0.5-1.5微米。通過在密封膠的表面形成黑膠層，可以顯著增強密封膠層的抗堿性，進而提高復(fù)合保護層的保護作用。
[0035]根據(jù)本發(fā)明的具體實施例，將黑膠進行高溫固化可以在120攝氏度下烘烤2小時完成。由此可以使得形成的黑膠層與密封膠層緊密結(jié)合，增強密封膠層的抗堿性，進而提高復(fù)合保護層的保護作用。
[0036]根據(jù)本發(fā)明的具體實施例，密封膠層的端面距離黑膠層的端面850-950微米。即黑膠層對密封膠層進行封蓋后超出部分的長度。由此密封膠層完全被黑膠層覆蓋，進而提密封膠層的耐堿性，進而提高復(fù)合保護層的保護作用。
[0037]根據(jù)本發(fā)明的具體實施例，最終在體硅的預(yù)保護區(qū)域表面形成由密封膠層和黑膠層組成的復(fù)合保護層，根據(jù)本發(fā)明的具體示例，復(fù)合保護層的厚度為13微米由此可以有效地防止刻蝕液侵蝕，達到有效保護體硅的目的。
[0038]根據(jù)本發(fā)明的具體實施例，對保護后的體硅進行深刻蝕可以采用85攝氏度的濃度為33%的氫氧化鉀溶液進行。由此，通過上述保護方法形成的復(fù)合保護層可以有效地防止?jié)穹ㄉ羁涛g時刻蝕溶液對轉(zhuǎn)移過程中體硅側(cè)面及硅片間粘接劑的預(yù)保護區(qū)域的損害，進而彌補現(xiàn)有濕法深刻蝕的缺陷，提高產(chǎn)品的質(zhì)量。
[0039]根據(jù)本發(fā)明的再一個實施例，可以對Si02/Si3N4保護后的體硅進行光刻后，再在完成了光刻蝕后的體硅的預(yù)保護區(qū)域進行密封膠層-黑膠層的復(fù)合保護層保護，以便進一步進行轉(zhuǎn)移工藝處理。由此可以完成對體硅的圖形化基底轉(zhuǎn)移。
[0040]根據(jù)本發(fā)明的具體實施例，最后在完成濕法深刻蝕后可以將除去復(fù)合保護層的體娃在去尚子水中進行清洗。由此提尚廣品的品質(zhì)。
[0041]實施例
[0042]轉(zhuǎn)移工藝:將硅片上生長好的碳納米管圖形轉(zhuǎn)移到玻璃基底上。首先在硅片I上生長一層碳納米管薄膜2 (如圖1所示)，刻蝕碳納米管進行圖形化(如圖2所示)，在碳管頂端鍍金3，后將鍍完金的碳管基底與玻璃基底4粘接(如圖3所示)。
[0043]在體硅的反面、側(cè)面和正面的邊緣涂敷密封膠5，晾干約10分鐘后，形成約11.050微米的密封膠層(如圖4所示)。在密封膠層的表面涂敷黑膠，將涂敷完黑膠后的體硅在120攝氏度的烘箱中烘烤2小時，使黑膠固化，取出冷卻。在密封膠層的表面形成厚度約為I微米的黑膠層6 (如圖5所示)，由此在體硅的預(yù)保護的區(qū)域上形成復(fù)合保護層，完成對體硅的保護。進一步地將保護后的體硅浸泡在溫度為85攝氏度的濃度為33%的氫氧化鈉溶液中，對體硅進行深刻蝕，完成深刻蝕后。最后用鑷子剝離經(jīng)過深刻蝕后的體硅外表面的復(fù)合保護層，并在去離子水中進行清洗，得到體硅刻蝕產(chǎn)品，如圖6所示。
[0044]該保護方法操作簡單，無需復(fù)雜設(shè)備，保護層的去除比較容易，整體深刻蝕及轉(zhuǎn)移過程效果良好，成本低。
[0045]在本說明書的描述中，參考術(shù)語“一個實施例”、“一些實施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點包含于本發(fā)明的至少一個實施例或示例中。在本說明書中，對上述術(shù)語的示意性表述不必針對的是相同的實施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點可以在任一個或多個實施例或示例中以合適的方式結(jié)合。此外，在不相互矛盾的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以將本說明書中描述的不同實施例或示例以及不同實施例或示例的特征進行結(jié)合和組合。
