高溫高壓安規(guī)電容器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電容器。
【背景技術(shù)】
[0002]薄膜電容器是以金屬箔當(dāng)電極，將其和聚乙酯，聚丙烯，聚苯乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜，從兩端重疊后，卷繞成圓筒狀的構(gòu)造之電容器。薄膜介質(zhì)由于緊密疊加的關(guān)系，在工作過程中相鄰的薄膜層溫度容易積蓄在一起，造成薄膜層升溫過快，導(dǎo)致耐壓性能降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供了高溫高壓安規(guī)電容器，解決薄膜介質(zhì)升溫過快，導(dǎo)致耐壓性能降低的技術(shù)問題。
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
[0005]高溫高壓安規(guī)電容器，包括電容器芯體，所述電容器芯體由金屬化薄膜卷曲而成，所述金屬化薄膜包括基層薄膜和金屬極板，所述金屬極板為鍍蒸在基層薄膜上的金屬鍍層，所述基層薄膜的一端設(shè)有無金屬鍍層的留邊，相鄰疊加的金屬化薄膜上的留邊設(shè)在不同側(cè)，所述金屬鍍層上設(shè)有若干根金屬凸條。
[0006]作為優(yōu)選的方案，所述金屬凸條之間的間距為A，A的數(shù)值為I?2mm。
[0007]進(jìn)一步的優(yōu)選方案，所述金屬鍍層為鍍鋅層。
[0008]作為優(yōu)選的方案，所述基層薄膜為聚丙烯薄膜。
[0009]本發(fā)明的有益效果為:
[0010]通過在金屬鍍層上設(shè)置若干根金屬凸條，金屬化薄膜的基層薄膜和金屬鍍層之間留出了空隙，防止相鄰的金屬化薄膜溫度積蓄在一起，從而降低升溫速度，提高了耐熱性能和耐壓性能，該電容器使用溫度范圍能達(dá)到-40°C?+110°C，耐電壓由原來2.0UR提高到了 2.5UR，基層薄膜介質(zhì)損耗小、并隨溫度和頻率變化也比較小，同時具有較高的擊穿強(qiáng)度，并有優(yōu)異的自愈性能，能承受浪涌電壓沖擊，在瞬間大電流的沖擊下不會直接短路，從而增加了電容器的可靠性。
【附圖說明】
[0011]以下結(jié)合附圖和【具體實施方式】對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步描述:
[0012]圖1是本發(fā)明高溫高壓安規(guī)電容器的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0013]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的【具體實施方式】作詳細(xì)說明。
[0014]如圖1所示，高溫高壓安規(guī)電容器，包括電容器芯體，電容器芯體由金屬化薄膜卷曲而成，金屬化薄膜包括基層薄膜I和金屬極板，基層薄膜I為聚丙烯薄膜，金屬極板為鍍蒸在基層薄膜I上的金屬鍍層2，金屬鍍層2為鍍鋅層，基層薄膜I的一端設(shè)有無金屬鍍層2的留邊，相鄰疊加的金屬化薄膜上的留邊設(shè)在不同側(cè)，金屬鍍層2上設(shè)有若干根金屬凸條3。金屬凸條之間的間距為A，A的數(shù)值為I?2mm，A的豎直不宜過大，否則會導(dǎo)致基層薄膜和金屬鍍層接觸面積過小的問題，適應(yīng)取I?2_的數(shù)值。
[0015]通過在金屬鍍層上設(shè)置若干根金屬凸條，金屬化薄膜的基層薄膜和金屬鍍層之間留出了空隙，防止相鄰的金屬化薄膜溫度積蓄在一起，從而降低升溫速度，提高了耐熱性能和耐壓性能。
[0016]本發(fā)明高溫高壓安規(guī)電容器使用溫度范圍能達(dá)到-40°C?+110 °C，耐電壓由原來2.0UR提高到了 2.5UR，高溫高頻損耗小，內(nèi)部溫升低，基層薄膜介質(zhì)損耗小、并隨溫度和頻率變化也比較小，同時具有較高的擊穿強(qiáng)度，并有優(yōu)異的自愈性能，能承受浪涌電壓沖擊，在瞬間大電流的沖擊下不會直接短路，從而增加了電容器的可靠性，適用于100?240Vac電源串聯(lián)的電容降壓電路場合，如電表、LED模塊等。
[0017]以上就本發(fā)明較佳的實施例做了說明，但不能理解為是對權(quán)利要求的限制。本發(fā)明不僅局限于以上實施例，其具體結(jié)構(gòu)允許有變化，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)本發(fā)明作出各種改變和變形，只要不脫離本發(fā)明的精神，均屬于本發(fā)明所附權(quán)利要求所定義的范圍。
【主權(quán)項】
1.高溫高壓安規(guī)電容器，包括電容器芯體，所述電容器芯體由金屬化薄膜卷曲而成，所述金屬化薄膜包括基層薄膜和金屬極板，所述金屬極板為鍍蒸在基層薄膜上的金屬鍍層，其特征在于:所述基層薄膜的一端設(shè)有無金屬鍍層的留邊，相鄰疊加的金屬化薄膜上的留邊設(shè)在不同側(cè)，所述金屬鍍層上設(shè)有若干根金屬凸條。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高溫高壓安規(guī)電容器，其特征在于:所述金屬凸條之間的間距為A，A的數(shù)值為I?2mm。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高溫高壓安規(guī)電容器，其特征在于:所述金屬鍍層為鍍鋅層。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高溫高壓安規(guī)電容器，其特征在于:所述基層薄膜為聚丙烯薄膜。
【專利摘要】本發(fā)明公開了高溫高壓安規(guī)電容器，屬于半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，解決了薄膜介質(zhì)升溫過快，導(dǎo)致耐壓性能降低的技術(shù)問題，本發(fā)明高溫高壓安規(guī)電容器，包括電容器芯體，所述電容器芯體由金屬化薄膜卷曲而成，所述金屬化薄膜包括基層薄膜和金屬極板，所述金屬極板為鍍蒸在基層薄膜上的金屬鍍層，所述基層薄膜的一端設(shè)有無金屬鍍層的留邊，相鄰疊加的金屬化薄膜上的留邊設(shè)在不同側(cè)，所述金屬鍍層上設(shè)有若干根金屬凸條。
【IPC分類】H01G4/002, H01G4/33, H01G2/14
【公開號】CN104916438
【申請?zhí)枴緾N201510234646
【發(fā)明人】劉金寶, 柯云, 李超超, 鄭美
【申請人】長興華強(qiáng)電子有限公司
【公開日】2015年9月16日
【申請日】2015年5月10日