專利名稱：絕緣柵型半導(dǎo)體器件及其制法的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及絕緣柵型半導(dǎo)體器件及其制造方法，特別是涉及作為電源的縱向MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管)和調(diào)節(jié)電導(dǎo)性的MOSFET的絕緣柵型半導(dǎo)體器件及其制造方法等。


圖1示出一種縱向MOSFET，其具有以自對準方式但不經(jīng)光刻步驟形成的源區(qū)。
所示MOSFET包括半導(dǎo)體區(qū)1，其中包含N+型半導(dǎo)體基底2和形成在N+型半導(dǎo)體基底2表面處的外延層3。外延層3包括形成在其表面一選擇區(qū)中的P型基區(qū)4、形成在基區(qū)4表面一選擇區(qū)中的N+源區(qū)5、以及除基區(qū)4和源區(qū)5之外的外延層3構(gòu)成的N-漏區(qū)6。外延層3中形成一個槽7，該槽穿過源區(qū)5而深入基區(qū)4的中間。
外延層3上形成一層?xùn)叛趸?，以覆蓋住漏區(qū)6、基區(qū)4、和源區(qū)5的一部分。在柵氧化膜8上形成由多晶硅構(gòu)成的柵極9。層間絕緣膜10覆蓋住柵極9和一部分源區(qū)5。源電極11覆蓋住層間絕緣膜10和環(huán)繞槽7的一部分源區(qū)5，并填滿槽7。漏極12形成在半導(dǎo)體基底2的下表面處。
日本待審專利公開號為4-314365的文件提出了一種制造圖1所示MOSFET的方法。以下介紹該方法。
首先，使包含N+型半導(dǎo)體基底2和形成在半導(dǎo)體基底2上且摻有少量N型雜質(zhì)的外延層3的半導(dǎo)體區(qū)1的表面加熱氧化，以在半導(dǎo)體區(qū)1的表面處形成柵氧化膜。
然后，在柵氧化膜8上形成多晶硅膜，并在多晶硅膜上形成光致抗蝕劑膜的圖案。之后，用光致抗蝕劑膜的圖案作為掩模蝕刻柵氧化膜8和多晶硅膜，以形成暴露出外延層3的窗口。接著，通過窗口將硼(B)和砷(As)相繼離子注入外延層3中，使其熱擴散，從而在外延層3中形成基區(qū)4和源區(qū)5。
隨后，將層間絕緣膜10淀積在整個產(chǎn)品上。在層間絕緣膜10上形成光致抗蝕劑膜圖案之后，用該光致抗蝕劑膜圖案作為掩模蝕刻層間絕緣膜10，從而形成一個接觸孔。然后，再以光致抗蝕劑膜圖案作為掩模再次蝕刻外延層3，從而形成穿過源區(qū)5的槽7。
層間絕緣膜10整個蝕刻之后，除去光致抗蝕劑膜圖案。在此階段，暴露出槽7的內(nèi)表面和源區(qū)5的一部分。然后，將金屬淀積在整個產(chǎn)品上，并蝕刻而除去金屬的不必要部分。于是，制出了源極11。接著，將金屬蒸鍍到半導(dǎo)體基底2的下表面上，從而形成漏極12。
盡管圖1示出的MOSFET是由一個單元構(gòu)成的，但MOSFET實際上是由多個單元構(gòu)成的。在外延層3上形成有柵多晶硅線層，其間夾有場氧化層和同時形成的柵極9。在該多晶硅線層上形成層間絕緣膜之后，再在層間絕緣膜上形成一層?xùn)沤饘倬€層和同時形成的源極11，使得柵金屬線層與柵多晶硅線層接觸。各單元的柵極9通過柵多晶硅線層和柵金屬線層與柵焊點電連接。
上述方法存在以下問題。
