表現(xiàn)形狀、尺寸、位置關系。
[0154]發(fā)光元件準備工序SlOl是準備圖2所示的結構的發(fā)光元件I的工序。在本實施方式的發(fā)光元件準備工序SlOl中，在一張生長基板11上排列多個發(fā)光元件I的晶片狀態(tài)下形成。此外，在圖6?圖9的各個圖中，坐標軸如圖6A所示那樣，將上下方向設為Z軸方向，將左右方向設為X軸方向，將與紙面垂直的方向設為Y軸。此外，上方向是+Z軸方向。因此，圖6?圖9的各個圖表示了相當于圖1B所示的俯視圖的A-A線的截面的剖視圖。
[0155]具體而言，首先，在由藍寶石等構成的生長基板11的上表面，利用上述的半導體材料，依次層疊η型半導體層12η、發(fā)光層12a及ρ型半導體層12ρ，形成半導體層疊體12。
[0156]若形成半導體層疊體12，則在半導體層疊體12的上表面的一部分區(qū)域通過蝕刻去除P型半導體層12ρ、發(fā)光層12a及η型半導體層12η的一部分，形成η型半導體層12η在底面露出的高低差部分12b。
[0157]此外，形成高低差部分12b的同時，也可以蝕刻發(fā)光元件I彼此的邊界區(qū)域來使η型半導體層12η露出。由此，通過發(fā)光元件準備工序SlOl內(nèi)的后處理，能夠由保護層16覆蓋半導體層疊體12的至少包含發(fā)光層12a的側面。
[0158]另外，關于邊界區(qū)域，也可以以露出生長基板11的方式全部去除半導體層疊體12。由此，在單片化工序Slll中，不需要切割半導體層疊體12，因此通過僅切割由樹脂構成的層就能夠容易進行單片化。另外，在圖6A所示的例子中，完全去除了發(fā)光元件I的邊界區(qū)域的半導體層疊體12。
[0159]接著，在高低差部分12b的底面形成作為片電極的η側電極13。此外，在成為具有P型半導體層12ρ及發(fā)光層12a的發(fā)光區(qū)域的區(qū)域，形成整面電極14，該整面電極14由覆蓋P型半導體層12p的上表面的大致整個面的反射電極14a、和完全覆蓋反射電極14a的上表面及側面的蓋電極14b構成。此外，在蓋電極14b的上表面的一部分形成作為片電極的P側電極15。
[0160]另外，在除了 η側電極13及ρ側電極15的表面以外的晶片的整個表面，例如通過噴射，使用S12等絕緣性材料來形成保護層16。
[0161]通過以上方法，如圖6Α所示，形成晶片狀態(tài)的發(fā)光元件I。
[0162]接著，在線配置工序S102中，如圖6Β所示，針對生長基板11上的各發(fā)光元件I，以連接η側電極13和ρ側電極15的方式利用引線接合器來配置金屬線32。如圖6Β所示，所配置的金屬線32通過引線接合而與ρ側電極15連接，在金屬線32的前端形成凸塊，通過引線接合而與η側電極13連接，在金屬線32的一端通過楔形狀的前端部與η側電極13連接。此時，P側電極15從金屬線32的接合面朝向垂直方向或接近垂直的方向延伸的部分被配置成至少比規(guī)定的高度高。在此，規(guī)定的高度是圖1C所示的第I樹脂層311的上表面的高度，是圖6C中虛線所示的切削線41的高度。
[0163]接著，在第I樹脂層形成工序S103中，如圖6C所示，為了完全封裝發(fā)光元件I及金屬線32，例如通過使用了金屬模具的壓縮成型來形成第I樹脂層311。此時，第I樹脂層311形成為其上表面至少比切削線41的高度高。
