有機發(fā)光二極管顯示裝置的制造方法
【專利說明】有機發(fā)光二極管顯示裝置
[0001]相關(guān)申請的交叉引用
[0002]本申請要求于2013年11月28日提交的韓國專利申請第10_2013_0146277號的優(yōu)先權(quán)的權(quán)益，其通過引用并入本文中用于所有目的，如在本文中完全闡述一樣。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003]本公開涉及一種有機發(fā)光二極管顯示裝置。本公開還涉及一種有源矩陣有機發(fā)光二極管顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0004]近來，已開發(fā)了平板顯示(FPD)技術(shù)以制造重量輕并且薄的平板顯示器。在各種平板顯示器中，有機發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置被認為是繼液晶顯示器(LCD)之后的下一代顯示裝置。
[0005]由于OLED顯示裝置不需要背光(與IXD裝置不同)，所以與IXD裝置相比，OLED顯示裝置具有更多的應用的優(yōu)勢。具體地，對于透明顯示器或柔性顯示器而言，OLED顯示裝置更好。
[0006]OLED顯示裝置根據(jù)發(fā)光方向可以分成兩種類型:光穿過其上具有驅(qū)動電路的基板向下部發(fā)射的底部發(fā)光型；以及光朝向基板的與其上具有驅(qū)動電路的相反的上部發(fā)射的頂部發(fā)光型。出于獲得一種包括柔性顯示器的高分辨率OLED顯示裝置的目的，以及出于提高透明顯示器的開口率和透光度的目的，驅(qū)動電路對開口率不具有影響的頂部發(fā)光型OLED顯示裝置已成為近來的焦點。
[0007]在OLED顯示裝置中，下電極的陽極用作像素區(qū)中的像素電極，上電極的陰極用作基板的整個表面上方的公共電極。因此，在底部發(fā)光型的OLED顯示裝置中，從有機材料層發(fā)射的光穿過陽極，而在頂部發(fā)光型OLED顯示裝置中，從有機材料層發(fā)射的光穿過陰極。
[0008]由于陽極一般由透明導電氧化物形成并且陰極一般由金屬形成，所以在頂部發(fā)光型OLED顯示裝置中，用于陰極的金屬形成為薄膜以提高透射率。
[0009]然而，隨著用于陰極的薄膜的厚度減小，陰極的電阻增加并且在圖像的中心部分處的亮度降低。此外，隨著用于陰極的薄膜的厚度增加，陰極的透射率降低并且發(fā)光效率降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]—種有機發(fā)光二極管顯不裝置包括:反射電極和輔助電極；在反射電極和輔助電極上的堤壩層，堤壩層包括分別露出反射電極的一部分和輔助電極的一部分的第一開口部和第二開口部；在輔助電極上的隔尚部，隔尚部設置在第二開口部中；與反射電極的通過堤壩層的第一開口部露出的部分接觸的像素電極，像素電極設置為與隔離部分離開；在像素電極上的有機發(fā)光層，有機發(fā)光層被隔離部劃分，有機發(fā)光層設置為與隔離部分離開；以及在有機發(fā)光層上的公共電極，公共電極連接至輔助電極。
[0011]在另一方面中，一種有機發(fā)光二極管顯示裝置包括:像素電極和輔助電極；在像素電極和輔助電極上的堤壩層，堤壩層包括分別露出像素電極的一部分和輔助電極的一部分的第一開口部和第二開口部；與輔助電極接觸的隔尚部，隔尚部設置在第二開口部中；在第一開口部處接觸像素電極的有機發(fā)光層，有機發(fā)光層設置為與隔離部分離開；以及在有機發(fā)光層上的公共電極，公共電極連接至輔助電極。
[0012]在另一方面中，一種有機發(fā)光二極管顯示裝置包括:像素電極；輔助電極；在像素電極和輔助電極兩者上方的堤壩層，堤壩層限定:露出像素電極的一部分的第一開口 ；露出輔助電極的一部分的第二開口 ；接觸第一開口中的像素電極的有機發(fā)光層；以及在有機發(fā)光層上方并且接觸第二開口中的輔助電極的公共電極，輔助電極減小公共電極的電阻。
[0013]應該理解前述一般描述和下面的詳細描述兩者是示例性的和說明性的，并且旨在提供如所要求保護的本實施方案的進一步說明。
【附圖說明】
[0014]本申請包括附圖以提供對本公開的進一步理解，附圖被并入本文中且構(gòu)成本說明書的一部分，附圖示出實施方案并且與描述一起用于說明本公開的原理。在附圖中:
[0015]圖1是示出根據(jù)本公開第一實施方案的頂部發(fā)光型有機發(fā)光二極管顯示裝置的截面圖。
[0016]圖2是示出根據(jù)本公開第二實施方案的有機發(fā)光二極管顯示裝置的俯視圖。
[0017]圖3A至圖3D是示出制造根據(jù)本公開第一實施方案的發(fā)光二極管顯示裝置的方法的截面圖。
[0018]圖4是示出根據(jù)本公開第二實施方案的有機發(fā)光二極管顯示裝置的截面圖。
[0019]圖5是示出根據(jù)本公開第三實施方案的有機發(fā)光二極管顯示裝置的截面圖。
[0020]圖6是示出根據(jù)本公開第四實施方案的有機發(fā)光二極管顯示裝置的截面圖。
[0021]圖7是示出根據(jù)本公開第五實施方案的有機發(fā)光二極管顯示裝置的截面圖。
[0022]圖8是示出根據(jù)本公開第六實施方案的有機發(fā)光二極管顯示裝置的截面圖。
[0023]圖9A和圖9B是示出根據(jù)本公開第二實施方案至第六實施方案中的每一個的有機發(fā)光二極管顯示裝置的俯視圖。
【具體實施方式】
[0024]現(xiàn)在將詳細參照在附圖中示出其實例的優(yōu)選實施方案。
