成第I電極130、有機功能層140之前照射光線的情況而言，由于不需要考慮對第I電極130、有機功能層140的損傷，所以也可以使用CW激光(連續(xù)波運行激光)或脈沖激光。
[0162]需要說明的是，也可以在形成第2電極150后、完成密封、構(gòu)筑了包含發(fā)光元件100的板狀結(jié)構(gòu)的發(fā)光裝置之后再形成結(jié)構(gòu)體122。在該情況下，從透光性基板110側(cè)照射光。
[0163]另外，可以通過照射I次激光形成I個結(jié)構(gòu)體122，也可以通過分復數(shù)次對小區(qū)域進行照射，通過這些區(qū)域的集合而形成I個結(jié)構(gòu)體122。
[0164]需要說明的是，為了形成結(jié)構(gòu)體122而照射的光線不限于激光。例如，也可以通過使激光以外的強力的單一波長的光透過掩模且利用透鏡聚光而在衍射光柵層120的一部分成像，來形成結(jié)構(gòu)體122。在該情況下，還可使得對較使用激光時更廣的區(qū)域進行同時加熱處理成為可能。
[0165]根據(jù)本實施例，形成衍射光柵層120的工序包括下述工序:形成基礎(chǔ)部121的工序；和通過對基礎(chǔ)部121的一部分照射光線而使該部分的折射率變?yōu)榕c基礎(chǔ)部121不同的折射率，將該部分加工成結(jié)構(gòu)體122的工序。因此，通過適當改變光線的照射位置、強度，能夠容易地在期望的位置形成期望大小的結(jié)構(gòu)體122。
[0166](實施例5)
[0167]圖14(a)為實施例5涉及的發(fā)光元件100的俯視圖，圖14(b)為沿著圖14 (a) B —B線的剖視圖。本實施例中，對上述實施例4涉及的發(fā)光元件的更具體的構(gòu)成的例子進行說明。需要說明的是，對于圖14(b)和圖11(a)而言，是相互上下翻轉(zhuǎn)而對應(yīng)。
[0168]在透光性基板110上形成有包含基礎(chǔ)部121和結(jié)構(gòu)體122的衍射光柵層120。衍射光柵層120上形成有第I電極130。第I電極130構(gòu)成陽極。復數(shù)個第I電極130分別以帶狀沿Y方向延伸。相鄰的第I電極130在與Y方向垂直的X方向上彼此分離開一定間隔。第I電極130的各個電極例如由ITO、IZO等的金屬氧化物導體等形成。使第I電極130的折射率與衍射光柵層120為相同程度(例如折射率為1.8左右)。第I電極130的各個電極的表面形成有用于向第I電極130供給電源電壓的總線線(總線電極)170。在透光性基板110及第I電極130上形成有絕緣膜。該絕緣膜上形成有復數(shù)個分別沿Y方向延伸的條紋狀的開口部。由此，形成了由絕緣膜形成的復數(shù)個隔壁部180。另外，形成于該絕緣膜上的各個開口部到達第I電極130，各第I電極130的表面在開口部的底部露出。在絕緣膜的各開口部內(nèi)，在第I電極130上，形成了有機功能層140。有機功能層140通過依次層合空穴注入層141、空穴傳輸層142、發(fā)光層143 (發(fā)光層143R、143G、143B)、電子傳輸層144而構(gòu)成。作為空穴注入層141及空穴傳輸層142的材料，可以舉出芳香族胺衍生物、酞菁衍生物、卟啉衍生物、低聚噻吩衍生物、聚噻吩衍生物、芐基苯基衍生物、以芴基連接叔胺的化合物、腙衍生物、硅氮烷衍生物、硅烷胺(silanamine)衍生物、磷酰胺(日文為水只y 7 ^y)衍生物、喹吖啶酮衍生物、聚苯胺衍生物、聚吡咯衍生物、聚對苯乙炔衍生物、聚亞噻吩亞乙稀(polythienylene vinylene)衍生物、聚喹啉衍生物、聚喹喔啉衍生物、碳等。