[0164]接著，在第I樹脂層切削工序S104中，利用切削裝置，將第I樹脂層311從上表面?zhèn)乳_始與內(nèi)在的金屬線32 —起切削，直至變成切削線41的厚度為止。由此，金屬線32被分離成兩根金屬線32η、32ρ，如圖6D所示，以與第I樹脂層311的上表面成同一面的方式金屬線32的橫截面作為金屬線32η、32ρ的上表面而露出。
[0165]接著，在鍍層形成工序S105中，形成金屬鍍層33η、33ρ。在該工序中包括5個子工序。
[0166]首先，作為第I子工序(種子層形成工序)，在晶片的上表面的全部、即第I樹脂層311的上表面的全部以及金屬鍍層32η、32ρ的上表面的全部，通過噴射法來依次層疊Ni及Au的薄膜，從而形成種子層33a。
[0167]接著，作為第2子工序(鍍層形成工序)，通過電解電鍍，將種子層33a用作電解電鍍的電流路徑，在種子層33a上形成鍍層33b。圖7A表示了在種子層33a上形成了鍍層33b的情況。另外，鍍層33b形成為其上表面的高度至少在規(guī)定高度以上。在此，規(guī)定高度是圖1C所示的第2樹脂層312的上表面的高度，是圖8A中虛線所示的切削線42的高度。
[0168]接著，作為第3子工序(抗蝕劑圖案形成工序)，如圖7B所示，通過光刻法，在鍍層33b的上表面，形成覆蓋成為金屬鍍層33n、33p的區(qū)域的抗蝕劑圖案61。
[0169]接著，作為第4子工序(蝕刻工序)，將抗蝕劑圖案61作為掩模，例如通過濕蝕刻，去除鍍層33b及種子層33a。由此，如圖7C所示，圖案化金屬鍍層33n、33p。
[0170]接著，作為第5子工序(抗蝕劑圖案去除工序)，通過拋光(ashing)或利用藥劑，去除抗蝕劑圖案61，從而如圖7D所示，完成金屬鍍層33η、33p。另外，種子層33a是比鍍層33b足夠薄的層，因此在本說明書中，為了便于說明，將種子層33a及鍍層33b合起來作為金屬鍍層33n、33p來進行說明。
[0171]另外，在第4子工序通過濕蝕刻對鍍層33b及種子層33a進行蝕刻時，除了厚度方向外，還在橫向上各向異性地進行蝕刻。因此，優(yōu)選地，考慮鍍層33b及種子層33a的膜厚、和厚度方向及橫向上的蝕刻率之比，以基于蝕刻的圖案化后的金屬鍍層33n、33p變成俯視時預先確定的間隔及尺寸的方式，較寬地形成抗蝕劑圖案61。
[0172]接著，在第2樹脂層形成工序S106中，如圖8A所示，為了封裝金屬鍍層33n、33p，例如通過使用了金屬模具的壓縮成型來形成第2樹脂層312。此時，第2樹脂層312形成為其上表面至少比切削線42的高度高。
[0173]接著，在第2樹脂層切削工序S107中，利用切削裝置，將第2樹脂層312從上表面?zhèn)乳_始與內(nèi)在的金屬鍍層33n、33p —起切削，直至變成切削線42的厚度為止。由此，如圖SB所示，以與第2樹脂層312的上表面變成同一面的方式，與金屬線32η連接的金屬鍍層33η和與金屬線32ρ連接的金屬鍍層33ρ的上表面露出。
[0174]接著，在外部連接用電極形成工序S108中，如圖8C所示，在金屬鍍層33η、33ρ的上表面及其附近的第2樹脂層312的上表面，形成η側外部連接用電極34η及ρ側外部連接用電極34ρ。
[0175]成為η側外部連接用電極34η及ρ側外部連接用電極34ρ的金屬膜的成膜可使用噴射法。例如，在金屬鍍層33η、33ρ由Cu形成的情況下，優(yōu)選為了獲得與Au層的良好的緊貼性，將Ti層及Ni層按照該順序成膜，在最上層層疊Au層，由此形成金屬膜。
[0176]此外，金屬膜的圖案可使用基于蝕刻的圖案形成法或基于剝離(lift-off)的圖案形成法。
