一種金薄膜的反應離子刻蝕方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及粉末冶金技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種金薄膜的反應離子刻蝕方法。
【背景技術(shù)】
[0002]金由于具有電導率高、熱導率高、化學穩(wěn)定性好和耐蝕性好等優(yōu)點，常作為薄膜器件和半導體器件的導電層材料，用以完成電信號的傳輸。導電金層圖形化可以通過刻蝕技術(shù)實現(xiàn)，它包括濕法刻蝕和干法刻蝕兩種。由于濕法刻蝕在溶液中完成，遵守各向同性的刻蝕機理，具有速度快、裝置簡易和操作簡便等優(yōu)點，但是刻蝕精度低，容易出現(xiàn)鉆蝕現(xiàn)象等缺點使其不適合用于特征尺寸小于3um的微細圖形加工。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明旨在提出一種一種金薄膜的反應離子刻蝕方法。
[0004]本發(fā)明的技術(shù)方案在于:
一種金薄膜的反應離子刻蝕方法，包括以下步驟:
步驟1:沉積薄膜:在清洗后的玻璃基片上沉積厚度為500nm厚的Au薄膜，膜厚均勻性控制在5%以內(nèi)；
步驟2:獲得刻蝕掩膜:使用光刻膠旋涂方法在Au薄膜上勻膠，并通過曝光和顯影獲得刻蝕掩膜；
步驟3:干法刻蝕:
(1)在密閉的真空腔室內(nèi)抽取高真空度至10Pa，以上基板為陽極，與外殼互連接地，下極板為陰極，接入負偏壓，基片放置在陰極上；
(2)反應氣體從上部通人，反應后連同被刻物被位于腔體下部的真空泵管路抽走。
[0005]優(yōu)選地，干法刻蝕中，偏壓分別選擇300V，刻蝕氣體使用Ar氣、O2氣或其混合氣體，氣體流量設定為20mL / min，反應腔室內(nèi)的工作氣壓為0.45 Pa?5.00 Pa，刻蝕時間為 5min ?20mino
[0006]更優(yōu)選地，刻蝕過程中在陰極底部通人循環(huán)冷卻水對基片進行冷卻。
[0007]或者優(yōu)選地，沉積薄膜采用磁控濺射工藝方法。
[0008]或者優(yōu)選地，勻膠采用光刻膠旋涂工藝方法。
[0009]本發(fā)明的技術(shù)效果在于:
本發(fā)明提供的方法簡單，易于操作，通過本發(fā)明提供的方法得帶的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，性能優(yōu)良；且本發(fā)明提供的刻蝕技術(shù)刻蝕過程簡便且速率可控，適于大范圍推廣使用。
【具體實施方式】
[0010]一種金薄膜的反應離子刻蝕方法，包括以下步驟:
步驟1:沉積薄膜:在清洗后的玻璃基片上沉積厚度為500nm厚的Au薄膜，膜厚均勻性控制在5%以內(nèi)； 步驟2:獲得刻蝕掩膜:使用光刻膠旋涂方法在Au薄膜上勻膠，并通過曝光和顯影獲得刻蝕掩膜；
步驟3:干法刻蝕:
(1)在密閉的真空腔室內(nèi)抽取高真空度至lOPa，以上基板為陽極，與外殼互連接地，下極板為陰極，接入負偏壓，基片放置在陰極上；
(2)反應氣體從上部通人，反應后連同被刻物被位于腔體下部的真空泵管路抽走。
[0011]其中，干法刻蝕中，偏壓分別選擇300V，刻蝕氣體使用Ar氣、O2氣或其混合氣體，氣體流量設定為20mL / min，反應腔室內(nèi)的工作氣壓為0.45 Pa?5.00 Pa，刻蝕時間為5min ?20mino
[0012]刻蝕過程中在陰極底部通人循環(huán)冷卻水對基片進行冷卻。
[0013]沉積薄膜采用磁控濺射工藝方法。
[0014]勻膠采用光刻膠旋涂工藝方法。
【主權(quán)項】
1.一種金薄膜的反應離子刻蝕方法，其特征在于:包括以下步驟: 步驟1:沉積薄膜:在清洗后的玻璃基片上沉積厚度為500nm厚的Au薄膜，膜厚均勻性控制在5%以內(nèi)； 步驟2:獲得刻蝕掩膜:使用光刻膠旋涂方法在Au薄膜上勻膠，并通過曝光和顯影獲得刻蝕掩膜； 步驟3:干法刻蝕: (1)在密閉的真空腔室內(nèi)抽取高真空度至lOPa，以上基板為陽極，與外殼互連接地，下極板為陰極，接入負偏壓，基片放置在陰極上； (2)反應氣體從上部通人，反應后連同被刻物被位于腔體下部的真空泵管路抽走。
2.如權(quán)利要求1一種金薄膜的反應離子刻蝕方法，其特征在于:所述的干法刻蝕中，偏壓分別選擇300V，刻蝕氣體使用Ar氣、O2氣或其混合氣體，氣體流量設定為20mL / min,反應腔室內(nèi)的工作氣壓為0.45 Pa?5.00 Pa，刻蝕時間為5min?20min。
3.如權(quán)利要求2—種金薄膜的反應離子刻蝕方法，其特征在于:所述的刻蝕過程中在陰極底部通人循環(huán)冷卻水對基片進行冷卻。
4.如權(quán)利要求1一種金薄膜的反應離子刻蝕方法，其特征在于:所述的沉積薄膜采用磁控濺射工藝方法。
5.如權(quán)利要求1一種金薄膜的反應離子刻蝕方法，其特征在于:所述的勻膠采用光刻膠旋涂工藝方法。
【專利摘要】本發(fā)明涉及粉末冶金技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種金薄膜的反應離子刻蝕方法。一種金薄膜的反應離子刻蝕方法，包括以下步驟：沉積薄膜；獲得刻蝕掩膜；干法刻蝕。本發(fā)明提供的方法簡單，易于操作，通過本發(fā)明提供的方法得帶的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，性能優(yōu)良；且本發(fā)明提供的刻蝕技術(shù)刻蝕過程簡便且速率可控，適于大范圍推廣使用。
【IPC分類】B81C1-00, C23C14-35, H01L21-02
【公開號】CN104681409
【申請?zhí)枴緾N201410689309
【發(fā)明人】趙兵
【申請人】趙兵
【公開日】2015年6月3日
【申請日】2014年11月26日