專利名稱：具有端面對分通孔和內(nèi)區(qū)通孔的半導(dǎo)體器件組件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件，更具體地說，是涉及一種由安裝在有多個外部電極的電路襯底上的半導(dǎo)體器件芯片構(gòu)成的半導(dǎo)體器件組件。
參考

圖1，其為一種現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體器件組件例子的剖面圖。圖示的現(xiàn)有技術(shù)例子包括安裝在電路襯底31上并用樹脂30封裝的一半導(dǎo)體器件芯片37。在一個固體圓柱的中心軸處對該固體圓柱軸向?qū)Ψ值玫降亩鄠€端面通孔電極33形成于矩形襯底33的每一個端面上。這種類型的半導(dǎo)體器件組件被稱為LCC或LLCC(無引線芯片載體)型組件。這種LCC組件由例如日本專利申請初審后的第JP-A-05-327157(其整個內(nèi)容作為本申請的參考文獻(xiàn)，且JP-A-05-327157的英文摘要可從日本專利局得到，JP-A-05-327157的英文摘要也全部作為本申請的參考文獻(xiàn))。在此例子中，端面電極通過將陶瓷多層互連襯底的端面通孔對分而形成。在將此類組件安裝于電路板上時，用主要成份為鉛錫(Pb-Sn)合金的焊錫從端面對分通孔的內(nèi)表面延伸到組件背面電極形成一焊錫浸潤的表面，以實現(xiàn)安裝與電連接。在另一個例子中，襯底用的是印刷電路板。
參考圖2，其為現(xiàn)有半導(dǎo)體器件組件的另一個例子的剖面圖。半導(dǎo)體器件芯片47安裝于電路襯底41上，并由樹脂40所封裝。在襯底41上表面形成的并與半導(dǎo)體器件芯片47通過鍵合線48連接的布線導(dǎo)體42與在襯底41下表面形成的導(dǎo)體45之間由穿透襯底41的通孔11a實現(xiàn)電連接。阻焊劑44部分地涂覆于下表面導(dǎo)體45以限定一個阻焊區(qū)，另一方面，在每個下表面導(dǎo)體45的內(nèi)端覆蓋了一層焊錫，以形成一焊錫凸起電極46作為每個下表面導(dǎo)體45的內(nèi)端的外部電極。當(dāng)焊錫凸起電極46形成時，由于使用了焊錫球，該組件現(xiàn)在被稱為BGA(柵格焊球陣列，ball grid array)組件。
在圖1所示的現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體器件組件中，因為襯底端面電極僅在襯底的周邊形成，在該組件中所提供的電極數(shù)就容易短缺。在要增加電極數(shù)目時，端面電極的間距將變窄。但是由于端面電極要加上焊錫，所以必須保證相鄰的端面電極之間有足夠空隙，因此使端面電極的間距變窄是比較困難的。此外，如果相鄰的端面電極間距變窄，由于端面電極要加上焊錫，所以封裝也變得困難了。
另一方面，在圖2所示的BAG類型的半導(dǎo)體器件組件中，當(dāng)外部電極由焊錫球形成且組件是安裝于印刷電路板上時，需要保證一個最少的電極間距。因此，在要增加電極數(shù)目時，使封裝最小化就變得困難了。
因此，本發(fā)明的一個目的是提供一種半導(dǎo)體器件組件，其克服了現(xiàn)有技術(shù)中的上述問題。
本發(fā)明的第二個目的是提供一種半導(dǎo)體器件組件，其封裝尺寸比有端面電極的半導(dǎo)體器件組件和BGA類型的半導(dǎo)體器件組件小。
本發(fā)明的第三個目的是提供一種半導(dǎo)體器件組件，其可形成的通孔數(shù)目比有端面電極的半導(dǎo)體器件組件和BGA類型的半導(dǎo)體器件組件要多。
本發(fā)明的第四個目的是提供一種半導(dǎo)體器件組件，其內(nèi)部互連布線有很高的自由度，并能容易地設(shè)計出在單個組件上安裝多個半導(dǎo)體器件芯片的多芯片組件。
本發(fā)明的第五個目的是提供一種半導(dǎo)體器件組件，其能夠保護(hù)支撐半導(dǎo)體器件芯片的電路襯底。