[0177]基于蝕刻的圖案形成法按照如下的順序進行。首先，通過噴射法，在晶片的上表面的整個面、即金屬鍍層33n、33p的上表面以及第2樹脂層312的上表面的整個面形成金屬膜。接著，通過光刻法，形成抗蝕劑圖案，該抗蝕劑圖案覆蓋成為η側外部連接用電極34η及P側外部連接用電極34ρ的區(qū)域。然后，將該抗蝕劑圖案作為掩模，通過蝕刻去除無用的金屬膜，然后去除抗蝕劑圖案。
[0178]此外，基于剝離的圖案形成法按照如下的順序進行。首先，通過光刻法，在形成η側外部連接用電極34η及ρ側外部連接用電極34ρ的區(qū)域，形成具有開口的抗蝕劑圖案。接著，通過噴射法，在晶片上表面的整個面使金屬膜成膜。然后，通過去除抗蝕劑圖案，從而去除在抗蝕劑圖案上形成的無用的金屬膜。
[0179]另外，在將η側外部連接用電極34η及ρ側外部連接用電極34ρ沒有延伸至第2樹脂層312的上表面而是僅形成在金屬鍍層33η、33ρ的上表面的情況下，也可以通過無電解電鍍法，形成η側外部連接用電極34η及ρ側外部連接用電極34ρ。
[0180]接著，在生長基板去除工序S109中，如圖8D所示，例如通過LLO(激光剝離法)或化學剝離法等，剝離生長基板11后去掉。此時，由于半導體層疊體12通過將樹脂層31作為母體的支撐體3得到增強，因此不會受到破裂或皸裂等損傷。
[0181]此外，作為剝離生長基板11之后的后處理，也可以研磨露出的半導體層疊體12的下表面，例如通過濕蝕刻法粗面化來形成凹凸形狀12c(參照圖2B、圖3B)。
[0182]另外，剝離的生長基板11通過將其表面研磨，能夠再次用作使半導體層疊體12晶體生長的生長基板11。
[0183]接著，在熒光體層形成工序(波長變換層形成工序)SllO中，在半導體層疊體12的下表面?zhèn)刃纬蔁晒怏w層2。如上所述，熒光體層2例如通過噴霧涂敷溶劑中含有樹脂及熒光體粒子的楽來形成。
[0184]此外，在發(fā)光元件準備工序SlOl中已完全去除了發(fā)光元件I的邊界區(qū)域的半導體層疊體12的情況下，通過由樹脂構成的層、即熒光體層2及第I樹脂層311，樹脂封裝半導體層疊體12的整個面。
[0185]最后，在單片化工序Slll中，通過沿著在各發(fā)光裝置100的邊界區(qū)域設定的切斷線43進行切割，從而將發(fā)光裝置100單片化。
[0186]另外，在發(fā)光元件準備工序SlOl中已完全去除了發(fā)光元件I的邊界區(qū)域的半導體層疊體12的情況下，由于只有切斷位置是由樹脂構成的層，因此能夠容易進行切割。
[0187]通過以上的工序，完成圖1A?圖1D所示的發(fā)光裝置100。
[0188]此外，如本實施方式所示，若將支撐體3設為第I樹脂層(線埋設層)311及第2樹脂層(鍍層埋設層)312的層疊結構，則能夠基于各樹脂層(第I樹脂層311及第2樹脂層312)的厚度管理作為內(nèi)部布線而內(nèi)在的金屬線32n、32p以及金屬鍍層33n、33p的布線長度。因此，能夠減少發(fā)光裝置100間的散熱性的偏差。其結果，能夠抑制發(fā)光元件I的溫度上升的偏差，能夠降低因溫度上升引起的發(fā)光輸出的偏差。如后述的實施方式那樣，在變更樹脂層的層疊順序或?qū)盈B數(shù)量時也是同樣的。
[0189]〈第2實施方式〉
[0190][發(fā)光裝置的構成]
[0191]接著，參照圖10A，說明第2實施方式及第3實施方式的發(fā)光裝置。
