一種高儲(chǔ)能電子電容器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及電容器領(lǐng)域，尤其涉及一種高儲(chǔ)能電子電容器。
【背景技術(shù)】
[0002]眾所周知，電容器的基本作用就是充電與放電，但由這種基本充放電作用所延伸出來的許多電路現(xiàn)象，使得電容器有著種種不同的用途，例如在電動(dòng)馬達(dá)中，我們用它來產(chǎn)生相移；在照相閃光燈中，用它來產(chǎn)生高能量的瞬間放電等等；而在電子電路中，電容器不同性質(zhì)的用途尤多，這許多不同的用途，雖然也有截然不同之處，但因其作用均來自充電與放電。
[0003]如今，由于物理化學(xué)的特性的限制，即使最先進(jìn)技術(shù)水平研制的高性能蓄電池在放電功率和連續(xù)充放電壽命等特性方面也存在較大的限制和不足，主要表現(xiàn)在耐壓耐大電流性能上，現(xiàn)有的電容器難以達(dá)到電動(dòng)汽車所需要的要求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種移動(dòng)裝置存儲(chǔ)備忘的方法，用于在通話過程中將通話方信息存儲(chǔ)到備忘錄中，提高移動(dòng)裝置與用戶的智能交互能力。
[0005]一種高儲(chǔ)能電子電容器，包括:第一供電單元和第二供電單元；以及串聯(lián)在第一供電單元與第二供電單元之間的至少兩個(gè)大容量電容器；大容量電容器被布置在基板上的所述MOS電容器上方；大容量電容器是堆疊式電容器，所述堆疊式電容器包括:依次堆疊的下部電極導(dǎo)電層、電介質(zhì)層和上部電極導(dǎo)電層。
[0006]所述至少兩個(gè)大容量電容器包括:第一大容量電容器，所述第一大容量電容器具有與第一供電單兀相連接的第一電極、在第一電極上方形成的第一電介質(zhì)、以及在第一電介質(zhì)上方形成的第二電極；以及第二大容量電容器，所述第二大容量電容器具有與第二供電單元相連接的第三電極、在第三電極上方形成的第二電介質(zhì)、以及在第二電介質(zhì)上方形成的第四電極。
[0007]第一電極和第三電極通過對(duì)沉積在基板上方的由相同材料構(gòu)成的導(dǎo)電層進(jìn)行圖案化而被分離。
[0008]第二電極和第四電極共同地通過單個(gè)導(dǎo)電圖案來形成。
[0009]所述大容量電容器具有在UF范圍內(nèi)的電容。
[0010]所述MOS電容器具有在η F范圍內(nèi)的電容。
[0011]從以上技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明實(shí)施例具有以下優(yōu)點(diǎn):
本發(fā)明在形成具有堆疊式結(jié)構(gòu)的單元電容器時(shí)，可以在外圍電路區(qū)域中相同地形成大容量電容器。也就是說，可以在外圍電路區(qū)域中形成大容量電容器而沒有金屬接點(diǎn)，并且可以將所述大容量電容器布置在MOS電容器上方。
【附圖說明】
[0012]圖1為本發(fā)明高儲(chǔ)能電子電容器的示意圖；
圖2為本發(fā)明高儲(chǔ)能電子電容器另一示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0013]請(qǐng)參閱圖1、圖2，為本發(fā)明實(shí)施例一種高儲(chǔ)能電子電容器的實(shí)施例，包括:
一種高儲(chǔ)能電子電容器，包括:第一供電單元和第二供電單元；以及串聯(lián)在第一供電單元與第二供電單元之間的至少兩個(gè)大容量電容器；大容量電容器被布置在基板上的所述MOS電容器上方；大容量電容器是堆疊式電容器，所述堆疊式電容器包括:依次堆疊的下部電極導(dǎo)電層、電介質(zhì)層和上部電極導(dǎo)電層。
[0014]所述至少兩個(gè)大容量電容器包括:第一大容量電容器，所述第一大容量電容器具有與第一供電單兀相連接的第一電極、在第一電極上方形成的第一電介質(zhì)、以及在第一電介質(zhì)上方形成的第二電極；以及第二大容量電容器，所述第二大容量電容器具有與第二供電單元相連接的第三電極、在第三電極上方形成的第二電介質(zhì)、以及在第二電介質(zhì)上方形成的第四電極。
[0015]第一電極和第三電極通過對(duì)沉積在基板上方的由相同材料構(gòu)成的導(dǎo)電層進(jìn)行圖案化而被分離。
[0016]第二電極和第四電極共同地通過單個(gè)導(dǎo)電圖案來形成。
[0017]所述大容量電容器具有在UF范圍內(nèi)的電容。
[0018]所述MOS電容器具有在η F范圍內(nèi)的電容。
