一種托盤以及腔室的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體設(shè)備制造領(lǐng)域，尤其涉及一種托盤以及腔室。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝中，在各類腔體內(nèi)經(jīng)常需要使用托盤來承載晶片，為了提高工藝效率，一個托盤上通常設(shè)置有多個用于放置晶片的放片槽。
[0003]現(xiàn)有的托盤結(jié)構(gòu)如圖1所示，托盤I上設(shè)置有多個放片槽2，且放片槽2的側(cè)壁上沿設(shè)置有缺口 3，以便于通過該缺口 3在放片槽2中取放晶片?，F(xiàn)有的放片槽的剖視圖如圖2所示，放片槽2的側(cè)壁采用斜邊設(shè)計，且上寬下窄，這樣，能夠?qū)?的位置產(chǎn)生一定的修正作用，當(dāng)晶片4放置的位置稍偏時，能夠在其自身重力的作用下沿斜邊滑到放片槽2的底表面。
[0004]現(xiàn)有的放片槽的底表面的面積須略大于晶片的面積，以便于容納晶片，然而，這使得晶片放置在放片槽中時，放片槽底表面的邊緣部分將暴露在工藝環(huán)境中，尤其在濺射工藝中，會導(dǎo)致放片槽底表面的邊緣產(chǎn)生沉積物，如圖3所示，當(dāng)再次將晶片4放置在放片槽2中時，晶片4可能會搭在沉積物5上，導(dǎo)致晶片4懸空，影響托盤對晶片的熱傳導(dǎo)，同時影響在晶片4上所沉積的薄膜的均勻性，因此，需要頻繁地清洗托盤，增加了成本。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種托盤以及腔室，以減少放片槽邊緣的沉積物對晶片的影響，并且降低托盤清洗的頻率。
[0006]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種托盤，用于承載晶片，所述托盤上設(shè)置多個有放片槽，所述放片槽的底面邊緣處設(shè)置有沉積槽。
[0007]優(yōu)選地，所述沉積槽環(huán)繞所述放片槽的底面設(shè)置。
[0008]優(yōu)選地，當(dāng)所述晶片設(shè)置在所述放片槽內(nèi)時，所述放片槽底面被所述晶片覆蓋。
[0009]優(yōu)選地，所述沉積槽的寬度與所述沉積槽的深度比在2?4之間。
[0010]優(yōu)選地，所述沉積槽的寬度在0.5mm?2mm之間。
[0011]優(yōu)選地，針對LED生產(chǎn)線的直徑為2英寸的晶片，所述沉積槽的寬度在0.5mm?
1.2mm之間。
[0012]優(yōu)選地，所述托盤上表面至所述放片槽底面的距離與所述晶片的厚度比在0.4?I之間。
[0013]優(yōu)選地，所述放片槽的側(cè)壁為斜面，且所述斜面相對于所述放片槽的底面向外傾斜。
[0014]優(yōu)選地，所述放片槽側(cè)壁的上沿設(shè)置有缺口。
[0015]相應(yīng)地，本發(fā)明還提供一種腔室，所述腔室內(nèi)設(shè)置有基座，所述腔室還包括上述本發(fā)明所提供的托盤，所述托盤設(shè)置在所述基座上。
[0016]可見，本發(fā)明通過在放片槽的邊緣設(shè)置沉積槽，使得工藝過程中濺射至放片槽邊緣的濺射物能夠沉積在沉積槽中，而不影響放置在放片槽底面的晶片的水平度。本發(fā)明僅需在沉積槽容納滿了沉積物后清洗托盤，與現(xiàn)有技術(shù)相比，延長了托盤需要清洗的周期，節(jié)約了成本。
【附圖說明】
[0017]附圖是用來提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與下面的【具體實施方式】一起用于解釋本發(fā)明，但并不構(gòu)成對本發(fā)明的限制。在附圖中:
[0018]圖1為現(xiàn)有的托盤結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖2為現(xiàn)有的放片槽剖視圖；
[0020]圖3為現(xiàn)有的放片槽沉積物影響示意圖；
[0021]圖4為本發(fā)明所提供的放片槽剖視圖，具體展示了所述沉積槽的寬度；
[0022]圖5為本發(fā)明所提供的沉積物與晶片位置示例圖；
[0023]圖6為本發(fā)明所提供的晶片放置示例圖；
[0024]圖7為本發(fā)明所提供的另一晶片放置示例圖；
[0025]圖8為本發(fā)明所提供的放片槽剖視圖，具體展示了所述放片槽的深度；
[0026]圖9為本發(fā)明所提供的托盤示例圖。
[0027]附圖標(biāo)記說明
[0028]1、10-托盤;2、11-放片槽;3、14-缺P ;4、30_晶片;5、20_沉積物；12~沉積槽；13-放片槽底面。