在上述方法中，當柵多晶硅線層與柵金屬線層接觸且同時源和基區(qū)4、5與源極11接觸時，后者是用光致抗蝕劑膜圖案作為掩膜而蝕刻層間絕緣膜10形成接觸的，從而由其形成一接觸孔；再次用光致抗蝕劑膜圖案作為掩膜而蝕刻外延層3，從而形成槽7；以及整個蝕刻層間絕緣膜10，形成一個穿過柵多晶硅線層并取決于該柵多晶硅線層厚度的槽。結(jié)果，在蝕刻層間絕緣膜10時，場氧化膜也通過穿過柵多晶硅線層的槽而被整個蝕刻，并且進而在柵多晶硅層下面被向側(cè)面蝕刻，這會使場氧化層厚度減小，可靠性降低。在最壞的情況下，甚至會造成柵金屬線層與半導(dǎo)體區(qū)1之間短路。
本發(fā)明的目的在于提供一種絕緣柵型半導(dǎo)體器件及其制造方法，可在單一步驟中既實現(xiàn)與源極的接觸也實現(xiàn)與柵金屬線層的接觸，而無須增多形成光致抗蝕劑膜圖案的步驟數(shù)目。
按照本發(fā)明的一個方面，提供了一種絕緣柵型半導(dǎo)體器件，其包括(a)半導(dǎo)體區(qū)，含有漏區(qū)、形成在漏區(qū)表面處的基區(qū)、以及形成在基區(qū)表面處的源區(qū)，穿過源區(qū)并深入基區(qū)中間形成第一槽；(b)柵絕緣膜，部分覆蓋住源區(qū)暴露的表面，完全覆蓋住基區(qū)暴露的表面，并部分覆蓋住漏區(qū)暴露的表面；和(c)柵極，形成在柵絕緣膜上，其特征在于，所述半導(dǎo)體區(qū)限定出一個單元區(qū)和一個場區(qū)，其中單元區(qū)含有漏區(qū)、基區(qū)和源區(qū)，并且所述半導(dǎo)體器件還包括(d)場絕緣膜，形成在所述場區(qū)中的半導(dǎo)體區(qū)上；(e)第一柵線層，形成在場絕緣膜上，與柵極電連接，第一柵線層中形成有第二槽；(f)源極，與柵極電絕緣，但與第一槽的內(nèi)表面和基區(qū)的一部分表面電連接；以及(g)第二柵線層，與第二槽的內(nèi)表面和第一柵線層的一部分表面電連接。
按照上述半導(dǎo)體器件，源極在穿過源區(qū)形成的第一槽的內(nèi)表面處既與源區(qū)又與基區(qū)接觸，并且與源區(qū)的一部分表面接觸。第二柵線層在形成于第二柵線層中的第二槽的內(nèi)表面處與第一柵線層接觸，并且與第一柵線層的一部分表面接觸。因此，無論是源極還是第二柵線層，與它們僅在槽的內(nèi)表面處接觸時可能有的接觸面積相比，都有更大的接觸面積，這就保證了電性能的穩(wěn)定性。
另一方面，本發(fā)明提供了一種制造絕緣柵型半導(dǎo)體器件的方法，該方法包括以下步驟(a)在一單元區(qū)中的半導(dǎo)體區(qū)表面處形成一基區(qū)，在該基區(qū)的表面處形成源區(qū)，在所述單元區(qū)中的半導(dǎo)體區(qū)上形成柵絕緣膜，在一場區(qū)中的半導(dǎo)體區(qū)上形成場絕緣膜，在柵絕緣膜上形成柵極，并在場絕緣膜上形成與柵極電連接的第一柵線層；(b)在半導(dǎo)體區(qū)上形成層間絕緣膜；(c)在層間絕緣膜上形成一光致抗蝕劑膜，使光致抗蝕劑膜具有在源區(qū)和第一柵線層上方的開口；(d)用光致抗蝕劑膜作為掩模以濕蝕刻法蝕刻層間絕緣膜，從而暴露源區(qū)和第一柵線層；(e)用光致抗蝕劑膜作為掩模以離子蝕刻法蝕刻暴露的源區(qū)，從而形成穿過源區(qū)而深入基區(qū)中間的第一槽；(f)用光致抗蝕刻膜作為掩模以離子蝕刻法蝕刻暴露的第一柵線層，從而在第一柵線層中形成第二槽；(g)在源區(qū)表面處形成與源區(qū)接觸的源極，并使其還在第一槽的內(nèi)表面處與源區(qū)和基區(qū)接觸；以及(h)在第一柵線層表面處形成與該第一柵線層接觸的第二柵線層，并使其還在第二槽的內(nèi)表面處接觸。
