顯示裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種顯示裝置，例如可應用于具有發(fā)光元件的顯示裝置。
【背景技術】
[0002]有機發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting D1de:0LED)元件是通過向由有機薄膜構成的發(fā)光層注入正負電荷而將電能轉換為光能進行發(fā)光的兀件。具備有機發(fā)光二極管元件作為發(fā)光元件的發(fā)光型顯示裝置(下稱為“0LED顯示裝置”)與以液晶顯示裝置為代表的非發(fā)光型顯示裝置不同，由于是自發(fā)光型，所以不需要背光燈等輔助光源，所以薄型、輕量。進而，OLED顯示裝置具有視角廣、顯示的響應速度快之類的特征。
[0003]另一方面，在OLED顯示裝置中，例如，在下部電極上，規(guī)定有由厚膜的隔堤(形成使下部電極的局部露出那樣的發(fā)光部(也稱為發(fā)光區(qū)域或發(fā)光區(qū))的堤狀構造或鄰接像素間的隔離構造)構成各像素的發(fā)光元件(發(fā)光層)的上述發(fā)光區(qū)，所述厚膜的隔堤由有機絕緣材料形成。而且，具有在該隔堤及下部電極上形成發(fā)光層，進而由上部電極覆蓋其上層的構造。下部電極和上部電極在發(fā)光區(qū)的外周通過隔堤來絕緣。專利文獻I公開了如下的技術，g卩，由于將OLED顯示裝置的發(fā)光區(qū)域在像素間隔開的絕緣膜(所謂隔堤層)的原因，由某像素產(chǎn)生的光往往從與該像素鄰接的另一像素區(qū)域漏出而成為雜散光，通過由膜厚薄且錐度小的無機絕緣膜形成隔堤，來防止來自鄰接像素的漏光(日本特開2005 - 5227號公報)。
[0004]專利文獻1:日本特開2005 - 5227號公報
[0005]本申請發(fā)明者們發(fā)現(xiàn)，利用隔堤邊緣的平面形狀，從鄰接像素漏出的光的狀況會發(fā)生變化。
[0006]S卩，當如專利文獻I公開的隔堤邊緣的平面形狀即、將鄰接的像素彼此的中心連結的線段的方向和由隔堤邊緣形成的線段的方向正交時，就會更多地發(fā)生漏光。
[0007]其他課題和新的特征從本發(fā)明公開的內(nèi)容及附圖中即可明白。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0008]當對本發(fā)明公開中的代表性的概要進行簡單說明，則如下所述。
[0009]S卩，將顯示裝置的像素的發(fā)光區(qū)域的形狀即、隔堤開口部的邊緣的形狀制成如下。即、由隔堤邊緣形成的大致線狀部分(線段)的方向相對于最近鄰接的像素的方向不正交(變成銳角或鈍角的角度)。
[0010]根據(jù)上述顯示裝置，可抑制隔堤形狀引起的漏光。
【附圖說明】
[0011]圖1是實施例的顯示裝置的一個像素附近的示意剖面圖；
[0012]圖2是示意地表示實施例的顯示裝置的整體布局的方框圖；
[0013]圖3是構成實施例的顯示部的有源矩陣的等效電路圖；
[0014]圖4A是實施例的顯示部的部分平面圖；
[0015]圖4B是變形例I的顯示部的部分平面圖；
[0016]圖4C是變形例2的顯示部的部分平面圖；
[0017]圖4D是變形例3的顯示部的部分平面圖；
[0018]圖5是變形例4的顯示部的部分平面圖；
[0019]圖6是表示比較例的OLED顯示裝置的概要構造的平面圖；
[0020]圖7A是表示對比較例的漏光狀況進行了光學模擬后的結果的圖；
[0021]圖7B是表示圖7A中的隔堤開口形狀的圖；
[0022]圖8是表示比較例的OLED顯示裝置的局部概要構造的剖面示意圖；
[0023]圖9是表示實施例的防漏光構造的概要構造的局部剖面示意圖；
[0024]圖10是表示變形例I的光取出構造的概要構造的局部剖面示意圖；
[0025]圖1lA是表示隔堤開口形狀的圖；
[0026]圖1lB是表示隔堤開口形狀的圖；
[0027]圖1lC是表示隔堤開口形狀的圖；
[0028]圖1lD是表示隔堤開口形狀的圖；
[0029]圖1lE是表示隔堤開口形狀的圖；
[0030]圖1lF是表示隔堤開口形狀的圖；
