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Tm結(jié)構(gòu)晶圓半切測試方法

文檔序號:9250076閱讀:1264來源:國知局
Tm結(jié)構(gòu)晶圓半切測試方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體封裝測試技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種TM結(jié)構(gòu)晶圓半切測試方法。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來,半導(dǎo)體集成電路在成本降低和前道晶圓制造工藝的提升的共同促進(jìn)下,實現(xiàn)了同樣功能的半導(dǎo)體器件的單體芯片尺寸越來越小的目標(biāo),便產(chǎn)生出一種新的Package 封裝形式 WLCSP (Wafer Level Chip Scale Packaging),即晶圓級芯片規(guī)模封裝,該封裝方式不同于傳統(tǒng)的芯片封裝方式:先切割再封測,而封裝后至少增加原芯片20%的體積;此種技術(shù)是先在整片晶圓上進(jìn)行封裝和測試,然后才切割成一個個的IC顆粒,因此封裝后的體積即等同IC裸晶的原尺寸。WLCSP封裝方式的特性優(yōu)點,一方面是有效地縮減封裝體積,不僅明顯地縮小內(nèi)存模塊尺寸,而且符合行動裝置對于機體空間的高密度需求;另一方面在效能的表現(xiàn)上,由于電路布線的線路短且厚,故可有效增加數(shù)據(jù)傳輸?shù)念l寬、減少電流耗損,且對散熱問題助益極大,更提升了數(shù)據(jù)傳輸?shù)乃俣扰c穩(wěn)定性。
[0003]目前已有多種工藝的WLCSP產(chǎn)品,主要工藝種類包括!Marking面裸晶、Marking面帶背膠、球面刷膠等,球面刷膠工藝通常又稱為TM結(jié)構(gòu)或Cas1工藝,其特征就是整個晶圓表面除了 Bump外全是黑色的。由于晶圓表面刷了一層厚度120UM以上的黑膠,將晶圓表面的電路層圖案全遮蓋住了,所以對于這種工藝的產(chǎn)品無法實現(xiàn)傳統(tǒng)的測試方法,因為當(dāng)今半導(dǎo)體行業(yè)中比較知名且常用的探針臺均由TEL和TSK兩家公司制造,這些常用的探針臺在進(jìn)行芯片對位和角度調(diào)整時,必須要求每顆芯片上有唯一的黑白分明、有橫有豎的圖案,這樣探針臺的Vis1n系統(tǒng)方可準(zhǔn)確抓取圖像并識別定位,才能實現(xiàn)準(zhǔn)確扎針測試的目的。
[0004]所以目前半導(dǎo)體行業(yè)里只有兩種方式對TM結(jié)構(gòu)工藝品種進(jìn)行測試:第一種測試方式是將晶圓貼膜全切割開,并選用帶Frame測試功能的探針臺進(jìn)行測試;第二種測試方式是將晶圓貼膜全切割開后,不選取探針臺方式進(jìn)行測試,而是選用轉(zhuǎn)塔式機械手吸取單顆芯片通過Socket方式進(jìn)行測試。
[0005]但上述兩種方式各自存在一些問題。
[0006]第一種測試方式最大的問題在于:當(dāng)貼膜位置或角度超出探針臺的對位允許范圍時,對芯片進(jìn)行全切割后,將無法重新貼膜并測試,此時該片產(chǎn)品就將面臨報廢。其次,第一種測試方式對測試精度也會有影響,尤其是規(guī)格較小的芯片,因為藍(lán)膜或UV膜的收縮伸展會導(dǎo)致焊墊之間的位置偏移,從而影響扎針的準(zhǔn)確性。再次,在某些異常情況下,測試后產(chǎn)品需要保留的,時間久了之后就會影響到撿片包裝工序的撿取難度,會造成很大損失甚至報廢。
[0007]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中一種TM結(jié)構(gòu)晶圓測試方法的流程示意圖。