本發(fā)明的上述目的和其他目的由根據(jù)本發(fā)明的如下所述的半導(dǎo)體器件組件實現(xiàn)，其包括一電路襯底；安裝于電路襯底上的至少一個電子元件(包括一個半導(dǎo)體器件芯片)；在電路襯底的一個端面上形成的按沿通孔中心軸對分的方法得到的多個端面對分通孔，其內(nèi)表面涂覆有導(dǎo)體膜；在電路襯底的一面上形成并與端面對分通孔連接的多個布線導(dǎo)體；在電路襯底的另一面形成并與端面對分通孔連接的多個外部電極；和一個導(dǎo)線保護(hù)層，其覆蓋外部電極內(nèi)端和端面對分通孔之間的區(qū)域，用于將外部電極內(nèi)端與端面對分通孔分開。
根據(jù)上述設(shè)計，因為涂覆有導(dǎo)體膜的端面對分通孔的內(nèi)表面并不用作電連接接觸面，且因為外部電極形成于電路襯底的另一面上，并與端面對分通孔連接，而且，因為在端面對分通孔外側(cè)的電路襯底被截除或去掉，所以組件也可以做得更小了。
此外，因為在此說明書中稱為內(nèi)區(qū)通孔的常規(guī)通孔需要一個完全圍住通孔的臺階，內(nèi)區(qū)通孔之間必須有足夠的間隔。但是，對于端面通孔，因為臺階寬度可以限制到伸向電路襯底內(nèi)區(qū)的布線導(dǎo)體的寬度，從而所需的臺階面積就可以減少。因此，采用端面對分通孔，每個通孔的占用面積就減小了。而且，因為通孔以端面對分通孔形式形成且集中于襯底的端面，在電路襯底的內(nèi)區(qū)域設(shè)計導(dǎo)電圖形布局的自由度也增加了。
此外，因為端面對分通孔可以設(shè)計為其間距小于內(nèi)區(qū)通孔的間距，通孔的數(shù)目因而可以增加。而且，因為導(dǎo)體保護(hù)層將外部電極的端部與端面對分通孔或內(nèi)區(qū)通孔分開，當(dāng)組件用焊接方法安裝于印刷電路板或另一電路板上時，就防止了焊錫流到通孔內(nèi)表面上。因此，端面對分通孔可以設(shè)計為其間距比現(xiàn)有技術(shù)的端面電極可浸潤焊錫的半導(dǎo)體器件組件的間距小。這意味著端面對分通孔的數(shù)目與現(xiàn)有技術(shù)的端面電極可浸潤焊錫的半導(dǎo)體器件組件相比可以增加。因此，導(dǎo)體保護(hù)層優(yōu)選由阻焊材料(典型地是用環(huán)氧樹脂)構(gòu)成。以這種連接方式，每個外部電極的端子是以焊盤的形狀來形成的，而焊錫凸起電極在每個外部電極的端子上形成。
在一種優(yōu)選的實施例中，半導(dǎo)體器件組件還包括多個內(nèi)區(qū)通孔，其形成于電路襯底中除端面區(qū)域以外的區(qū)域；多個附加的外部電極，其形成于電路襯底的另一面并與內(nèi)區(qū)通孔相連；以及一個附加的導(dǎo)體保護(hù)層，用于覆蓋外部電極內(nèi)端和內(nèi)區(qū)通孔之間的區(qū)域，以將外部電極內(nèi)端與內(nèi)區(qū)通孔分開。
在此優(yōu)選實施例中，因為在電路襯底的端面上不僅有可設(shè)計為間距比內(nèi)區(qū)通孔間距小的端面對分通孔，而且在電路襯底的內(nèi)區(qū)中還有內(nèi)區(qū)通孔，所以通孔的數(shù)目就顯著增加了。
換言之，這意味著因為沿矩形電路襯底的四個側(cè)面可提供許多端面對分通孔，所以在電路襯底內(nèi)區(qū)提供的內(nèi)區(qū)通孔數(shù)目可以減少至必要的和足夠的數(shù)目。因此，在內(nèi)區(qū)通孔造成難于提供連接組件內(nèi)的電氣部分或元件的電極時和/或難于在電路襯底的內(nèi)區(qū)中布置布線導(dǎo)體時，上述特點就非常有效果了。特別是，在多層互連襯底和在單個組件上安裝有多個半導(dǎo)體器件芯片的多芯片組件中其優(yōu)點更為突出，因為內(nèi)區(qū)通孔或在電路襯底內(nèi)區(qū)的通孔數(shù)目可減至最少。特別是，當(dāng)在單個組件上安裝有多個半導(dǎo)體器件芯片時，就難于在電路襯底的內(nèi)區(qū)域形成許多通孔，這是因為不愿意在安裝每個芯片的區(qū)域中形成通孔，而且因為布置芯片間和每個芯片與外部電極間的布線導(dǎo)體連接電變得復(fù)雜了。另一方面，安裝于單個組件上的半導(dǎo)體器件芯片的數(shù)目越大，所需的外部電極數(shù)目也就越大。因此，本發(fā)明的優(yōu)點可在多芯片組件中有效地和突出地發(fā)揮出來。
