背接觸式太陽能電池的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明關(guān)于一種背接觸式太陽能電池，尤其是一種利用氧化鉛作為背純化層的背 接觸式太陽能電池。
【背景技術(shù)】
[0002] 在現(xiàn)有的娃晶太陽能電池中，由于背接觸式太陽能電池是將電極設(shè)置于太陽能電 池的背面，W相對(duì)的增加太陽能電池正面受光的面積，進(jìn)而有效的提升太陽能電池的光電 轉(zhuǎn)換效率。
[0003] 請(qǐng)參閱圖1，圖1為現(xiàn)有技術(shù)的背接觸式太陽能電池的剖面示意圖。如圖所示，一 種背接觸式太陽能電池PA100包含一太陽能電池本體PA1W及多個(gè)電極層PA2。而太陽能 電池本體PA1還包含一基材層PA11、一前表面電場(chǎng)層PA12、一前純化層PA13、一抗反射層 PA14、一半導(dǎo)體慘雜層PA15W及多個(gè)背純化層PA16。其中，基材層PA11具有相對(duì)設(shè)置的一 第一表面PA111與一第二表面PA112 ;前表面電場(chǎng)層PA12設(shè)置于第二表面PA112上；而前 純化層PA13設(shè)置于前表面電場(chǎng)層PA12上；抗反射層PA14則設(shè)置于前純化層PA13上；半導(dǎo) 體慘雜層PA15設(shè)置于第一表面PA111上，且半導(dǎo)體慘雜層PA15具有多個(gè)第一型半導(dǎo)體慘 雜區(qū)PA151與多個(gè)與第一型半導(dǎo)體慘雜區(qū)PA151交錯(cuò)排列的第二型半導(dǎo)體慘雜區(qū)PA152 ; 然后，多個(gè)背純化層PA16間隔地設(shè)置于半導(dǎo)體慘雜層PA15上，且背純化層PA16分別接觸 第一型半導(dǎo)體慘雜區(qū)PA151與第二型半導(dǎo)體慘雜區(qū)PA152其中相鄰的二個(gè)上。
[0004] 多個(gè)電極層PA2分別設(shè)置于背純化層PA16之間，并各自接觸露出于背純化層PA16 間的半導(dǎo)體慘雜層PA15。
[0005] 然而，在現(xiàn)有的背接觸式太陽能電池PA100中，背純化層PA16主要是由二氧化娃 Si化、氮化娃SiN、氮氧化娃SiON所組成，且前純化層PA13也同樣是由二氧化娃Si化、氮化 娃SiN、氮氧化娃SiON所組成。
[0006] 如上所述，由于W娃晶為主的太陽能電池大都是利用娃片作為基板再進(jìn)行其他制 程，因此，只要對(duì)娃片加熱而使表面氧化，即可在娃片的表面形成二氧化娃的前純化層，而 二氧化娃可W有效的阻止載子在表面處的復(fù)合，提高少數(shù)載子的生命周期。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 如上所述，雖然在現(xiàn)有技術(shù)中，背接觸式太陽能電池可W利用二氧化娃、氮化娃來 作為背純化層，但為了使背純化層可W提供更佳的純化效果，本案發(fā)明人還利用氧化鉛來 作為背接觸式太陽能電池的背純化層，W提供更佳的純化效果，有效的增加少數(shù)載子的生 命周期，進(jìn)而使背接觸式太陽能電池所能輸出的電流相對(duì)的增加。
[0008] 本發(fā)明為解決現(xiàn)有技術(shù)的問題所采用的技術(shù)方案是提供一種背接觸式太陽能電 池，包含一太陽能電池本體W及多個(gè)電極層。太陽能電池本體包含一基材層、一前表面電場(chǎng) (frontsurfacefield,FSF〇 層、一半導(dǎo)體慘雜層、一背純化層（rearsidepassivation layer)。
[0009] 基材層具有相對(duì)設(shè)置的一第一表面與一第二表面；前表面電場(chǎng)層設(shè)置于第二表面 上；半導(dǎo)體慘雜層設(shè)置于第一表面上，且半導(dǎo)體慘雜層具有多個(gè)第一型半導(dǎo)體慘雜區(qū)W及 多個(gè)與第一型半導(dǎo)體慘雜區(qū)交錯(cuò)排列的第二型半導(dǎo)體慘雜區(qū)；背純化層設(shè)置于半導(dǎo)體慘雜 層上，并開設(shè)有多個(gè)接觸槽，第一型半導(dǎo)體慘雜區(qū)與第二型半導(dǎo)體慘雜區(qū)分別自接觸槽露 出，且背純化層包含一第一背純化層W及一第二背純化層，第一背純化層設(shè)置于半導(dǎo)體慘 雜層上，且第一背純化層的組成包含氧化鉛，第二背純化層設(shè)置于第一背純化層上；多個(gè)電 極層分別設(shè)置于接觸槽內(nèi)，并電連接于半導(dǎo)體慘雜層。
