顯示裝置的制造方法
【專利說明】 曰f駐罷業(yè)不表直
[0001]本申請(qǐng)要求2013年11月25日提交的韓國專利申請(qǐng)10-2013-0143533的優(yōu)先權(quán),在此援引該專利申請(qǐng)的全部內(nèi)容作為參考。
技術(shù)領(lǐng)域
[0002]本發(fā)明涉及一種顯示裝置。本發(fā)明尤其涉及一種能夠以5mmR以下的曲率半徑彎曲的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0003]一般來說,與陰極射線管(CRT)相比,液晶顯示(IXD)裝置、等離子顯示面板(PDP)和有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置具有外形薄、重量輕、低功耗和低驅(qū)動(dòng)電壓的特點(diǎn)。如此,IXD裝置、PDP和OLED顯示裝置被廣泛應(yīng)用于各種設(shè)備。特別是,OLED顯示裝置由于使用自發(fā)光元件而具有諸如高響應(yīng)時(shí)間、高發(fā)光效率、高亮度和寬視角的特點(diǎn)。
[0004]代替采用玻璃基板的硬顯示裝置,近來的技術(shù)發(fā)展使得柔性顯示裝置作為一種顯示領(lǐng)域的新技術(shù)而受到人們關(guān)注。在諸如塑料基板等的薄基板上實(shí)現(xiàn)柔性顯示裝置。如此,柔性顯示裝置能夠像紙一樣彎折或卷曲而沒有任何損害。因此,作為下一代顯示裝置,正在積極研發(fā)柔性顯示裝置。
[0005]根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的柔性顯示裝置由于貼附到其上表面和下表面的功能膜而必須具有不小于300 μπι的面板厚度。該面板厚度使得柔性顯示裝置不能在一固定曲率半徑以下進(jìn)行物理彎曲。由于該原因,現(xiàn)有技術(shù)的柔性顯示裝置的顯示質(zhì)量必然劣化。
[0006]可在該固定曲率半徑以下強(qiáng)制地彎曲面板。在該情形中,當(dāng)之后進(jìn)行覆蓋窗的層疊工藝時(shí)會(huì)產(chǎn)生大量氣孔。此外,面板由于其彈性特性會(huì)與覆蓋窗分離。
[0007]為解決該問題,需要一種適于彎曲柔性基板并提高顯示質(zhì)量的顯示裝置。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0008]因此,本發(fā)明涉及一種基本上克服了由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺點(diǎn)而導(dǎo)致的一個(gè)或多個(gè)問題的顯示裝置。
[0009]本發(fā)明提供了一種適于容易地彎曲柔性基板并提高顯示質(zhì)量的顯示裝置。
[0010]在下面的描述中將列出本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn),這些特征和優(yōu)點(diǎn)的一部分從下面的描述將是顯而易見的,或者可從本發(fā)明的實(shí)施領(lǐng)會(huì)到。通過說明書、權(quán)利要求以及附圖中特別指出的結(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)和獲得本發(fā)明的這些優(yōu)點(diǎn)。
[0011 ] 根據(jù)本發(fā)明的一般方面,一種顯示裝置,包括:柔性基板,所述柔性基板被界定成第一區(qū)域、從所述第一區(qū)域的邊緣彎曲的第二區(qū)域、以及從所述第二區(qū)域向外擴(kuò)展的第三區(qū)域;設(shè)置在所述基板上的薄膜晶體管層;設(shè)置在所述薄膜晶體管層上的有機(jī)發(fā)光層;設(shè)置在所述有機(jī)發(fā)光層上的封裝層;設(shè)置在所述封裝層上的偏振層;和設(shè)置在所述偏振層上的覆蓋窗,其中所述偏振層與所述基板的第一和第三區(qū)域相對(duì)的形成在所述封裝層上。
[0012]根據(jù)下面附圖和詳細(xì)描述的解釋,其他系統(tǒng)、方法、特征和優(yōu)點(diǎn)對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說將是或?qū)⒆兊蔑@而易見。所有這種額外的系統(tǒng)、方法、特征和優(yōu)點(diǎn)意在包含在該說明書中,在本發(fā)明的范圍內(nèi)并由下面的權(quán)利要求保護(hù)。該部分中不應(yīng)解釋為對(duì)權(quán)利要求的限制。下面結(jié)合實(shí)施方式討論進(jìn)一步的方面和優(yōu)點(diǎn)。應(yīng)當(dāng)理解,本發(fā)明前面的一般性描述和下面的詳細(xì)描述都是典型性的和解釋性的,意在提供如權(quán)利要求所述的本發(fā)明進(jìn)一步的解釋。
【附圖說明】
[0013]給本發(fā)明提供進(jìn)一步理解并組成說明書一部分的附圖圖解了本發(fā)明的實(shí)施方式并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。在附圖中:
[0014]圖1是根據(jù)本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施方式的顯示裝置的透視圖;
[0015]圖2是顯示沿圖1的線A-A’的顯示裝置的剖面圖;
[0016]圖3是顯示沿圖1的線B-B’的顯示裝置的剖面圖;
[0017]圖4是顯示根據(jù)本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施方式的顯示裝置的一部分的剖面圖;
[0018]圖5是顯示根據(jù)本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施方式的顯示裝置的一部分的剖面圖;
[0019]圖6是顯示根據(jù)本發(fā)明第三個(gè)實(shí)施方式的顯示裝置的一部分的剖面圖;
[0020]圖7是顯示根據(jù)本發(fā)明第四個(gè)實(shí)施方式的顯示裝置的一部分的剖面圖;
[0021]圖8是顯示根據(jù)本發(fā)明第五個(gè)實(shí)施方式的顯示裝置的一部分的剖面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022]現(xiàn)在將詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施方式,附圖中圖解了這些實(shí)施方式的一些例子。之后引入的這些實(shí)施方式僅僅是為了給本領(lǐng)域普通技術(shù)人員傳達(dá)其精神而提供的例子。因此,可以以不同的形式實(shí)施這些實(shí)施方式,因此并不限于這里所述的這些實(shí)施方式。此外,為了附圖中方便,放大表示了裝置的尺寸和厚度。只要可能,在包括附圖的整個(gè)說明書中將使用相同的參考標(biāo)記表示相同或相似的部件。
[0023]圖1是根據(jù)本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施方式的顯示裝置的透視圖。圖2是顯示沿圖1的線A-A’的顯示裝置的剖面圖。圖3是顯示沿圖1的線B-B’的顯示裝置的剖面圖。圖4是顯示根據(jù)本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施方式的顯示裝置的一部分的剖面圖。
[0024]參照?qǐng)D1到4,根據(jù)本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施方式的顯示裝置1000包括基板100、設(shè)置在基板100上的薄膜晶體管層200、以及設(shè)置在薄膜晶體管層200上的有機(jī)發(fā)光層300。此外,顯示裝置1000包括設(shè)置在有機(jī)發(fā)光層300上的封裝層400、設(shè)置在封裝層400上的偏振層500、以及設(shè)置在偏振層500上的覆蓋窗600。
[0025]基板100可形成為四邊形板的形狀。例如,基板100可形成為矩形板的形狀。此夕卜,基板100可由柔性材料形成。作為基板100的例子,可使用塑料基板。
[0026]為了很好地耐受高溫,塑料基板100可由具有出色抗熱特性的塑料聚合物材料形成。例如,塑料基板100可由諸如聚醚砜PES、聚丙烯酸酯PAR、聚醚酰亞胺PE1、聚萘二甲酸乙二醇酯PEN、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯PET等塑料聚合物形成??蛇x擇地,基板100可成為由鋁Al、銅Cu等形成的金屬基板。
[0027]基板100被界定成用于顯示圖像的第一區(qū)域1AA、第二區(qū)域2AA和第三區(qū)域3AA。
[0028]第一區(qū)域IAA用作顯示圖像的顯示區(qū)域。第二區(qū)域2AA為第一區(qū)域IAA的邊緣區(qū)域。第二區(qū)域2AA可從第一區(qū)域IAA的邊緣向下彎曲。實(shí)際上,第二區(qū)域2AA可基于第一區(qū)域IAA以5mmR以下的曲率半徑向下彎曲。該第二區(qū)域2AA可為非顯示區(qū)域。
[0029]通過從第二區(qū)域2AA向外擴(kuò)展(expanding)來制備第三區(qū)域3AA。此外,第三區(qū)域3AA成為顯示裝置1000的側(cè)表面。而且,第三區(qū)域3AA可用作另一顯示區(qū)域。實(shí)際上,第三區(qū)域3AA可顯示包括電源狀態(tài)、按鍵等的圖像。
[0030]在基板100上設(shè)置薄膜晶體管層200。
[0031]薄膜晶體管層200配置成包括數(shù)據(jù)線、開關(guān)薄膜晶體管、驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管、存儲(chǔ)電容器、電源電壓供給線、地電壓供給線等。薄膜晶體管可以是η-型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)或P-型MOSFET。這種薄膜晶體管對(duì)于普通技術(shù)人員來說是公知的。如此,將省略薄膜晶體管的詳細(xì)描述。