[0192]圖1OA所示的第2實施方式的發(fā)光裝置100A中，支撐體3A具備樹脂層31A，該樹脂層31A從發(fā)光元件I側開始按順序?qū)盈B了第I樹脂層(鍍層埋設層)311A和第2樹脂層(線埋設層)312A而構成，第I樹脂層311A在內(nèi)部作為內(nèi)部布線而具有金屬鍍層33n、33p，第2樹脂層312A在內(nèi)部作為內(nèi)部布線而具有金屬線32n、32p。
[0193]S卩，發(fā)光裝置100A相對于圖1A?圖1D所示的發(fā)光裝置100更換了連接作為內(nèi)部布線的金屬線32η、32p與金屬鍍層33η、33p的順序。此外，在本實施方式中，使用圖3及圖4所示的發(fā)光元件IA作為發(fā)光元件，在發(fā)光元件IA的上表面?zhèn)鹊膹V范圍內(nèi)設置了 η側電極13及ρ側電極15。
[0194]如本實施方式所示，在作為第I層的內(nèi)部布線而使用金屬鍍層33η、33ρ的情況下，能夠?qū)⒔饘馘儗?3n、33p設置成與η側電極13及ρ側電極15的廣范圍相接觸。因此，可提高經(jīng)由η側電極13及ρ側電極15的熱擴散性，能夠有效地抑制發(fā)光裝置10A的溫度上升。
[0195]尤其是，如圖3及圖4所示的發(fā)光元件IA所示，在將η側電極13及ρ側電極15設置在發(fā)光元件IA的上表面?zhèn)鹊膹V范圍內(nèi)、且將金屬鍍層33η、33ρ設置成與η側電極13及P側電極15的廣范圍相接觸的情況下，能夠使η側電極13及P側電極15通過金屬鍍層33η、33ρ而實質(zhì)上構成為厚膜。由此，能夠進一步提高經(jīng)由η側電極13及ρ側電極15的熱擴散性的同時，還能夠提高作為片電極的η側電極13及ρ側電極15內(nèi)的電流的擴散性。
[0196][發(fā)光裝置的動作]
[0197]第2實施方式的發(fā)光裝置100Α與第I實施方式的發(fā)光裝置100相比只有內(nèi)部布線的構成不同。因此，與η側外部連接用電極34η及ρ側外部連接用電極34ρ連接外部電源、并經(jīng)由內(nèi)部布線向發(fā)光元件I的η側電極13及ρ側電極15之間供給電力之后的動作與發(fā)光裝置100相同，因此省略動作的詳細說明。
[0198][發(fā)光裝置的制造方法]
[0199]接著，參照圖11 (適當參照圖5及圖10Α)，說明第2實施方式的發(fā)光裝置100Α的制造方法。
[0200]如圖11所示，發(fā)光裝置100Α的制造方法包括發(fā)光元件準備工序S201、鍍層形成工序S202、第I樹脂層形成工序S203、第I樹脂層切削工序S204、線配置工序S205、第2樹脂層形成工序S206、第2樹脂層切削工序S207、外部連接用電極形成工序S208、生長基板去除工序S209、熒光體層形成工序(波長變換層形成工序)S210和單片化工序S211，按照該順序進彳T各工序。
[0201]首先，在發(fā)光元件準備工序S201中，與第I實施方式的發(fā)光元件準備工序SlOl相同，準備晶片狀態(tài)的發(fā)光元件1A。
[0202]另外，發(fā)光元件IA在發(fā)光元件I的形成中可通過變更形成高低差部分12b的區(qū)域、并且形成保護層16之后變更η側電極13及ρ側電極15延伸至保護層16的上表面的區(qū)域來形成，因此省略詳細的說明。
[0203]接著，在鍍層形成工序S202中，按照以下所示的順序，形成金屬鍍層33η、33ρ。
[020