在一個較優(yōu)選的實施例中，涂覆于端面對分通孔附近的導(dǎo)體保護(hù)層延伸至覆蓋每個端面對分通孔的部分或全部內(nèi)表面。當(dāng)通孔被機(jī)械切割工具對分以形成端面對分通孔時，如果切割工具沒有一個令人滿意的切割質(zhì)量，則覆蓋在通孔內(nèi)表面的導(dǎo)體膜就受到過強(qiáng)的應(yīng)力，經(jīng)常會發(fā)生部分的剝落。但是，如果端面對分通孔也就是覆蓋通孔內(nèi)表面的導(dǎo)體膜先涂覆上導(dǎo)體保護(hù)層時，即使切割工具質(zhì)量不高，覆蓋通孔內(nèi)表面的導(dǎo)體膜就用導(dǎo)體保護(hù)層來保護(hù)，以避免覆蓋在通孔內(nèi)表面的導(dǎo)體膜發(fā)生剝落。
由上述可見，上述端面對分通孔可發(fā)揮常規(guī)通孔的作用，即在分別形成于電路襯底上表面和下表面的導(dǎo)體層之間、或是在不同層的導(dǎo)體層之間進(jìn)行電連接的功能，而且還可使在電路襯底內(nèi)部的互連圖形的布局有效和自由。這對于使組件最小化是行之有效的。
本發(fā)明的上述及其目的、特征和優(yōu)點通過下面參照附圖對本發(fā)明優(yōu)選實施例所作的說明將更為顯而易見。
圖1是現(xiàn)有技術(shù)半導(dǎo)體器件組件的一個例子的剖面圖；圖2是現(xiàn)有技術(shù)半導(dǎo)體器件組件的另一個例子的剖面圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件組件的第一優(yōu)選實施例的剖面圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件組件的第二優(yōu)選實施例的剖面圖；圖5A和圖5B是根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件組件的端面對分通孔的部分剖面圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件組件的第三優(yōu)選實施例的剖面圖。
參考圖3，其為根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件組件的第一優(yōu)選實施例的剖面圖。
在矩形電路襯底1的上表面的中心區(qū)用粘合劑9安裝了一個半導(dǎo)體器件芯片7。在電路襯底1的上表面的周邊區(qū)域形成了多個布線導(dǎo)體2，并與半導(dǎo)體器件芯片7通過焊線8電連接。為了實現(xiàn)小型化和薄封裝，容納半導(dǎo)體器件芯片7的腔1A可優(yōu)選地在電路襯底1的上表面的中心區(qū)形成，如圖3所示。安裝在電路襯底1上的半導(dǎo)體器件芯片7用封裝樹脂10封裝，封裝樹脂常規(guī)是用環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂或硅酮樹脂。為了實現(xiàn)高密度，電路襯底1由一個有機(jī)物布線襯底材料如玻璃環(huán)氧樹脂、改性聚酰亞胺形成，但可以用陶瓷襯底有效地形成。
由沿一通孔中心軸線對分而得到的端面對分通孔3以預(yù)定的恒定間距在矩形電路襯底1的四個端面的每一個上形成。端面對分通孔3的內(nèi)表面涂覆了導(dǎo)體膜3A，導(dǎo)體膜3A從端面對分通孔3的上端延伸至下端。導(dǎo)體膜3A在端面對分通孔3的上端與在電路襯底1的上表面形成的布線導(dǎo)體2中相應(yīng)的一條連接，在端面對分通孔3的下端與在電路襯底1的下表面形成的外部電極5中相應(yīng)的一個連接。在端面對分通孔3的下端和外部電極5的內(nèi)端之間的外部電極5上覆蓋一層阻焊層4，以將端面對分通孔3的下端與外部電極5分開，由此防止焊錫加到外部電極的內(nèi)端，和防止例如當(dāng)在印刷電路板上安裝組件時印刷電路板上的焊錫流到端面對分通孔3的內(nèi)表面上。
如上所述，當(dāng)在印刷電路板上安裝上述半導(dǎo)體器件組件時，在很多情況下外部電極5是通過焊錫與印刷電路板連接的。出于這一目的，凸起形狀的焊錫凸起電極6可在外部電極5的內(nèi)表面形成。在這種情況下，外部電極5的內(nèi)端優(yōu)選為焊盤的形式。