按照上述方法，層間絕緣膜是用光致抗蝕劑膜作為掩模而以濕蝕刻法蝕刻的，因而可在比光致抗蝕劑膜圖案的開口面積更大的面積上暴露半導(dǎo)體區(qū)和第一柵線層。然后，用原先采用的光致抗蝕劑膜圖案再次作為掩模，在暴露的半導(dǎo)體區(qū)和第一柵線層表面處形成槽。這樣形成的槽與光致抗蝕劑膜圖案的開口幾乎有相同的面積。因此，源極與源區(qū)和基區(qū)不但在第一槽的內(nèi)表面處接觸，還在源區(qū)的一部分表面處接觸。第二柵線層和第一柵線層不但在第二槽的內(nèi)表面處接觸，還在第一柵線層的一部分表面處接觸。這就保證了源極和第二柵線層二者都有足夠的接觸面積。
另外，由于層間絕緣膜是以濕蝕刻法在例如蝕刻(如用離子蝕刻法蝕刻)半導(dǎo)體區(qū)之前被整個蝕刻的，因而場絕緣層永遠不會像其在以離子蝕刻半導(dǎo)體區(qū)之后被整個蝕刻那樣被整個蝕刻掉。
在一最佳實施例中，步驟(d)中還包括(d-1)用光致抗蝕劑膜作為掩模整個蝕刻層間絕緣膜，使源區(qū)的暴露面積大于開口的面積，和(d-2)用光致抗蝕劑膜作為掩模整個蝕刻層間絕緣膜，使第一柵線層的暴露面積大于開口的面積。
按照上述實施例，層間絕緣膜的蝕刻包括“恰當蝕刻”和“整個蝕刻”。首先用光致抗蝕劑膜圖案作為掩模對層間絕緣膜進行恰當蝕刻，然后整個蝕刻一定時間。因此，能精確地以大于光致抗蝕劑膜圖案的開口面積的面積暴露半導(dǎo)體區(qū)和第二柵線層。
圖1是常規(guī)縱向MOSFET的剖面圖；圖2是本發(fā)明實施例的縱向MOSFET的剖面圖；圖3A-3D是圖2所示縱向MOSFET的剖面圖，其中各圖分別示出制造縱向MOSFET的方法之步驟。
圖2示出本發(fā)明一最佳實施例的剖面圖。
所示的MOSFET包括一個半導(dǎo)體區(qū)21，其中含有摻有大量雜質(zhì)的N+型半導(dǎo)體基底22，還含有形成在N+型半導(dǎo)體基底22表面處的外延層23。外延層23限定有一個單元區(qū)A和一個場區(qū)B。單元區(qū)A包括形成在外延層23表面處一選擇區(qū)域內(nèi)的P型基區(qū)24、形成在基區(qū)24表面處一選擇區(qū)域內(nèi)的N+源區(qū)25、以及除基區(qū)24和源區(qū)25之外的外延層23構(gòu)成的N-漏區(qū)26。外延層23中形成有穿過源區(qū)25和深入基區(qū)24中間的第一槽27a。
外延層23上形成有柵氧化膜28，覆蓋住漏區(qū)26、基區(qū)24和源區(qū)25的一部分，柵氧化膜28上形成有由多晶硅構(gòu)成的柵極29。
在外延層23的場區(qū)B上形成有場氧化膜43。場氧化膜43上形成有由多晶硅構(gòu)成的第一柵線層44，它與柵極29電連接。穿過第一柵線層44并深入場氧化膜43中間形成有第二槽27b。應(yīng)當說明，第二槽27b可設(shè)計成使其深度小于第一柵線層44的厚度，也就是，第二槽27b可以只處在第一柵線層44之內(nèi)而不伸到場氧化膜43中。
層間絕緣膜30覆蓋住柵極29、源區(qū)25、以及第一柵線層44，但其中不包括環(huán)繞第一槽27a的一部分源區(qū)25和環(huán)繞第二槽27b的一部分第一柵線層44。
源極31覆蓋住層間絕緣膜30和環(huán)繞第一槽27a的一部分源區(qū)25，并在單元A中填滿第一槽27a。由例如鋁等金屬形成第二柵線層45，其覆蓋住層間絕緣層30和環(huán)繞第二槽27b的一部分第一柵線層44，并在場區(qū)B中填滿第二槽27b。在半導(dǎo)體基底22的下表面處形成漏極32。