[0019]方向y的母線20的平面圖。另外，示出取自中方向y的母線30的平面圖。母線20具有梯形的形狀，其長底邊對(duì)應(yīng)于母線20的連接端子22側(cè)端部，并且其短底邊對(duì)應(yīng)于與連接端子22相對(duì)的母線20的端部。母線20的較長底邊的長度為Wl，而其較短底邊的長度為W2。另外，母線30具有梯形的形狀，其較長底邊對(duì)應(yīng)于母線30的連接端子32側(cè)端部，并且其較短底邊對(duì)應(yīng)于與連接端子32相對(duì)的母線30的端部。母線30的較長底邊的長度為W1，并且其較短底邊的長度為W2。在這個(gè)實(shí)施例的電容器裝置100中，由于母線20和30被給定了前述形狀，使得電容器元件之間的母線20和30的每一個(gè)的電感彼此不同。
[0020]上面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式作了詳細(xì)說明，但是本發(fā)明并不限于上述實(shí)施方式，在本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所具備的知識(shí)范圍內(nèi)，還可以在不脫離本發(fā)明宗旨的前提下做出各種變化。以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容做出些許更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)，在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡單的修改、等同替換與改進(jìn)等，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種高儲(chǔ)能電子電容器，包括:第一供電單元和第二供電單元；以及串聯(lián)在第一供電單元與第二供電單元之間的至少兩個(gè)大容量電容器；大容量電容器被布置在基板上的所述MOS電容器上方；大容量電容器是堆疊式電容器，所述堆疊式電容器包括:依次堆疊的下部電極導(dǎo)電層、電介質(zhì)層和上部電極導(dǎo)電層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高儲(chǔ)能電子電容器，其中所述至少兩個(gè)大容量電容器包括:第一大容量電容器，所述第一大容量電容器具有與第一供電單兀相連接的第一電極、在第一電極上方形成的第一電介質(zhì)、以及在第一電介質(zhì)上方形成的第二電極；以及第二大容量電容器，所述第二大容量電容器具有與第二供電單元相連接的第三電極、在第三電極上方形成的第二電介質(zhì)、以及在第二電介質(zhì)上方形成的第四電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種高儲(chǔ)能電子電容器，其中第一電極和第三電極通過對(duì)沉積在基板上方的由相同材料構(gòu)成的導(dǎo)電層進(jìn)行圖案化而被分離。
4.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種高儲(chǔ)能電子電容器，其中第二電極和第四電極共同地通過單個(gè)導(dǎo)電圖案來形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高儲(chǔ)能電子電容器，其中所述大容量電容器具有在UF范圍內(nèi)的電容。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種高儲(chǔ)能電子電容器，其中所述MOS電容器具有在nF范圍內(nèi)的電容。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種高儲(chǔ)能電子電容器，包括：第一供電單元和第二供電單元；以及串聯(lián)在第一供電單元與第二供電單元之間的至少兩個(gè)大容量電容器；大容量電容器被布置在基板上的所述MOS電容器上方；大容量電容器是堆疊式電容器，所述堆疊式電容器包括：依次堆疊的下部電極導(dǎo)電層、電介質(zhì)層和上部電極導(dǎo)電層，本發(fā)明在形成具有堆疊式結(jié)構(gòu)的單元電容器時(shí)，可以在外圍電路區(qū)域中相同地形成大容量電容器，也就是說，可以在外圍電路區(qū)域中形成大容量電容器而沒有金屬接點(diǎn)，并且可以將所述大容量電容器布置在MOS電容器上方。
【IPC分類】H01G4-005, H01G4-38, H01G4-40
【公開號(hào)】CN104701015
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410651535
【發(fā)明人】周科豆
【申請(qǐng)人】周科豆
【公開日】2015年6月10日
【申請(qǐng)日】2014年11月17日