用于分開端面對分通孔3的下端和外部電極5內(nèi)端或焊錫凸起電極的阻焊層4優(yōu)選以熱凝或紫外線處理環(huán)氧樹脂。但是，任何有焊錫掩?；蜃韬感Ч臉渲牧隙伎梢允褂?。
下面，半導(dǎo)體器件組件的第一實施例的結(jié)構(gòu)將予以更詳細(xì)的說明。
在圖3所示的實施例中，如果電路襯底1由厚度為0.4mm-0.8mm數(shù)量級的玻璃一環(huán)氧樹脂襯底形成，在襯底的每個端面上形成的端面對分通孔3的通孔直徑為0.2mm-0.4mm數(shù)量級。在這種情況下，從通孔下端延伸至外部電極5導(dǎo)體的寬度變?yōu)?.3mm-0.5mm數(shù)量級，因為從通孔延伸的導(dǎo)體要求寬度要大于通孔的直徑，以在通孔被機(jī)械切割工具對分時保護(hù)涂覆于通孔內(nèi)表面上的導(dǎo)體膜。因此，在襯底的每個端面上形成的端面對分通孔3的通孔直徑為0.4mm-0.8mm數(shù)量級。用模具沿通孔中心線切割襯底材料和填充通孔的導(dǎo)體，就可以得到有端面對分通孔3的電路襯底1。即使襯底厚度很大，電路襯底也可以根據(jù)模具的精度來切割。
出于將形成在電路襯底1上表面和下表面的導(dǎo)體之間電連接的目的而提供了端面對分通孔3，因此，在通孔內(nèi)表面設(shè)置的導(dǎo)體層不希望在操作電路襯底和裝配組件時斷開。為避免這種不方便，優(yōu)選先用阻焊劑涂覆通孔導(dǎo)體膜的部分或整個表面。在現(xiàn)有技術(shù)的LCC型組件中，因為端面通孔電極被用作外部電極，需要保證端面通孔電極可被焊錫浸潤。但是，在本發(fā)明中，不再需要保證端面通孔電極可被焊錫浸潤，這是因為端面通孔電極不再用作外部電極，因此，通孔導(dǎo)體膜的內(nèi)表面可以用樹脂加以保護(hù)，以防止通孔導(dǎo)體膜斷裂。
參考圖4，其為根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件組件的第二優(yōu)選實施例的剖面圖。
由圖3與圖4的比較可見，第二實施例的特征在于電路襯底1a還包括在電路襯底1a中在電路襯底的端面區(qū)域以外形成的多個內(nèi)區(qū)通孔11，在電路襯底1a的上表面形成的且與內(nèi)區(qū)通孔11的上端和半導(dǎo)體器件芯片7通過鍵合線88相連的多個附加的布線導(dǎo)體22，在電路襯底1a的下表面形成的且與內(nèi)區(qū)通孔11的下端相連的多個附加的外部電極55，和覆蓋附加的在內(nèi)區(qū)通孔11的下端和附加的外部電極55內(nèi)端之間的外部電極55以將內(nèi)區(qū)通孔11下端和附加的外部電極55內(nèi)端分開的阻焊劑44。以此連接方式，凸起形式的焊錫凸起電極66可在外部電極55的內(nèi)端形成。
在第二實施例中，當(dāng)用0.6mm厚的玻璃環(huán)氧樹脂襯底形成電路襯底1a時，在電路襯底1a的每個端面上形成的端面對分通孔3的間距可以做到0.5mm。因此，對于一個20mm見方的組件，可以形成140個端面對分通孔3。此外，假定內(nèi)區(qū)通孔11的間距為1.27mm，構(gòu)成一個12×12的矩陣，則可以形成144個內(nèi)區(qū)通孔11。因此，總共可形成280個或更多的通孔。這里，要求有1.27mm的間距以保證至少有一個導(dǎo)體在相鄰的內(nèi)區(qū)通孔11之間通過，從而在電路襯底上或電路襯底內(nèi)構(gòu)成一條線路。
這里，考慮通孔僅由內(nèi)區(qū)通孔11構(gòu)成，即使內(nèi)區(qū)通孔11以1.27mm的間距構(gòu)成14×14的矩陣，只能形成196個通孔用于分別在電路襯底上表面和下表面形成的導(dǎo)體之間的互連。因此，利用端面對分通孔3和內(nèi)區(qū)通孔11，可形成的通孔數(shù)目能顯著地增加，設(shè)計的自由度也能增加。此外，通過對分端面通孔，就可以在端面對分通孔的外側(cè)去掉或切割電路板，因此，組件的尺寸可減至最小。特別是在小尺寸組件中，這一優(yōu)點尤其突出。如果內(nèi)區(qū)通孔1的間距做成0.5mm，由于在相鄰內(nèi)區(qū)通孔11之間的間距太窄，所以就不可能使導(dǎo)體在相鄰內(nèi)區(qū)通孔11之間通過。因此，在間距為0.5mm的端面對分通孔3外側(cè)的電路襯底部分就不能有效地被利用，也就是說，成了無用的空間。因此，即使端面對分通孔3外側(cè)的電路襯底部分被切掉，也不會出現(xiàn)功能上的問題。