[0031]圖1lG是表示隔堤開口形狀的圖。
[0032]符號說明
[0033]I顯示裝置
[0034]2顯示部
[0035]3數(shù)據(jù)驅動電路
[0036]4掃描驅動電路
[0037]5柵極線
[0038]6 基板
[0039]7數(shù)據(jù)線
[0040]21 隔堤
[0041]42像素電極
[0042]43隔堤開口部
[0043]70有機發(fā)光二極管元件(發(fā)光元件)
[0044]P00發(fā)光像素
【具體實施方式】
[0045]下面，利用附圖對比較例、實施例及變形例進行說明。其中，在下面的說明中，在同一構成兀件上附帶同一符號，省略重復的說明。
[0046](在本發(fā)明公開之前研究出的技術)
[0047]在OLED顯示裝置中，通常，由絕緣層(以下，也稱為隔堤)覆蓋構成發(fā)光元件(有機發(fā)光二極管元件)的下部電極的周緣部或非發(fā)光部，隔堤的開口部相當于發(fā)光區(qū)域。另夕卜，包含發(fā)光元件及隔堤在內(nèi)的顯示部其整個面都由透明的密封材料來覆蓋，進而，在其上部配置有透明基板，由透明的填充劑填滿它們之間的間隙進行固體密封。
[0048]像素配置成矩陣狀，各像素的發(fā)光區(qū)域的形狀通常是以矩形為基調(diào)的形狀，隔堤形成為具有大致矩形狀開口的大致格柵狀。探討研究了如下的內(nèi)容，即、在這種構造的OLED顯示裝置中，作為發(fā)光元件，使用發(fā)白色光的有機發(fā)光二極管元件，通過在發(fā)光元件的光取出側設置紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)這三原色的彩色濾光片，或者在RGB基礎上還設置白色(W)的彩色濾光片，來實現(xiàn)全彩色的顯示裝置。
[0049]在這種OLED顯示裝置中，例如，在進行R的單色顯示時，其色度有可能不會變成根據(jù)發(fā)光元件的發(fā)光光譜和R的彩色濾光片的透過率而預想的值，色純度有可能下降。原色(單色)的色純度的下降也會產(chǎn)生顯示裝置的色再現(xiàn)范圍縮小。
[0050]研究了其原因的結果判明，色是與對應于所期望的色的像素不同的色，從本來不應該發(fā)光的像素區(qū)域漏光。從分析的結果可知，來自非發(fā)光像素的漏光是隔堤引起的。下面，對在本發(fā)明公開之前研究出的技術(下稱比較例)的漏光進行說明。
[0051]圖6是表示比較例的OLED顯示裝置的概要構造的平面圖。下部電極62(以下，也稱為像素電極62)的形狀為長方形，像素開口部(隔堤開口部)63的形狀也是長方形，像素開口部63比像素電極小。隔堤61覆蓋像素開口部63以外的電極62等。在比較例中，由于從與發(fā)光像素Pc?鄰接的非發(fā)光像素漏光，所以會產(chǎn)生色純度的下降或顯示的模糊。圖6表不的是漏光部位64。
[0052]圖7A是表示對比較例的漏光狀況進行了光學模擬后的結果的圖，在配置有長寬5X5的子像素的區(qū)域中，顯示的是僅中央的子像素發(fā)光時的面內(nèi)的亮度分布(等亮度線)。圖7B是表示圖7A中的隔堤開口形狀的圖?？芍瑥呐c發(fā)光像素Pc?鄰接的像素PmP^P?！?、P —K1的隔堤開口部62的邊緣(隔堤邊緣)附近產(chǎn)生漏光。另外，從發(fā)光像素Pc?的鄰接的像素以外的像素Ρ,ΡορΡ-,Ροι的隔堤邊緣附近也產(chǎn)生漏光。另一方面，相對于發(fā)光像素P。。，在位于斜右上方向的像素pn、P22、P21、P12、位于斜右下方向的像素P1 - 1、P2 -2、P2 —
1、卩1-2、位于斜左下方向的像素13-1-1、？-2-2、？-2-1、？ — 1-2、位于斜左上方向的像素？一n、P —22、P —21、P —12 中，漏光較少。
[0053]圖8是表示該漏光現(xiàn)象的說明圖，且是OLED顯示裝置的局部概要構造的剖面示意圖。如圖所示，漏光主要是模仿隔堤61的形狀而發(fā)生在成為凸部的密封材料600和填充材料500的界面的反射引起的路徑(第一路徑)81、密封材料600和隔堤61的界面的反射引起的路徑(第二路徑)82上，都是隔堤形狀引起的。
[0054]