【具體實施方式】
[0029]以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的【具體實施方式】進(jìn)行詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解的是，此處所描述的【具體實施方式】僅用于說明和解釋本發(fā)明，并不用于限制本發(fā)明。
[0030]作為本發(fā)明的一個方面，提供一種托盤，該托盤可以用于承載晶片，如圖4至圖9所示，托盤10上可以設(shè)置有多個放片槽11 (圖中僅示出了一個)，且放片槽11的底面邊緣處可以設(shè)置有沉積槽12。
[0031]現(xiàn)有技術(shù)中，當(dāng)托盤承載晶片在腔室中進(jìn)行沉積工藝時，濺射物濺射到放片槽邊緣后會產(chǎn)生沉積物，使得下一次將晶片放置在放片槽中時可能導(dǎo)致晶片懸空，影響托盤與晶片之間的熱傳導(dǎo)，同時，晶片傾斜后還會影響在其上沉積的薄膜的均勻性。
[0032]為克服這一問題，如圖4和圖5所示，本發(fā)明在每一個放片槽11的底面邊緣處設(shè)置沉積槽12，該沉積槽12可以用于容納工藝過程中濺射至放片槽11的底面邊緣的沉積物20，使得沉積物20能夠沉積在沉積槽12中，而使得下一次將晶片30放置在放片槽11中時，沉積物20不會影響晶片30的水平度，同時也不會影響晶片30與放片槽11底面的接觸?？梢?，本發(fā)明能夠有效地克服現(xiàn)有技術(shù)中，放片槽邊緣的沉積物可能會導(dǎo)致晶片懸空的問題。
[0033]更進(jìn)一步地，沉積槽12可以環(huán)繞放片槽11的底面設(shè)置。通常，晶片的形狀為圓形，而放片槽11的底面形狀也為與晶片相匹配的圓形，為能夠使濺射至放片槽11邊緣的沉積物均沉積在沉積槽12內(nèi)，可以將沉積槽12環(huán)繞放片槽11的底面設(shè)置。
[0034]更進(jìn)一步地，可以如圖6和圖7所示，當(dāng)晶片30設(shè)置在放片槽內(nèi)時，放片槽底面13被晶片30覆蓋。具體地，在承載晶片30時，放片槽底面13和晶片30直接接觸以支撐晶片，因此，需要避免在工藝過程中，濺射物濺射在放片槽底面13上而產(chǎn)生沉積。為實現(xiàn)這一效果，可以使放片槽在承載晶片30時，放片槽底面13完全被晶片30覆蓋，S卩，在加工放片槽時，可以使放片槽底面13小于或等于晶片30的橫截面，例如，若晶片30為圓形，則可以使放片槽底面13的半徑小于或等于晶片30的半徑。優(yōu)選地，可以使得放片槽底面13小于晶片30的橫截面，從而如圖7所示，能夠在晶片30的一端與放片槽側(cè)壁接觸時，放片槽底面13也能夠被晶片完全覆蓋。
[0035]更進(jìn)一步地，沉積槽12的寬度和深度比可以在2?4之間。為便于沉積槽12的加工，同時，為了使得沉積槽12能夠容納濺射至放片槽11邊緣的沉積物，如圖4所示，沉積槽12的寬度L和沉積槽12的深度H之間的比值可以在2?4之間，即L的值可以是H的值的2倍到4倍之間。
[0036]通常，托盤還用于對晶片加熱，以控制晶片的溫度，因此，為了保證托盤與晶片之間的熱傳導(dǎo)，沉積槽12的寬度不宜過寬，優(yōu)選地，沉積槽的寬度可以在0.5mm?2mm之間，具體地，可以根據(jù)實際需求加工沉積槽的寬度，例如，優(yōu)選地，當(dāng)將托盤應(yīng)用于生產(chǎn)直徑為2英寸的晶片的LED生產(chǎn)線時，沉積槽12的寬度可以在0.5mm?1.2mm之間，當(dāng)將托盤應(yīng)用于生產(chǎn)直徑為4英寸的晶片的LED生產(chǎn)線時，沉積槽12的寬度可以在0.8mm?2mm之間。
[0037]更進(jìn)一步地，如圖8所示，托盤10的上表面至放片槽底面13的距離D與晶片的厚度的比例可以在0.4?I之間。即，當(dāng)晶片放置在放片槽底面13上時，晶片的上表面可以與托盤10的上表面平齊，或者，晶片的上表面也可以凸出于托盤10的上表面以便于晶片的取放，此外，在薄膜沉積等工藝中，托盤10的上表面會沉積有濺射物并形成顆粒，當(dāng)托盤10的上表面的沉積物的高度過高時，沉積物顆?？赡芑渲辆纳媳砻妫蛘呤転R射物撞擊后彈落至晶片的上表面，導(dǎo)致對晶片造成污染，因此，若使晶片的上表面凸出于托盤10的上表面，還能有效減少上述對晶片造成的顆粒污染。當(dāng)晶片的上表面凸出于托盤10的上表面時，為防止晶片的滑移，優(yōu)選地，托盤10的上表面至放片槽底面13的距離D與晶片的厚度的比可以大于0.4。