在具有上述結(jié)構(gòu)的縱向MOSFET中，源極31通過第一槽27a的內(nèi)表面既與源區(qū)25又與基區(qū)24接觸，并且還與環(huán)繞第一槽27a的源區(qū)25的一部分表面接觸。第二柵線層45在第二槽27b的內(nèi)表面處與第一柵線層44接觸，并且在第一柵線層44的一部分表面處與其接觸。因此，無論是源極31還是第二柵線層45，與其只在第一和第二槽27a和27b的內(nèi)表面處接觸時所可能有的接觸面積相比，可以有更大的接觸面積，這就保證了縱向MOSFET的電性能的穩(wěn)定性。
以下參照圖3A-3D和圖2說明制造上述縱向MOSFET的方法。
先看圖3A。在包括N+半導(dǎo)體基底22和在其表面處形成的摻有少量N型雜質(zhì)的外延層23的半導(dǎo)體區(qū)21上，通過加熱氧化形成場氧化膜43。外延層23中界定出單元區(qū)A和場區(qū)B。用光刻法蝕刻掉單元區(qū)A中的一部分場氧化膜43，而保留場區(qū)B中的一部分場氧化膜43。
然后，在有場氧化膜43的單元區(qū)A中的外延層23的表面上，通過加熱氧化形成柵氧化膜28。接著，在氧化膜43和28上淀積多晶硅膜，并通過光刻法干蝕刻上圖案，從而形成由保留在柵氧化膜28上的多晶硅膜構(gòu)成的柵極29和保留在場氧化膜43上的第一柵線層44。這樣形成的第一柵線層44是與柵極29電連接的。
然后，將硼(B)和砷)(As)相繼離子注入帶有作為掩膜的柵極29的外延層23，接著進行熱擴散，從而在外延層23中形成P型基區(qū)24和N+源區(qū)25。
然后，如圖3B所示，在整個半導(dǎo)體區(qū)21上形成層間絕緣膜30，接著，用光刻法在層間絕緣膜30上蝕刻形成而抗蝕劑圖案47?？刮g劑圖案47包括源區(qū)25上的第一開口46a和第二柵線層44上的第二開口46b。
然后，如圖3C所示，用抗蝕劑圖案47作為掩模通過第一和第二開口46a和46b以濕蝕刻法恰當蝕刻層間絕緣膜30，直到出現(xiàn)外延層23和第一柵線層44為止。接著，再用抗蝕劑圖案47作為掩模再次整個蝕刻層間絕緣膜30一定時間，使源區(qū)25和第一柵線層44的暴露面積大于抗蝕劑圖案47的第一和第二開口46a和46b的面積。于是，在層間絕緣膜30中形成了接觸孔48a和48b。
然后，如圖3D所示，再用抗蝕劑圖案47作為掩模離子蝕刻暴露的外延層23，從而形成穿過源區(qū)25并深入基區(qū)24中間的第一槽27a。同時，再次用抗蝕劑圖案47作為掩模離子蝕刻第一柵線層44，從而形成穿過第一柵線層44并深入場氧化膜43中間的第二槽27b。第二槽27b的深度可設(shè)計成小于第一柵線層44的厚度，即第二槽27b可以只處在第一柵線層44中而不伸到場氧化膜43內(nèi)。
然后，如圖2所示，在除去抗蝕劑圖案47之后，以真空蒸鍍法在整個半導(dǎo)體區(qū)21上淀積一鋁膜。用光刻法干蝕刻鋁膜而形成圖案，從而形成與源區(qū)25和基區(qū)24電連接的源極31以及與第一柵線層44電連接的第二柵線層45。接著，通過蒸鍍在半導(dǎo)體區(qū)21的下表面處形成一金屬膜，從而形成漏極32。
