粒在玻璃襯底的表面100播種引起的非均勻CVD層生長所造成的小凸起增強了霧度或者高效的散射。
[0022]圖3示出了圖示出襯底表面上的超細顆粒對S1xNy的5 ym等離子體增強CVD沉積層的生長的影響的示例性頂視圖。襯底由用SiC研磨且經(jīng)HF蝕刻的鈉鈣玻璃制成。在涂敷中，小擾動被放大為直徑為0.5-4 μ??，優(yōu)選地1-2 μ??的大得多的凸起14。
[0023]在下文中，描述依照第二實施例的制造工藝。引入作為玻璃襯底的預處理的蝕刻步驟，其生成從蝕刻溶液沉積的超細顆粒，這導致CVD層生長的局部擾動。由此，相對大的透鏡狀結(jié)構可以覆蓋有僅僅0.5-4 μ m，優(yōu)選地1-2 μ m展度的細得多(大部分)的凸起。這些凸起來源于具有高折射率η的S1N CVD層中的生長擾動。因此，結(jié)果是，不必再提供粗糙表面基礎結(jié)構，而是可以最終在蝕刻犧牲玻璃板之后，或者通過將超細種子顆粒引入到蝕刻溶液中，將平坦玻璃襯底與適當?shù)奈g刻溶液一起使用。
[0024]圖4示出了依照第二實施例的制造工藝的流程圖。在步驟S401中，預處理通過將平坦玻璃表面暴露于飽和蝕刻流體而完成。蝕刻流體可以典型地包含HF并且可以通過蝕刻另一個犧牲玻璃襯底而飽和。通過暴露和移除蝕刻流體，在步驟S402中，沉積由例如富含Ca等的具有高粘附系數(shù)的納米尺寸展度的玻璃組分區(qū)域組成的超細顆粒。然后，在步驟S403中，為了 OLED的最佳內(nèi)部光外耦合，在玻璃襯底的經(jīng)預處理的平坦表面之上沉積高折射率CVD層(由SiN或S1N等制成)。其后，在步驟S404中，在CVD層之上沉積透明陽極層(由例如ITO制成)。最后，在步驟S405中，在透明CVD層上沉積相應的OLED層結(jié)構(例如如圖1中所示)。
[0025]由此，實現(xiàn)的不同粘附系數(shù)引起局部不同的生長，具有優(yōu)選的柱狀生長，導致在透明陽極層下方CVD層頂表面的0.5-4 μ m，優(yōu)選地1_2 μ m截面尺度的小凸起。然后，這些凸起上覆有OLED層并且通過后續(xù)的反射引起充分的散射。
[0026]必須指出的是，存在引起CVD層生長的上述局部擾動并且引起具有半球形表面的錐狀結(jié)構的其他方法。除了使用在玻璃襯底平坦表面上提供的納米顆粒的幾何效應并且引起層生長的三維擾動之外，一種可能的其他選項是提供表面化學成分的局部變化。
[0027]因此，依照第三實施例，上述制造工藝的步驟S401和S402的預處理可以由例如通過更強勁的氧化(例如帶有具有更高或者至少不同的氧化態(tài)的元素的材料，從而通過局部更強勁的生長而修改初始生長抑制)提供玻璃襯底的表面化學成分的局部變化的步驟代替。
[0028]而且，依照第四實施例，上述制造工藝的步驟S401和S402的預處理可以由通過沉積適當成分的局部分離的亞微米顆粒(例如來自懸浮液或溶液)引起對于具有高折射率的中間層的后續(xù)生長的擾動的步驟代替。這樣的亞單層亞微米顆?；蛘邇?yōu)選地超細
10nm)顆?？梢允抢鏢iC顆?；蛘咂渌w粒(最終具有有機涂層的Si02、Ti02、Mg0)，其可以在沉積之后燃燒掉或者被移除，從而從單層生成亞單層。
[0029]總的來說，描述了一種制造發(fā)光器件的方法，其通過提供具有高折射率的中間層且利用經(jīng)調(diào)制的表面而具有改進的內(nèi)部外耦合。中間層的凸起或厚度調(diào)制由層生長方法以及對層生長提供局部擾動的平坦襯底預處理提供。這可以通過將平坦玻璃表面暴露于飽和蝕刻流體或者通過提供玻璃襯底的表面化學成分的局部變化或者通過沉積適當成分的局部分離的亞微米顆粒而完成。通過暴露和移除蝕刻流體，或者沉積超細顆粒，或者生成由具有相對于后來從氣相沉積的種類高的粘附系數(shù)的亞微米尺寸展度的玻璃組分區(qū)域組成的缺陷。這些小的超細顆?；蛘弑砻婊瘜W成分缺陷通過不同的粘附系數(shù)引起局部不同的生長，具有優(yōu)選的柱錐狀生長，導致沉積的層的頂表面的0.5-4 μ m，優(yōu)選地1-2 μ m截面尺度的凸起。然后，這些凸起上覆有發(fā)光元件層并且通過后續(xù)的反射引起充分的散射。
[0030]盡管在所述圖和前面的描述中已經(jīng)詳細地圖示和描述了本發(fā)明，但是這樣的圖示和描述應當被認為是說明性或示例性的，而不是限制性的。本發(fā)明并不限于所公開的實施例。它可以應用于任何有機或者甚至非有機發(fā)光器件領域。可以采用任何具有適當折射率膜的SiNz、S1x, S1zN^ AlOx和A1203:N或者其他氧化物/氮化物/碳化物/氟化物透明材料的透明層作為發(fā)光器件的經(jīng)預處理的襯底上的CVD層。而且，諸如催化劑增強化學氣相沉積(CECVD )、PECVD或者電感耦合等離子體CVD (ICP-CVD )、濺射或激光燒蝕沉積之類的其他沉積工藝可以用于實現(xiàn)柱錐狀生長。