[0046]盡管上面已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實施例，可以理解的是，上述實施例是示例性的，不能理解為對本發(fā)明的限制，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本發(fā)明的范圍內(nèi)可以對上述實施例進行變化、修改、替換和變型。
【主權(quán)項】
1.一種體硅濕法深刻蝕的保護方法，所述體硅的一個表面上形成有待轉(zhuǎn)移的圖形化結(jié)構(gòu)層，所述圖形化結(jié)構(gòu)層的遠離所述體硅的一個表面與轉(zhuǎn)移基底相連，其特征在于，包括: 在由體硅、圖形化結(jié)構(gòu)層和轉(zhuǎn)移基底形成的整體的外表面的預(yù)保護區(qū)域上涂敷密封膠，以便形成密封膠層； 在所述密封膠的表面涂敷黑膠，以便形成黑膠層； 將黑膠層進行高溫固化，以便在所述預(yù)保護區(qū)域上形成復(fù)合保護層； 利用刻蝕溶液對表面形成所述復(fù)合保護層后的體硅進行深刻蝕，以便將所述體硅刻蝕掉；以及 除去所述復(fù)合保護層，以便完成所述圖形化結(jié)構(gòu)層轉(zhuǎn)移到所述轉(zhuǎn)移基底上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保護方法，其特征在于，所述預(yù)保護區(qū)域為由體硅、圖形化結(jié)構(gòu)層和轉(zhuǎn)移基底形成的整體的正面的一部分、反面和側(cè)面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的保護方法，其特征在于，所述密封膠層的厚度為11-12微米，所述黑膠層的厚度為0.5-1.5微米。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的保護方法，其特征在于，所述復(fù)合保護層的厚度為13微米。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項所述的保護方法，其特征在于，所述高溫固化是在120攝氏度下烘烤2小時完成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項所述的保護方法，其特征在于，所述深刻蝕是采用85攝氏度的濃度為33%的氫氧化鉀溶液進行。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項所述的保護方法，其特征在于，所述密封膠層的端面離所述黑膠層的端面850-950微米。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項所述的保護方法，其特征在于，進一步包括:將除去所述復(fù)合保護層的體硅在去離子水中進行清洗。
【專利摘要】本發(fā)明提出了一種體硅濕法深刻蝕的保護方法，所述體硅的一個表面上形成有待轉(zhuǎn)移的圖形化結(jié)構(gòu)層，所述圖形化結(jié)構(gòu)層的遠離所述體硅的一個表面與轉(zhuǎn)移基底相連，該方法包括：在由體硅、圖形化結(jié)構(gòu)層和轉(zhuǎn)移基底形成的整體的外表面的預(yù)保護區(qū)域上涂敷密封膠，以便形成密封膠層；在密封膠的表面涂敷黑膠，以便形成黑膠層；將黑膠層進行高溫固化，以便在預(yù)保護區(qū)域上形成復(fù)合保護層；利用刻蝕溶液對表面形成復(fù)合保護層后的體硅進行深刻蝕，以便將體硅刻蝕掉；以及除去復(fù)合保護層，以便完成圖形化結(jié)構(gòu)層轉(zhuǎn)移到轉(zhuǎn)移基底上。該方法可以有效地對體硅的側(cè)面及轉(zhuǎn)移工藝中兩片基底中間的粘接劑進行保護，工藝簡單，無需復(fù)雜設(shè)備，成本低，耗時短。
【IPC分類】H01L21-311
【公開號】CN104599964
【申請?zhí)枴緾N201510032873
【發(fā)明人】劉澤文, 張磊, 龔著浩
【申請人】清華大學(xué)
【公開日】2015年5月6日
【申請日】2015年1月22日