按照上述實施例，以濕蝕刻法恰當蝕刻層間絕緣膜30，并進而用抗蝕劑圖案47作為掩模整個蝕刻一定時間，從而暴露出外延層23和第一柵線層44，其暴露面積大于抗蝕劑圖案47的開口46a和46b的面積。接著，用原先使用過的抗蝕劑圖案47再次作為掩模，在暴露的外延層23和第一柵線層44的表面處以離子蝕刻而形成第一和第二槽27a和27b。這樣形成的第一和第二槽27a和27b與抗蝕劑圖案47的第一和第二開口46a和46b幾乎有相同的面積。因此，源極31不但在第一槽27a的內(nèi)表面處與源區(qū)25和基區(qū)24接觸，還在源區(qū)25的一部分表面處接觸。第二柵寫入層45不但在第二槽27b的內(nèi)表面處與第一柵線層44接觸，還在第一柵線層44的一部分表面處接觸。這樣保證了源極31和第二柵線層45二者都有足夠的接觸面積。
另外，由于層間絕緣膜31是以濕蝕刻法在離子蝕刻外延層23之前被整個蝕刻的，因而場絕緣膜43永遠不會像在以離子蝕刻外延層23之后層間絕緣膜30被整個蝕刻那樣被整個蝕刻掉或在第一柵線層44下面被側(cè)向蝕刻掉。因此，不會產(chǎn)生場氧化膜43變得太薄以致可靠性降低的問題，更不會出現(xiàn)最壞情況下的第二柵線層45與半導(dǎo)體區(qū)21之間短路的問題。
在上述實施例中，源和漏區(qū)25和26為N型，而基區(qū)24為P型。但是，應(yīng)說明，也可以將它們設(shè)計成有與上述相反的導(dǎo)電性，也就是源和漏區(qū)25和26可為P型，而基區(qū)24可為N型。
類似地，盡管在上述實施例中半導(dǎo)體基底22是N型的，但它也可以是P型的，在這種情況下，可以用P型半導(dǎo)體基底制出調(diào)節(jié)導(dǎo)電性型MOSFET。
盡管在上述實施例中半導(dǎo)體區(qū)21由半導(dǎo)體基底22和外延區(qū)23構(gòu)成，但應(yīng)說明，半導(dǎo)體區(qū)21也可僅由半導(dǎo)體基底22構(gòu)成，在這種情況下，漏區(qū)26、基區(qū)24和源區(qū)25都形成在半導(dǎo)體基底22中。
按照本發(fā)明，在形成槽的步驟中，源極和第二柵線層通過槽與其它元件接觸，恰當蝕刻層間絕緣膜，然后進行整個蝕刻從而在其中形成接觸孔，接著離子蝕刻外延層和第二柵線層從而形成第一和第二槽，其中利用了抗蝕劑圖案作為掩膜，該抗蝕劑圖案是用單獨的光刻術(shù)形成的。因此，可以使源極和第二柵線層與其他元件接觸而無須增多進行光刻的步驟。
此外，源極不但在第一槽的內(nèi)表面處與源區(qū)和基區(qū)接觸，還在源區(qū)的一部分表面處接觸；第二柵線層不但在第二槽的內(nèi)表面處與第一柵線層接觸，還在第一柵線層的一部分表面處接觸，這就保證了源極和第二柵線層二者都有足夠的接觸面積。于是，接觸面積增大，確保有可靠的電連接。
再有，在以濕蝕刻法整個蝕刻層間絕緣膜時，第一柵線層下面的場氧化膜不被蝕刻，因此，可防止第二柵線層和半導(dǎo)體區(qū)之間短路以及場氧化膜變得太薄。
權(quán)利要求
1．一種絕緣柵型半導(dǎo)體器件，包括(a)半導(dǎo)體區(qū)(21)，含有漏區(qū)(26)、形成在所述漏區(qū)(26)表面處的基區(qū)(24)、以及形成在所述基區(qū)(24)表面處的源區(qū)(25)，穿過所述源區(qū)(25)并深入所述基區(qū)(24)中間形成第一槽(27a)；(b)柵絕緣膜(28)，部分覆蓋住所述源區(qū)(25)暴露的表面，完全覆蓋住所述基區(qū)(24)暴露的表面，并部分覆蓋住所述漏區(qū)