[0010] 如上所述，本發(fā)明所提供的背接觸式太陽能電池通過氧化鉛所形成的背純化層產(chǎn) 生負(fù)電場(chǎng)來降低電子巧lectron)與空穴（electronhole)在表面復(fù)合的速率，W有效的提 高背接觸式太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。
[0011] 根據(jù)上述技術(shù)方案，本發(fā)明的另一種實(shí)施方式是所述氧化鉛包含A1203或 [Al04r。較佳者，氧化鉛具有l(wèi)Xl0i2cnT2至ixi0i4cnT2之間的固定電荷。
[0012] 根據(jù)上述技術(shù)方案，本發(fā)明的另一種實(shí)施方式是基材層為一n型半導(dǎo)體基材層。
[0013] 根據(jù)上述技術(shù)方案，本發(fā)明的另一種實(shí)施方式是第二背純化層選自氮化娃或氧化 娃。
[0014] 根據(jù)上述技術(shù)方案，本發(fā)明的另一種實(shí)施方式是第一型半導(dǎo)體慘雜區(qū)所慘雜的一 第一型半導(dǎo)體為一n型半導(dǎo)體，第二型半導(dǎo)體慘雜區(qū)所慘雜的一第二型半導(dǎo)體為一P型半 導(dǎo)體。
[0015] 根據(jù)上述技術(shù)方案，本發(fā)明的另一種實(shí)施方式是所述第一背純化層的厚度介于 1~40ym之間。
[0016] 根據(jù)上述技術(shù)方案，本發(fā)明的另一種實(shí)施方式是所述第二背純化層的厚度介于 20~120ym之間。
[0017] 根據(jù)上述技術(shù)方案，本發(fā)明的另一種實(shí)施方式是所述背接觸式太陽能電池還包含 一前純化層，設(shè)置于所述前表面電場(chǎng)層上，且所述前純化層的組成包含氧化鉛。
[0018] 根據(jù)上述技術(shù)方案，本發(fā)明的另一種實(shí)施方式是所述背接觸式太陽能電池還包含 一前抗反射層，設(shè)置于所述前純化層上，且所述前抗反射層的組成包含氮化娃。
[0019] 根據(jù)上述技術(shù)方案，本發(fā)明的另一種實(shí)施方式是所述前純化層的厚度介于1~ 40ym之間。
[0020] 根據(jù)上述技術(shù)方案，本發(fā)明的另一種實(shí)施方式是所述前抗反射層的厚度介于 20~120ym之間。
[0021] 本發(fā)明所采用的具體實(shí)施例，將通過W下的實(shí)施例及附圖作進(jìn)一步的說明。
【附圖說明】
[0022] 圖1為現(xiàn)有技術(shù)的背接觸式太陽能電池的剖面示意圖。
[0023] 圖2顯示本發(fā)明較佳實(shí)施例所提供的太陽能電池本體的剖面示意圖。
[0024] 圖3顯示本發(fā)明較佳實(shí)施例所提供的背接觸式太陽能電池的剖面示意圖。
[00巧]圖4顯示本發(fā)明另一實(shí)施例所提供的背接觸式太陽能電池的剖面示意圖。
[0026] 其中，附圖標(biāo)記說明如下：
[0027]【符號(hào)說明】
[002引 PAIOO背接觸式太陽能電池
[0029] PA1 太陽能電池本體
[0030] PA2 電極層
[00；31] PA11 基材層
[0032] PA111 第一表面
[003引 PA112 第二表面
[0034] PA12 前表面電場(chǎng)層
[00對(duì) PA13 前純化層
[003引 PA14 抗反射層
[0037] PA15 半導(dǎo)體慘雜層
[0038] PA151 第一型半導(dǎo)體慘雜區(qū)
[0039] PA152 第二型半導(dǎo)體慘雜區(qū)
[0040] PA16 背純化層
[0041] 100、100' 背接觸式太陽能電池
[0042]i、r 太陽能電池本體
[0043] 11、11' 基材層
[0044] 111、111' 第一表面
[0045] 112、112' 第二表面
[0046] 12、12' 前表面電場(chǎng)層
[0047] 13 前純化層
[004引 14 前抗反射層
[0049]15、15' 半導(dǎo)體慘雜層
[0050] 151、151' 第一型半導(dǎo)體慘雜區(qū)
[0051]152、152' 第二型半導(dǎo)體慘雜區(qū)
[005引 16、16， 背純化層
[0053] 161、161' 接觸槽
[0054] 162、162' 第一背純化層
[00巧]163、163，第二背純化層
[0056] 2、2' 電極層
【具體實(shí)施方式】
[0057] 請(qǐng)同時(shí)參閱圖2及圖3,圖2顯示本發(fā)明較佳實(shí)施例所提供的