為了對分端面通孔，可以用高精度的模具來切割電路襯底。當(dāng)電路襯底由陶瓷制成時，如果先用V字型凹槽做成斷開線，則切割電路襯底就容易得多。
參考圖5A和5B，它們是根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件組件的端面對分通孔的部分剖面圖。圖5A所示是下半部分被阻焊劑所涂覆的端面對分通孔3，圖5B是整個表面被阻焊劑所涂覆的端面對分通孔3。
提供阻焊劑4的基本目的是要將外部電極5和形成于端面對分通孔3的內(nèi)表面上的導(dǎo)體膜3A用阻焊劑4分開，以防止外部電極5和端面對分通孔導(dǎo)體膜3A同時被焊錫所浸潤。因此，如果端面對分通孔導(dǎo)體膜3A的下表面涂覆上阻焊劑4a，如圖5A所示，就足夠了。但是，端面對分通孔導(dǎo)體膜3A的整個表面更優(yōu)選地可以如圖5B那樣用一層阻焊劑覆蓋層4b完全覆蓋。如果端面對分通孔導(dǎo)體膜3A的部分或整個表面涂覆上阻焊劑4，則沿端面對分通孔3的通孔切割襯底就容易了，同時，還可以保護(hù)暴露于組件端面的導(dǎo)體膜。在制造電路襯底的過程中，可以用掩模圖形用阻焊劑涂覆通孔的方法來涂覆阻焊劑。
現(xiàn)在，將結(jié)合圖6說明根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件組件的第三實施例。圖6是第三實施例的剖面圖。
根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件組件的第三實施例使用了一個多層陶瓷襯底1b，在其內(nèi)部包括在襯底內(nèi)側(cè)的內(nèi)部導(dǎo)體2b，并有布線導(dǎo)體2d，外部電極5b和端面對分通孔3(在襯底的外表面上)。在襯底1b的上表面的中心區(qū)域形成的腔體中安裝一半導(dǎo)體器件芯片7b，其通過鍵合線8b與布線導(dǎo)體2d電連接，并且也由樹脂10b封裝。
在一般的實際應(yīng)用中，多層陶瓷襯底1b由主要是鋁(氧化鋁)或氮化鋁構(gòu)成的襯底材料所形成，內(nèi)部導(dǎo)體則由折射材料如鎢或鉬制成。但是，可以使用在鋁中加入玻璃所形成的玻璃陶瓷。
如圖6所示，形成了一阻焊擋圈4c以將端面對分通孔3與外部電極5b的內(nèi)端分開。阻焊擋圈4c可以通過提供與陶瓷襯底類似的材料然后將該材料燒結(jié)、或印上有圖形的環(huán)氧樹脂然后處理該有圖形的(patterned)環(huán)氧樹脂來得到半導(dǎo)體器件組件。這樣的半導(dǎo)體器件組件可安裝于例如印刷電路板上同時保持外部導(dǎo)體5b為扁平導(dǎo)體形狀。但是，半導(dǎo)體器件可以在先于外部導(dǎo)體5b上形成凸起形式的焊錫凸起電極6b之后再安裝。
由上述可見，在根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件組件中，因為端面對分通孔的側(cè)面不用作電連接外部接觸面，且因為外部電極形成于電路襯底的另一面上并與端面對分通孔連接，而且，因為在端面對分通孔外側(cè)的電路襯底被切除或去掉，組件也可以做小。此外，因為通孔集中在襯底的端面，每個通孔占用的面積變小，其結(jié)果是在同樣的電路襯底內(nèi)用于導(dǎo)體布線的空間變大了，因此，增加了設(shè)計導(dǎo)體圖形布局的自由度。
此外，如果在電路襯底的端面提供了端面對分通孔，在電路襯底的內(nèi)側(cè)區(qū)提供了內(nèi)區(qū)通孔，則可以顯著增加通孔的數(shù)目。
因為導(dǎo)體保護(hù)層(阻焊劑)將外部電極的端子與端面對分通孔或內(nèi)區(qū)通孔分開，所以防止了焊錫的爬升(crawling up)。當(dāng)端面通孔被對分時，如果端面對分通孔涂覆有導(dǎo)體保護(hù)層，對分操作就很好，從而保護(hù)了端面。