(26)暴露的表面；和(c)柵極(29)，形成在所述柵絕緣膜(28)上，其特征在于，所述半導(dǎo)體區(qū)(21)限定出一個單元區(qū)(A)和一個場區(qū)(B)，其中所述單元區(qū)(A)含有所述漏區(qū)(26)、所述基區(qū)(24)和所述源區(qū)(25)，并且所述半導(dǎo)體器件還包括(d)場絕緣膜(43)，形成在所述場區(qū)(B)中的所述半導(dǎo)體區(qū)(21)上；(e)第一柵線層(44)，形成在所述場絕緣膜(43)上，與所述柵極(29)電連接，所述第一柵線層(44)中形成有第二槽(27b)；(f)源極(31)，與所述柵極(29)電絕緣，但與所述第一槽(27a)的內(nèi)表面和所述基區(qū)(24)的一部分表面電連接；以及(g)第二柵線層(45)，與所述第二槽(27b)的內(nèi)表面和所述第一柵線層(44)的一部分表面電連接。
2．如權(quán)利要求1所述的絕緣柵型半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體區(qū)(21)包括半導(dǎo)體基底(22)和形成在該半導(dǎo)體基底(22)表面處的外延層(23)，該外延層(23)限定出所述單元區(qū)(A)所述場區(qū)(B)，其中所述單元區(qū)(A)含有所述漏區(qū)(26)、所述基區(qū)(24)和所述源區(qū)(25)。
3．如權(quán)利要求1或2所述的絕緣柵型半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第二槽(27b)穿過所述第一柵線層(44)并深入到所述場絕緣膜(43)的中間。
4．如權(quán)利要求1或2所述的絕緣柵型半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述柵絕緣膜(28)和所述場絕緣膜(23)由一共同材料構(gòu)成。
5．如權(quán)利要求1或2所述的絕緣柵型半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一柵線層(44)由多晶硅構(gòu)成。
6．如權(quán)利要求1或2所述的絕緣柵型半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述漏區(qū)(26)摻有少量雜質(zhì)，而所述源區(qū)(25)摻有大量雜質(zhì)。
7．一種制造絕緣柵型半導(dǎo)體器件的方法，包括以下步驟(a)在一單元區(qū)(A)中的半導(dǎo)體區(qū)(21)表面處形成一基區(qū)(24)，在該基區(qū)(24)的表面處形成源區(qū)(25)，在所述單元區(qū)(A)中的所述半導(dǎo)體區(qū)(21)上形成柵絕緣膜(28)，在一場區(qū)(B)中的所述半導(dǎo)體區(qū)(21)上形成場絕緣膜(43)，在所述柵絕緣膜(28)上形成柵極(29)，并在所述場絕緣膜(43)上形成與所述柵極(29)電連接的第一柵線層(44)；(b)在所述半導(dǎo)體區(qū)(21)上形成層間絕緣膜(30)；(c)在所述層間絕緣膜(30)上形成一光致抗蝕劑膜(47)，使該光致抗蝕劑膜(47)具有在所述源區(qū)(25)和所述第一柵線層(44)上方的開口(46a,46b)；(d)用所述光致抗蝕劑膜(47)作為掩模以濕蝕刻法蝕刻所述層間絕緣膜(30)，從而暴露所述