[0031]本領域技術人員在實施要求保護的本發(fā)明時，根據(jù)對于所述圖、本公開內(nèi)容以及所附權利要求書的研宄，可以理解并實現(xiàn)所公開實施例的其他變型。在權利要求書中，措詞“包括”并沒有排除其他的元件或步驟，并且不定冠詞“一”或“一個”并沒有排除多個。單個處理器或其他單元可以實現(xiàn)權利要求中記載的若干項的功能。在相互不同的從屬權利要求中記載某些措施的僅有事實并不指示這些措施的組合不可以有利地加以使用。
[0032]前面的描述詳細說明了本發(fā)明的某些實施例。然而，將認識到的是，不管前述內(nèi)容在文中多么詳細地出現(xiàn)，本發(fā)明都可以以許多方式來實施，并且因此并不限于所公開的實施例。應當指出的是，在描述本發(fā)明的某些特征或方面時使用特定術語不應當被認為暗示該術語在本文中被重新限定為限于包括該術語所與之關聯(lián)的本發(fā)明的特征或方面的任何特定特性。
【主權項】
1.一種發(fā)光器件，包括: a)具有平坦表面(100)的玻璃襯底； b)沉積在所述平坦表面上的高折射率層(11);以及 c)具有沉積在所述高折射率層(11)上的透明電極層(10)的發(fā)光層結(jié)構(200)； d)其中在高折射率層(11)的頂表面上提供凸起(14)，所述凸起(14)由于所述玻璃襯底的所述平坦表面(100)上的層生長的局部擾動的原因而由所述光學厚層(11)的柱錐狀生長造成。
2.依照權利要求1的器件，其中所述玻璃襯底的所述平坦表面(100)包括超細顆粒(12)。
3.依照權利要求1的器件，其中所述平坦表面(100)包括所述玻璃襯底的表面化學成分的局部變化。
4.依照權利要求3的器件，其中所述玻璃襯底的所述表面化學成分包括帶有具有不同氧化態(tài)的元素的材料，其通過提供局部更高的粘附系數(shù)以及因而所述高折射率層(11)的更強勁生長而修改初始生長抑制。
5.依照權利要求1的器件，其中所述高折射率層(11)包括SiNz、S1x,S1zN^ AlOx或A1203:N。
6.依照權利要求1的器件，其中所述透明電極層(10)包括氧化銦錫或者摻雜錫的氧化銦。
7.依照權利要求1的器件，其中所述凸起(14)具有0.5-4 μ m范圍內(nèi)的截面尺度。
8.依照權利要求1的裝置，其中所述玻璃襯底包括浮法玻璃。
9.一種制造發(fā)光器件的方法，所述方法包括: a)對玻璃襯底預處理以便引起所述玻璃襯底平坦表面(100)上的層生長的局部擾動； b)在所述平坦表面(100)上沉積高折射率層(11)，使得由于所述局部擾動而引起的所述光學厚層(11)的柱錐狀生長在所述沉積的層(11)的頂表面上生成凸起(14);以及 c)在所述高折射率層(11)的所述頂表面上沉積發(fā)光層結(jié)構(200)的透明電極層(10)。
10.依照權利要求9的方法，進一步包括在所述平坦表面(100)上沉積超細顆粒(12)。
11.依照權利要求10的方法，進一步包括將所述平坦表面(100)暴露于飽和蝕刻流體，并且移除所述蝕刻流體以便沉積所述超細顆粒(12)。
12.依照權利要求11的方法，進一步包括通過蝕刻犧牲襯底而使蝕刻流體飽和。
13.依照權利要求11的方法，進一步包括通過將種子顆粒引入到蝕刻溶液中而使蝕刻流體飽和。
14.依照權利要求9的方法，進一步包括通過添加具有不同氧化態(tài)的材料并且因而通過局部更強勁的生長修改初始生長抑制而提供所述玻璃襯底的表面化學成分的局部變化。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種通過提供具有經(jīng)調(diào)制的表面的中間層（11）而制造具有改進的內(nèi)部外耦合的發(fā)光器件的方法。這是通過將平坦玻璃表面（100）暴露于飽和蝕刻流體或者通過提供玻璃襯底的表面化學成分的局部變化或者通過沉積局部分離的亞微米顆粒而實現(xiàn)的。通過移除蝕刻流體，或者沉積超細顆粒（12），或者生成由具有相對于后來從氣相沉積的種類高的粘附系數(shù)的亞微米尺寸展度的玻璃組分區(qū)域組成的缺陷。這些超細顆?；蛘呷毕萃ㄟ^不同的粘附系數(shù)引起局部不同的生長，具有優(yōu)選的柱錐狀生長，導致中間層（11）頂表面上的小凸起（14），然后，這些凸起上覆有發(fā)光元件層（200）并且通過后續(xù)的反射引起充分的散射。
【IPC分類】H01L51-52
【公開號】CN104823296
【申請?zhí)枴緾N201380058571
【發(fā)明人】G.F.加伊特納, G.H.里伊特詹斯, J.M.E.巴肯, J.特蛤特, H-P.洛伊布
【申請人】皇家飛利浦有限公司
【公開日】2015年8月5日
【申請日】2013年10月25日
【公告號】EP2917949A1, WO2014072868A1