發(fā)光層143R、143G、143B分別由進行紅色發(fā)光、綠色發(fā)光、藍色發(fā)光的熒光性有機金屬化合物等形成。發(fā)光層143R、143G、143B以通過隔壁部180相互隔開的狀態(tài)并列地配置。S卩，有機功能層140被隔壁部180分隔成復數(shù)個區(qū)域。以覆蓋發(fā)光層143R、143G、143B及隔壁部180的表面的方式形成有電子傳輸層144。以覆蓋電子傳輸層144的表面的方式形成有第2電極150。第2電極150構(gòu)成陰極。第2電極150以帶狀形成。第2電極150由功函數(shù)低且具有高反射率的Ag、Au、Al等金屬或合金等形成。需要說明的是，使有機功能層140的折射率與第I電極130及衍射光柵層120為相同程度(例如折射率為1.8左右)。
[0169]由此，分別發(fā)出紅、綠、藍光的發(fā)光層143R、143G、143B以條紋狀重復配置，紅、綠、藍光以任意比例混色從而被認為是單一的發(fā)光色(例如白色)的光從成為光提取面的透光性基板110的表面放出。
[0170]通過本實施例，也能夠得到與上述實施例4相同的效果。
[0171](實施例6)
[0172]圖15(a)為實施例6涉及的發(fā)光元件的主要部分的剖視圖，圖15(b)為圖15(a)的主要部分放大圖。本實施例涉及的發(fā)光元件在以下說明的方面與上述的實施例1涉及的發(fā)光元件100不同，除此之外的其他構(gòu)成為與上述實施例1涉及的發(fā)光元件100相同的構(gòu)成。
[0173]在本實施例的情況下，衍射光柵層120的復數(shù)個結(jié)構(gòu)體122分別由金屬構(gòu)成。
[0174]此處，光的衍射由相鄰光路間的相位的不同而產(chǎn)生。由于金屬不透光，所以在本實施例的情況下，相鄰光路間的間隔與實施例1不同。因此，在本實施例的情況下，將結(jié)構(gòu)體122彼此的間隔設(shè)定為與實施例1不同的距離。
[0175]圖15(b)所示的間隔D3為:在沿與衍射光柵123垂直的方向(圖15(b)的左右方向)前進且從彼此相鄰的結(jié)構(gòu)體122之間的間隔中心通過的光中，相互相鄰的光彼此的間隔。另外，間隔D4相當于實施例1中的間隔D2(圖2)。本實施例的情況下，間隔D3越接近波長，衍射角越大。間隔D3例如設(shè)定為比基礎(chǔ)部121中的峰波長即310nm大(例如，使間隔 D3 為 400nm)。
[0176]另外，本實施例的情況下，由于相鄰的結(jié)構(gòu)體122彼此的間隔D4與間隔D3相等，所以間隔D4例如為400nmo
[0177]需要說明的是，對于寬度W，與實施例1同樣地例如設(shè)定為160nm。
[0178]在本實施例的情況下，通過使用如此設(shè)定的衍射光柵123，能夠?qū)崿F(xiàn)與實施例1同樣的動作。
[0179]接下來，針對本實施例涉及的發(fā)光元件的制造方法，對形成衍射光柵層120的工序進行說明。圖16(a)?(e)是用于說明實施例5涉及的發(fā)光元件的制造方法的圖。
[0180]本實施例的情況下，在形成衍射光柵層120的工序中，通過交替地重復進行下述工序，由此通過復數(shù)層的透光層126形成基礎(chǔ)部121，所述透光層126分別在內(nèi)部含有結(jié)構(gòu)體122，所述工序為:利用金屬形成結(jié)構(gòu)體122的工序；和以上述結(jié)構(gòu)體122埋入透光層126的方式形成該透光層126的工序。