[0032]在薄膜晶體管層200上設(shè)置有機(jī)發(fā)光層300。
[0033]有機(jī)發(fā)光層300包括依次形成在薄膜晶體管層200上的第一電極層(未示出)、空穴注入層(未示出)、空穴傳輸層(未示出)、發(fā)光層(未示出)、電子傳輸層(未示出)、電子注入層(未示出)和第二電極層(未示出)。
[0034]第一電極層可穿過緩沖層(未示出)、覆蓋層(未示出)和鈍化膜(未示出)并與形成在柔性基板100上的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管接觸。此外,第一電極層可根據(jù)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的連接結(jié)構(gòu)成為陰極電極或具有反射膜的陽極電極。而且,第一電極層可由包括諸如ITO(氧化銦錫)、IZO(氧化銦鋅)等氧化物的透明導(dǎo)電材料形成。此外,第一電極層可形成在由不透明金屬材料形成的反射膜上并以像素為單位被構(gòu)圖。第一電極層可將從驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管施加的空穴通過空穴注入層和空穴傳輸層傳輸至發(fā)光層。
[0035]當(dāng)?shù)谝浑姌O層用作陽極電極時(shí),第二電極層用作陰極電極。此外,第二電極層可由金屬材料形成單層結(jié)構(gòu)。可選擇地,第二電極層可由夾在有機(jī)層之間的至少兩個(gè)金屬層形成多層結(jié)構(gòu)。
[0036]可在有機(jī)發(fā)光層300上設(shè)置封裝層400。
[0037]封裝層400用于保護(hù)有機(jī)發(fā)光層300。此外,封裝層400可保護(hù)薄膜晶體管層200。
[0038]封裝層400可以是有機(jī)絕緣層和絕緣膜之一。有機(jī)絕緣層可由選自包括苯并環(huán)丁烯BCB、丙烯酸基有機(jī)化合物、氟代聚芳醚FPAE、全氟樹脂(cytop)和八氟環(huán)丁烷PFCB的材料組中的一種形成。
[0039]在封裝層400上形成偏振層500。
[0040]偏振層500用于使光偏振。此外,偏振層500可以是包括偏振粒子的樹脂膜。而且,偏振層500與基板100的第一區(qū)域IAA和第三區(qū)域3AA相對(duì)的形成在封裝層400上??赏ㄟ^在包括基板100的第一區(qū)域1AA、第二區(qū)域2AA和第三區(qū)域3AA的封裝層400的整個(gè)表面上形成偏振材料層,且之后與基板100的第二區(qū)域2AA相對(duì)的從封裝層400去除偏振材料層來制備該偏振層500。
[0041]基板100的第二區(qū)域2AA對(duì)應(yīng)于面板的彎曲區(qū)域。如此,當(dāng)從第二區(qū)域2AA去除偏振層500時(shí),面板的厚度減小。據(jù)此,面板能以5mmR以下的曲率半徑彎曲。
[0042]偏振層500的去除區(qū)域設(shè)置成與基板100的第二區(qū)域2AA相同的尺寸,但并不限于此。換句話說,偏振層500的去除區(qū)域可設(shè)置成比基板100的第二區(qū)域2AA窄??蛇x擇地,偏振層500的去除區(qū)域可設(shè)置成比基板100的第二區(qū)域2AA寬。在該情形中,偏振層500的去除區(qū)域可一直擴(kuò)展至基板100的第一區(qū)域IAA和第三區(qū)域3AA。
[0043]在偏振層500上設(shè)置覆蓋窗600。
[0044]覆蓋窗600用于保護(hù)面板。此外,覆蓋窗600可由柔性材料形成。例如,覆蓋窗600可由塑料材料、玻璃和金屬材料中的一種形成。
[0045]圖5是顯示根據(jù)本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施方式的顯示裝置的一部分的剖面圖。
[0046]參照?qǐng)D5,根據(jù)本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施方式的顯示裝置包括基板100、設(shè)置在基板100上的薄膜晶體管層200、設(shè)置在薄膜晶體管層200上的有機(jī)發(fā)光層300、設(shè)置在有機(jī)發(fā)光層300上的封裝層400、設(shè)置在封裝層400上的偏振層500以及設(shè)置在偏振層500上的覆蓋窗600。除了偏振層500之外,第二個(gè)實(shí)施方式的顯示裝置具有與第一個(gè)實(shí)施方式相同的結(jié)構(gòu)。如此,將省略與第一個(gè)實(shí)施方式重復(fù)的第二個(gè)實(shí)施方式的描述。
[0047]基板100被界定成第一區(qū)域1AA、第二區(qū)域2AA和第三區(qū)域3AA。
[0048]第一區(qū)域IAA用作顯示圖像的顯示區(qū)域。第二區(qū)域2AA為第一區(qū)域IAA的邊緣區(qū)域。第二區(qū)域2AA從第一區(qū)域IAA的邊緣向下彎曲。實(shí)際上,第二區(qū)域2AA可基于第一區(qū)域IAA以5_R以下的曲率半徑向下