[0038]更進(jìn)一步地，放片槽11的側(cè)壁為斜面，且該斜面相對于放片槽底面向外傾斜。即，放片槽11的側(cè)壁向放片槽底面的外沿方向傾斜，具體地，放片槽11可以加工為倒錐形的結(jié)構(gòu)，使其側(cè)壁為斜面，這樣，可以使得當(dāng)晶片的放置位置存在一定偏離時，晶片能夠沿著該斜面，在其自身重力的作用下滑動至放片槽11的底面。
[0039]更進(jìn)一步地，如圖9所示，放片槽11的側(cè)壁的上沿可以設(shè)置有缺口 14，以便于通過該缺口 14在放片槽11中取放晶片。
[0040]上述為對本發(fā)明所提供的托盤進(jìn)行的描述，可見，本發(fā)明通過在放片槽的邊緣設(shè)置沉積槽，使得工藝過程中濺射至放片槽邊緣的濺射物能夠沉積在沉積槽中，而不影響放置在放片槽底面的晶片的水平度，避免了現(xiàn)有技術(shù)中放片槽邊緣的沉積物可能導(dǎo)致晶片懸空的問題。同時，本發(fā)明中的沉積槽能夠容納一定的沉積物，與現(xiàn)有技術(shù)相比，無需頻繁地清洗托盤，而僅需在沉積槽容納滿了沉積物后清洗托盤，延長了托盤需要清洗的周期，節(jié)約了成本。
[0041]作為本發(fā)明的另一方面，提供一種腔室，該腔室設(shè)置有基座，同時，該腔室還包括上述本發(fā)明所提供的托盤，且該托盤設(shè)置在上述基座上。
[0042]可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項】
1.一種托盤，用于承載晶片，其特征在于，所述托盤上設(shè)置多個有放片槽，所述放片槽的底面邊緣處設(shè)置有沉積槽。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的托盤，其特征在于，所述沉積槽環(huán)繞所述放片槽的底面設(shè)置。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的托盤，其特征在于，當(dāng)所述晶片設(shè)置在所述放片槽內(nèi)時，所述放片槽底面被所述晶片覆蓋。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的托盤，其特征在于，所述沉積槽的寬度與所述沉積槽的深度比在2?4之間。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的托盤，其特征在于，所述沉積槽的寬度在0.5mm?2mm之間。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的托盤，其特征在于，針對LED生產(chǎn)線的直徑為2英寸的晶片，所述沉積槽的寬度在0.5mm?1.2mm之間。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的托盤，其特征在于，所述托盤上表面至所述放片槽底面的距離與所述晶片的厚度比在0.4?I之間。8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任意一項所述的托盤，其特征在于，所述放片槽的側(cè)壁為斜面，且所述斜面相對于所述放片槽的底面向外傾斜。9.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任意一項所述的托盤，其特征在于，所述放片槽側(cè)壁的上沿設(shè)置有缺口。10.一種腔室，所述腔室內(nèi)設(shè)置有基座，其特征在于，所述腔室還包括權(quán)利要求1至9中任意一項所述的托盤，所述托盤設(shè)置在所述基座上。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種托盤，該托盤用于承載晶片，且該托盤上設(shè)置多個有放片槽，所述放片槽的底面邊緣處設(shè)置有沉積槽。相應(yīng)地，本發(fā)明還提供一種腔室，該腔室中設(shè)置有基座，且所述基座上設(shè)置有上述本發(fā)明所提供的托盤。本發(fā)明能夠使得工藝過程中濺射至放片槽邊緣的濺射物能夠沉積在沉積槽中，而不影響放置在放片槽底面的晶片的水平度，此外，本發(fā)明僅需在沉積槽容納滿了沉積物后清洗托盤，與現(xiàn)有技術(shù)相比，延長了托盤需要清洗的周期，節(jié)約了成本。
【IPC分類】H01L21/683, H01L21/673
【公開號】CN104900567
【申請?zhí)枴緾N201410076411
【發(fā)明人】文莉輝, 武學(xué)偉, 趙夢欣, 丁培軍
【申請人】北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司
【公開日】2015年9月9日
【申請日】2014年3月4日