[0008]如圖1所示,將TM結(jié)構(gòu)晶圓貼到膜上后,劃片機對TM結(jié)構(gòu)晶圓進(jìn)行全切,當(dāng)探針臺因貼膜位置或角度超出探針臺的對位允許范圍而導(dǎo)致對位錯誤時,晶圓面臨報廢問題;當(dāng)探針測試在某些異常情況下,測試后產(chǎn)品需要保留較長時間的情況下,晶圓同樣面臨報廢問題。
[0009]第二種方式的問題在于:首先,機械手的Jam率、故障率會比較高;其次,芯片比較脆弱,通過Socket測試時的定位調(diào)整難度比較大,且容易造成芯片缺損,降低合格率,增加紛失率及混批率等風(fēng)險,而且維護(hù)成本也會大大增加,降低設(shè)備的利用率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]在下文中給出關(guān)于本發(fā)明的簡要概述,以便提供關(guān)于本發(fā)明的某些方面的基本理解。應(yīng)當(dāng)理解,這個概述并不是關(guān)于本發(fā)明的窮舉性概述。它并不是意圖確定本發(fā)明的關(guān)鍵或重要部分,也不是意圖限定本發(fā)明的范圍。其目的僅僅是以簡化的形式給出某些概念,以此作為稍后論述的更詳細(xì)描述的前序。
[0011]本發(fā)明提供一種解決TM結(jié)構(gòu)WLCSP晶圓因表面沒有黑白分明的橫豎圖案而導(dǎo)致探針臺無法識別焊墊之間位置的問題的TM結(jié)構(gòu)晶圓半切測試方法。
[0012]本發(fā)明提供一種TM結(jié)構(gòu)晶圓半切測試方法,包括以下步驟:
[0013]S30:將TM結(jié)構(gòu)晶圓貼到膜上,劃片機按照預(yù)設(shè)參數(shù)對已貼膜的TM結(jié)構(gòu)晶圓表面進(jìn)行半切;
[0014]S50:將所述TM結(jié)構(gòu)晶圓從所述膜上取下并放置在探針臺上進(jìn)行設(shè)置對位及探針測試;
[0015]S70:當(dāng)所述探針測試通過時,將所述TM結(jié)構(gòu)晶圓貼膜封裝、全切劃片、撿片包裝;當(dāng)所述探針測試失敗時,返回步驟S30。
[0016]本發(fā)明提供的TM結(jié)構(gòu)晶圓半切測試方法通過劃片機在晶圓表面按照焊墊的尺寸陳列式切割出淺淺的方格線,從而使得探針臺的Vis1n系統(tǒng)能抓取黑白分明、有橫有豎、每顆芯片上唯一的圖像進(jìn)行對位識別,從而實現(xiàn)對TM結(jié)構(gòu)晶圓進(jìn)行探針測試。本發(fā)明一方面避免了發(fā)生由于貼膜偏位使得探針臺無法對位,導(dǎo)致整片無法測試的風(fēng)險,從而降低了產(chǎn)品報廢率;另一方面避免了全切方式下的貼膜收縮擴張導(dǎo)致焊墊之間的位置偏移下的扎針偏位的情況,從而提高了產(chǎn)品良率。在遇到產(chǎn)品測試異常需長期保留的情況下,本發(fā)明提供的測試方法不會導(dǎo)致?lián)炱ば虻碾y撿片問題,減少了 Taping&Reel工序內(nèi)的紛失率。綜上所述,本發(fā)明具有操作簡便、提高產(chǎn)品合格率等優(yōu)點。
【附圖說明】
[0017]參照下面結(jié)合附圖對本發(fā)明實施例的說明,會更加容易地理解本發(fā)明的以上和其它目的、特點和優(yōu)點。附圖中的部件只是為了示出本發(fā)明的原理。在附圖中,相同的或類似的技術(shù)特征或部件將采用相同或類似的附圖標(biāo)記來表示。
[0018]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中一種TM結(jié)構(gòu)晶圓測試方法的流程示意圖。
[0019]圖2為本發(fā)明TM結(jié)構(gòu)晶圓半切測試方法一種實施方式的流程示意圖。
[0020]圖3為本發(fā)明TM結(jié)構(gòu)晶圓半切測試方法一種優(yōu)選實施方式的流程示意圖。
[0021]圖4為本發(fā)明TM結(jié)構(gòu)晶圓半切測試方法另一種優(yōu)選實施方式的流程示意圖。
【具體實施方式】
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