源區(qū)(25)和所述第一柵線層(44)；(e)用所述光致抗蝕劑膜(47)作為掩模以離子蝕刻法蝕刻所述暴露的源區(qū)(25)，從而形成穿過所述源區(qū)(25)并深入所述基區(qū)(24)中間的第一槽(27a)；(f)用所述光致抗蝕劑膜(47)作為掩模以離子蝕刻法蝕刻所述暴露的第一柵線層(44)，從而在該第一柵線層(44)中形成第二槽(27b)；(g)在所述源區(qū)(25)表面處形成與該源區(qū)接觸的源極(31)，并使其還在所述第一槽(27a)的內(nèi)表面處與所述源區(qū)(25)和所述基區(qū)(24)接觸；以及(h)在所述第一柵線層(44)表面處形成與該第一柵線層接觸的第二柵線層(45)，并使其還在所述第二槽(27b)的內(nèi)表面處接觸。
8．如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述步驟(d)包括(d-1)用所述光致抗蝕劑膜(47)作為掩模整個蝕刻所述層間絕緣膜(30)，使所述源區(qū)(25)的暴露面積大于所述開口(46a)的面積；和(d-2)用所述光致抗蝕劑膜(47)作為掩模整個蝕刻所述層間絕緣膜(30)，使所述第一柵線層(44)的暴露面積大于所述開口(46b)的面積。
9．如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述步驟(d-1)和(d-2)是同時進行的。
10．如權(quán)利要求7、8或9所述的方法，其特征在于，所述柵極(29)和所述第一柵線層(44)是同時形成的。
11．如權(quán)利要求7、8或9所述的方法，其特征在于，所述第一和第二槽(27a,27b)是同時形成的。
12．如權(quán)利要求7、8或9所述的方法，其特征在于，使所述第二槽(27b)穿過所述第一柵線層(44)并深入到所述場絕緣膜(43)中間。
13．如權(quán)利要求7、8或9所述的方法，其特征在于，所述柵極(29)和所述第二柵線層(45)是同時形成的。
14．如權(quán)利要求7、8或9所述的方法，其特征在于，還包括以下步驟在所述半導(dǎo)體區(qū)(21)中形成一外延層(23)，使該外延層(23)含有所述基區(qū)(24)和所述源區(qū)(25)，并使所述外延區(qū)(23)中的所述基區(qū)(24)和源區(qū)(25)以外的區(qū)域構(gòu)成所述漏區(qū)(26)。
全文摘要
一種絕緣柵型半導(dǎo)體器件,包括:(a)含漏區(qū)(26)、基區(qū)(24)及源區(qū)(25)的半導(dǎo)體區(qū)(21),第一槽(27a)穿過源區(qū)并深入基區(qū)中間;(b)形成在半導(dǎo)體區(qū)上的柵絕緣膜(28);(c)形成在柵絕緣膜上的柵極(29),還包括:(d)形成在半導(dǎo)體區(qū)上的場絕緣膜(43);(e)形成在場絕緣膜上與柵極電連接且與第二槽(27b)同時形成的第一柵線層(44);(f)與柵極絕緣但與第一槽內(nèi)表面和基區(qū)部分表面電連接的源極(31);(g)與第二槽內(nèi)表面和第一柵線層部分表面電連接的第二柵線層(45)。
文檔編號H01L21/302GK1213185SQ9812086
公開日1999年4月7日 申請日期1998年9月26日 優(yōu)先權(quán)日1997年9月26日
發(fā)明者坂井英子郎, 山岸和夫, 德野秀幸, 坂口晴城 申請人:日本電氣株式會社