本發(fā)明參考具體實施例而作了說明。但是，應(yīng)當(dāng)說明本發(fā)明決不限于所說明的結(jié)構(gòu)細(xì)節(jié)，在所附的權(quán)利要求的范圍內(nèi)可以對本發(fā)明作各種修改或變化。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件組件，其特征在于包括一電路襯底，安裝于所述電路襯底上的至少一個電子元件，在所述電路襯底的一個端面上形成的按沿通孔中心軸對分的方法得到的多個端面對分通孔，其一個側(cè)面涂覆有導(dǎo)體膜，在所述電路襯底的一面上形成并與所述端面對分通孔連接的多個布線導(dǎo)體，在所述電路襯底的另一面形成并與所述端面對分通孔連接的多個外部電極，和一個導(dǎo)線保護(hù)層，其覆蓋所述外部電極內(nèi)端和所述端面對分通孔之間的區(qū)域，用于將所述外部電極內(nèi)端與所述端面對分通孔分開。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的一種半導(dǎo)體器件組件，其特征在于還包括多個內(nèi)區(qū)通孔，其形成于所述電路襯底中除所述電路襯底端面區(qū)域以外的區(qū)域，多個附加的外部電極，其形成于電路襯底的另一面并與所述內(nèi)區(qū)通孔相連；以及一個附加的導(dǎo)體保護(hù)層，用于覆蓋所述外部電極一端和所述內(nèi)區(qū)通孔之間的區(qū)域，以將外部電極所述端與所述內(nèi)區(qū)通孔分開。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的一種半導(dǎo)體器件組件，其特征在于所述導(dǎo)體保護(hù)層延伸至覆蓋每個所述端面對分通孔的至少一部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求2的一種半導(dǎo)體器件組件，其特征在于所述導(dǎo)體保護(hù)層延伸至覆蓋每個所述端面對分通孔的整個表面。
5.根據(jù)權(quán)利要求2的一種半導(dǎo)體器件組件，其特征在于凸起焊錫電極形成于每一個所述外部電極的所述端。
6.根據(jù)權(quán)利要求2的一種半導(dǎo)體器件組件，其特征在于所述導(dǎo)體保護(hù)層由環(huán)氧樹脂構(gòu)成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的一種半導(dǎo)體器件組件，其特征在于所述導(dǎo)體保護(hù)層延伸至覆蓋每個所述端面對分通孔的至少一部分。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的一種半導(dǎo)體器件組件，其特征在于所述導(dǎo)體保護(hù)層延伸至覆蓋每個所述端面對分通孔的整個表面。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的一種半導(dǎo)體器件組件，其特征在于凸起焊錫電極形成于每一個所述外部電極的所述端。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的一種半導(dǎo)體器件組件，其特征在于所述導(dǎo)體保護(hù)層由環(huán)氧樹脂構(gòu)成。
全文摘要
一種半導(dǎo)體器件組件,包括一電路襯底,安裝于電路襯底上的半導(dǎo)體器件芯片,在電路襯底的一個端面上形成的按沿通孔中心軸對分的方法得到的多個端面對分通孔,其一個內(nèi)側(cè)面涂覆有導(dǎo)體膜,在電路襯底的一面上形成并與所述端面對分通孔連接的多個布線導(dǎo)體,在電路襯底的另一面形成并與所述端面對分通孔連接的多個外部電極,和用于部分覆蓋所述外部電極以將外部電極導(dǎo)體一端與端面對分通孔分開。
文檔編號H01L23/31GK1198009SQ98100988
公開日1998年11月4日 申請日期1998年3月31日 優(yōu)先權(quán)日1997年3月31日
發(fā)明者森山好文 申請人:日本電氣株式會社