[0025]圖1是示出根據(jù)本公開第一實施方案的頂部發(fā)光型有機發(fā)光二極管顯示裝置的截面圖。
[0026]在圖1中，頂部發(fā)光型有機發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置包括:基板110、開關(guān)晶體管STR、驅(qū)動晶體管DTR、平坦化層120、反射電極131、輔助電極132、隔離部150、像素電極160、有機發(fā)光層170以及公共電極180。
[0027]基板110可以包括玻璃、金屬以及塑料中之一。此外，基板110可以包括柔性材料，例如聚醚楓(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亞胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚丙烯酸酯、聚酰亞胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纖維素(TAC)以及乙酸丙酸纖維素(CAP)。
[0028]在基板110上形成有開關(guān)晶體管STR和驅(qū)動晶體管DTR。開關(guān)晶體管STR包括:連接至柵極線(未示出)的柵電極(未示出)、連接至數(shù)據(jù)線(未示出)的源電極(未示出)、以及漏電極。將柵極線的柵極信號施加至開關(guān)晶體管STR的柵電極以使開關(guān)晶體管STR導通。當通過柵極信號使開關(guān)晶體管STR導通時，數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)信號從開關(guān)晶體管STR的源電極傳輸至漏電極。此外，開關(guān)晶體管STR的漏電極的數(shù)據(jù)信號傳輸至驅(qū)動晶體管DTR的柵電極(未示出)。驅(qū)動晶體管DTR根據(jù)數(shù)據(jù)信號通過驅(qū)動晶體管DTR的漏電極(未示出)將電源電壓的高電位電壓Vdd和電源電壓的低電位電壓Vss中之一傳輸至反射電極131。
[0029]高電位電壓Vdd可稱為漏極電壓，低電位電壓Vss可稱為源極電壓。由于漏極和源極的名稱根據(jù)晶體管的種類和驅(qū)動方法而變，所以可以將具有相對較高的電壓的漏極電壓稱為高電位電壓Vdd，將具有相對較低的電壓的源極電壓稱為低電位電壓Vss。
[0030]在開關(guān)晶體管STR和驅(qū)動晶體管DTR上形成有平坦化層120。平坦化層120使開關(guān)晶體管STR和驅(qū)動晶體管DTR的不平坦性平坦化，以提高平坦化層120上的有機發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。
[0031]此外，平坦化層120可以包括有機材料:例如，丙烯酸類樹脂(例如聚丙烯酸酯樹脂)、環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、聚酰胺樹脂、聚酰亞胺樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚苯醚樹脂、聚苯硫醚樹脂、光亞克力以及苯并環(huán)丁烯(BCB)。
[0032]可以在開關(guān)晶體管STR、驅(qū)動晶體管DTR與平坦化層120之間形成無機材料(例如硅氧化物(S1x)和硅氮化物(SiNx))的鈍化層(未示出)。
[0033]反射電極131和輔助電極132在平坦化層120上形成并且彼此間隔開。反射電極131連接至驅(qū)動晶體管DTR，并且電源電壓的低電位電壓Vss根據(jù)數(shù)據(jù)信號通過驅(qū)動晶體管DTR供給至反射電極131。反射電極131將低電位電壓Vss傳輸至像素電極160。
[0034]反射電極131可以將從有機發(fā)光層170發(fā)射的光朝向公共電極180反射以由于光量增加而使亮度提高。此外，反射電極131可以與公共電極180形成為具有微腔結(jié)構(gòu)以由于反射電極131與公共電極180之間的光的放大而使亮度進一步提高。
[0035]反射電極131可以包括具有相對高的反射率的材料例如金屬材料用于將從有機發(fā)光層170發(fā)射的光反射。例如，反射電極131可以包括鉬(Mo)、銷(Al)、銀(Ag)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)以及銅(Cu)、以及具有上述至少之一的合金的至少之一。此外，反射電極131可以具有單個層或多個層。
[0036]輔助電極132與反射電極131可以是共面的。此外，輔助電極132可以與反射電極131 —起形成以具有與用于反射電極131的材料至少之一相同的材料。輔助電極132連接至公共電極180以減小公共電極180的電阻。
[0037]由于輔助電極132連接至公共電極180，所以輔助電極132具有與公共電極180相同的電壓。當公共電極180為陰極時，可以將低電位電壓Vss供給至輔助電極132。此外，當公共電極180為陽極時，可以將高電位電壓Vdd供給至輔助電極132。在圖1的第一實施方案中，由于公共電極180用作陽極，所以高電位電壓Vdd供給至輔助電極132，并且輔助電極132連接至公共電極180以減小公共電極180的電阻。
[0038]在反射電極131和輔助電極132上形成有堤壩層140。堤壩層140與反射電極131和輔助電極132的每一個的邊緣部交疊并且覆蓋反射電極131和輔助電極132的每一個的邊緣部，以具有露出反射電極131和輔助電極132的開口部。在通過開口部露出的反射電極131上和在堤壩層140上依次形成有像素電極160和有機發(fā)光層