涂布方法形成。
[0038] 同時，參照圖4,對于根據(jù)本發(fā)明另一個實施方式的有機發(fā)光器件，在紅色發(fā)光部 和綠色發(fā)光部105R和105G中設(shè)置第一空穴傳輸層142,在藍色發(fā)光部105B中設(shè)置第二空 穴傳輸層145。第一空穴傳輸層142和第二空穴傳輸層145由不同材料形成。第一空穴傳 輸層142形成為具有與圖2中所不的空穴傳輸層140相同的結(jié)構(gòu)，并由第一空穴傳輸材料 和第二空穴傳輸材料形成。此外，第二空穴傳輸層145僅由第一空穴傳輸材料形成。
[0039] 對于根據(jù)本發(fā)明另一個實施方式的有機發(fā)光器件，在紅色發(fā)光部和綠色發(fā)光部 105R和105G中設(shè)置第一空穴傳輸層142,在藍色發(fā)光部105B中設(shè)置第二空穴傳輸層145。 因此，在紅色發(fā)光部和綠色發(fā)光部105R和105G中，重組區(qū)域被移到第一和第二發(fā)光層150R 和150G的內(nèi)部。同時，在藍色發(fā)光部105B中設(shè)置沒有第二空穴傳輸材料的第二空穴傳輸 層145。就是說，從第一電極120B注入的空穴很容易注入到第三發(fā)光層150B中，在第二空 穴傳輸層145中空穴遷移率沒有降低。因此，在藍色發(fā)光部105B中，空穴和電子的重組區(qū) 域位于第三發(fā)光層150B內(nèi)，不會傾向于空穴連接層160。這樣，因為通過溶液涂布方法形 成具有不同組成材料的第一空穴傳輸層142和第二空穴傳輸層145,所以可在各個發(fā)光部 105R，105G和105B中形成不同的空穴傳輸層。
[0040] 之后，為了更好的理解本發(fā)明，將列出優(yōu)選實施例。然而，下面的實施例僅是用于 舉例說明本發(fā)明，并不意在限制本發(fā)明的范圍。
[0041] 〈比較例〉
[0042] 將具有30Q的薄膜電阻（sheetresistance)、1. 08mm的厚度和80%或更大的透 光率的IT0玻璃切割成2cmX2cm的尺寸，然后使用蝕刻劑液體去除一部分IT0層。此外， 通過使用超聲波清洗機，利用丙酮、甲醇和IPA清洗IT0玻璃，其中每一種材料都進行15分 鐘的清洗，然后用離子水清洗，隨后在230°C進行30分鐘的干透退火。通過使用Cupc形成 具有厚度的空穴注入層，并通過使用NH)形成具有700A厚度的空穴傳輸層。通過 將Ir (Mnpy) 3摻雜劑與基質(zhì)材料CBP混合而形成具有3()〇A厚度的紅色發(fā)光層，并通過將 Ir (ppy) 3摻雜劑與基質(zhì)材料CBP混合而形成具有3()〇人厚度的綠色發(fā)光層。通過進行旋涂 并在11CTC干燥1小時而形成上述的空穴注入層、空穴傳輸層、紅色發(fā)光層和綠色發(fā)光層。 在通過溶液工藝涂布綠色發(fā)光層之后，通過使用具有-5. 3到-6. 3eV的HOMO能級和-2. 2 到-3. 2eV的LUM0能級的材料形成具有2〇〇A厚度的空穴連接層，并通過將螺旋-DPVBi的 摻雜劑與基質(zhì)材料CBP混合形成具有300A厚度的藍色公共發(fā)光層。通過使用Alq3形成 具有200 A厚度的電子傳輸層，通過使用LiF形成具有1〇A#度的電子注入層，并通過使 用A1形成具有丨GG〇 乂厚度的第二電極，由此制備藍色、綠色和紅色有機發(fā)光器件。
[0043] 〈實施例〉
[0044] 除了通過將具有在1. 6到2. 2范圍內(nèi)的能級A T1的第一空穴傳輸材料與具有在 2. 0到2. 7范圍內(nèi)的能級ATI的第二空穴傳輸材料混合形成具有7〇〇A厚度的空穴傳輸 層，并通過將具有-5. 3到-6. 3eV的HOMO能級和-2. 2到-3. 2eV的LUM0能級的雙極性材 料與具有低于雙極性材料的HOMO和LUM0能級的電子傳輸材料混合形成具有200A厚度的 空穴連接層之外，在與上述比較例相同的工藝條件下制備藍色、綠色和紅色有機發(fā)光器件。
[0045] 分別測量根據(jù)比較例和實施例制備的有機發(fā)光器件的綠色和紅色光譜，并顯示在 圖5A到圖6B中。在此，圖5A顯示了比較例的綠色光譜，圖5B顯示了比較例的紅色光譜， 圖6A顯示了實施例的綠色光譜，圖6B顯示了實施例的紅色光譜。此外，測量根據(jù)比較例和 實施例制備的有機發(fā)光器件的綠色元件和紅色元件的驅(qū)動電壓、量子效率、發(fā)光效率、色坐 標(biāo)和壽命，并顯示在下面的表1中，其壽命特性顯示在圖7的曲線中。
【主權(quán)項】
1. 一種有機發(fā)光器件，包括： 基板，其上限定有第一到第H發(fā)光部； 第一電極，分別設(shè)置于所述第一到第H發(fā)光部中； 空穴傳輸層，設(shè)置于所述第一電極上； 第一和第二發(fā)光層，設(shè)置于所述空穴傳輸層上，所述第一發(fā)光層設(shè)置于所述第一發(fā)光 部中，所述第二發(fā)光層設(shè)置于所述第二發(fā)光部中； 空穴連接層，設(shè)置于所述第一發(fā)光層、所述第二發(fā)光層W及設(shè)置在所述第H發(fā)光部中 的所述空穴傳輸層上，所述空穴連接層傳輸空穴和電子； 第H發(fā)光層，設(shè)置于所述空穴連接層上且設(shè)置于全部所述第一到第H發(fā)光部中； 電子注入層，設(shè)置于所述第H發(fā)光層上；和 第二電極，設(shè)置于所述電子注入層上， 其中所述空穴連接層包含雙極性材料和電子傳輸材料。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光器件，其中所述空穴傳輸層包含第一空穴傳輸材料 和第二空穴傳輸材料，所述第二空穴傳輸材料的空穴遷移率小于等于所述第一空穴傳輸材 料的空穴遷移率。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機發(fā)光器件，其中所述第一空穴傳輸材料的能級A T1為 1. 6到2. 2,所述第二空穴傳輸材料的能級A T1為2. 0到2. 7。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機發(fā)光器件，其中所述第一空穴傳輸材料的空穴遷移率為 1. 0E-04 到 5. 0E-01cm2/Vs〇
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光器件，其中所述雙極性材料具有-5. 3到-6. 3eV的 HOMO能級、-2. 2到-3. 2eV的LUMO能級、1. 0E-09到1. 0E-05cmVVs的電子遷移率、W及 5. 0E-05到5. 0E-03cmVVs的空穴遷移率。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機發(fā)光器件，其中所述電子傳輸材料的HOMO和LUM0能級 低于所述雙極性材料的HOMO和LUM0能級。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光器件，其中所述空穴傳輸層包括設(shè)置于所述第一和 第二發(fā)光部中的第一空穴傳輸層和設(shè)置于所述第H發(fā)光部中的第二空穴傳輸層。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機發(fā)光器件，其中所述第一空穴傳輸層由第一空穴傳輸材 料和第二空穴傳輸材料形成，所述第二空穴傳輸層由所述第一空穴傳輸材料形成。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機發(fā)光器件，其中所述第二空穴傳輸材料的空穴遷移率小 于等于所述第一空穴傳輸材料的空穴遷移率。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機發(fā)光器件，其中所述第一空穴傳輸材料的能級A T1為 1. 6到2. 2,所述第二空穴傳輸材料的能級A T1為2. 0到2. 7。
11. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機發(fā)光器件，其中所述第一空穴傳輸材料的空穴遷移率 為 1. 0E-04 到 5. 0E-01cm2/Vs〇
【專利摘要】公開了一種有機發(fā)光器件，包括：其上限定有第一到第三發(fā)光部的基板；分別設(shè)置于所述第一到第三發(fā)光部中的第一電極；設(shè)置于所述第一電極上的空穴傳輸層；設(shè)置于所述空穴傳輸層上的第一和第二發(fā)光層，所述第一發(fā)光層設(shè)置于所述第一發(fā)光部中，所述第二發(fā)光層設(shè)置于所述第二發(fā)光部中；設(shè)置于所述第一發(fā)光層、所述第二發(fā)光層以及設(shè)置在所述第三發(fā)光部中的所述空穴傳輸層上的空穴連接層，所述空穴連接層傳輸空穴和電子；設(shè)置于所述空穴連接層上的第三發(fā)光層，所述第三發(fā)光層設(shè)置于全部所述第一到第三發(fā)光部中；設(shè)置于所述第三發(fā)光層上的電子注入層；和設(shè)置于所述電子注入層上的第二電極，其中所述空穴連接層包含雙極性材料和電子傳輸材料。
【IPC分類】H01L27-32, H01L51-54, H01L51-50
【公開號】CN104576950
【申請?zhí)枴緾N201410573538
【發(fā)明人】申政均, 金永周
【申請人】樂金顯示有限公司
【公開日】2015年4月29日
【申請日】2014年10月23日
【公告號】US20150108456