專利名稱：強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)器件。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，人們不斷設(shè)計(jì)將強(qiáng)電介質(zhì)材料用于存儲(chǔ)單元中的電容器以實(shí)現(xiàn)非易失性存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)器件。強(qiáng)電介質(zhì)電容器具有遲滯特性，即使電場(chǎng)為零也不會(huì)殘留極性隨經(jīng)歷而異的殘留極化。故可用強(qiáng)電介質(zhì)電容器的殘留極化代表存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，從而實(shí)現(xiàn)非易失性存儲(chǔ)器件。
在美國(guó)專利No.4873664說(shuō)明書(shū)中揭示有兩種類型的強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)器件。
第一類為每位由一個(gè)晶體管及一個(gè)電容器(1T1C)構(gòu)成存儲(chǔ)單元，如每256個(gè)主體存儲(chǔ)單元用的強(qiáng)電介質(zhì)電容器(標(biāo)準(zhǔn)單元)設(shè)有一個(gè)基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用的強(qiáng)電介質(zhì)電容器。
第二類不設(shè)置基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用的強(qiáng)電介質(zhì)電容器，其存儲(chǔ)單元每位由2個(gè)晶體管及2個(gè)電容器(2T2C)構(gòu)成，一對(duì)互補(bǔ)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在一對(duì)主體存儲(chǔ)單元用的強(qiáng)電介質(zhì)電容器中。
1T1C型有利于大容量存儲(chǔ)器，此時(shí)，為了低電壓、長(zhǎng)壽命工作，故對(duì)主體存儲(chǔ)單元用的強(qiáng)電介質(zhì)電容器設(shè)計(jì)基準(zhǔn)單元用的強(qiáng)電介質(zhì)電容器變得重要起來(lái)。
作為構(gòu)成電容器的強(qiáng)電介質(zhì)材料，已知有KNO3，PbLa2O3-ZrO2-TiO2，及PbTiO3-PbZrO3等。
根據(jù)PCT國(guó)際公開(kāi)No.WO93/12542公報(bào)，還獲知有適合于強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)器件的其疲勞比PbTiO3-PbZrO3小得多的強(qiáng)電介質(zhì)材料。
下面，對(duì)已有1T1C型強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)器件，簡(jiǎn)單說(shuō)明其結(jié)構(gòu)。
圖7為存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)圖；圖8為讀出放大器電路圖，圖9為工作時(shí)序圖。
圖7中，C00～C37為主體存儲(chǔ)單元用的強(qiáng)電介質(zhì)電容器，CD00～CD31為基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用的強(qiáng)電介質(zhì)電容器。CPD為單元板極驅(qū)動(dòng)器，REWO～REW1為基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元重寫信號(hào)線。SA0～SA3為讀出放大器，CP為單元板極信號(hào)線。WL0～WL7為字線，RWL0～RWL1為基準(zhǔn)字線，BL0～BL3、/BL0～/BL3為位線。在圖8和圖9中，BP為位線預(yù)充電信號(hào)，/SAP、SAN為讀出放大器控制信號(hào)。VSS為接地電壓，VDD為電源電壓。
如上圖所示，作為存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)，如位線BL0和/BL0連接于讀出放大器SA0。然后，位線BL0上經(jīng)以字線WL0為柵極的N溝道型MOS晶體管Tr1連接有主體存儲(chǔ)單元用的強(qiáng)電介質(zhì)電容器C00。位線/BL0上經(jīng)以基準(zhǔn)字線RWL0為柵極的N溝道型MOS晶體管Tr2連接有基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用的強(qiáng)電介質(zhì)電容器CD00。強(qiáng)電介質(zhì)電容器C00、CD00連接于受單元板極驅(qū)動(dòng)器CPD驅(qū)動(dòng)的單元板極信號(hào)線CP。
位線/BL0和/BL1經(jīng)以基準(zhǔn)字線RWL0為柵極的N溝道型MOS晶體管Tr3相互連接。位線BL0和基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用的強(qiáng)電介質(zhì)電容器CD00，經(jīng)以基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元重寫信號(hào)線REW0為柵極的N溝道型MOS晶體管Tr5，相互連接。
如圖8所示，讀出放大器SA0在電路結(jié)構(gòu)上受讀出放大器控制信號(hào)/SAP、SAN控制，位線BL0和/BL0的預(yù)充電受位線預(yù)充電信號(hào)BP控制。
該已有技術(shù)的1T1C結(jié)構(gòu)的強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)器件的讀出方法是用與主體存儲(chǔ)單元所用強(qiáng)電介質(zhì)電容器大致同樣規(guī)格的2個(gè)強(qiáng)電介質(zhì)電容器，分別讀出一個(gè)“H”(高)的數(shù)據(jù)和一個(gè)“L”(低)的數(shù)據(jù)，再取這兩個(gè)數(shù)據(jù)的平均(參看特開(kāi)平7-262768公開(kāi)公報(bào))。
下面，參照?qǐng)D9，以選擇字線WL0情況為要點(diǎn)說(shuō)明上述已有技術(shù)的1T1C結(jié)構(gòu)的強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)器件的工作。
首先，位線預(yù)充電信號(hào)BP為H時(shí)，將位線BL0和/BL0預(yù)充電到邏輯電壓“L”。同樣，位線BL1和/BL1也預(yù)充電到邏輯電壓“L”。
接著，若位線預(yù)充電信號(hào)BP回到邏輯電壓“L”時(shí)，則位線BL0和/BL0、及位線BL1和/BL1變?yōu)楦≈脿顟B(tài)。
下面，使字線WL0和基準(zhǔn)字線RWL0為邏輯電壓“H”，再使單元板極信號(hào)線CP為邏輯電壓“H”。這里，字線WL0的邏輯電壓“H”的電平為大于電源電壓VDD的電壓。通過(guò)使基準(zhǔn)字線RWL0為邏輯電壓“H”，使N溝道型MOS晶體管Tr2～Tr4成為導(dǎo)通(ON)狀態(tài)。在本說(shuō)明書(shū)中，如上所述，所謂如字線WL0為邏輯電壓“H”，也就是說(shuō)使字線WL0的電位為邏輯電壓“H”。
此時(shí)，強(qiáng)電介質(zhì)電容器C00、CD00、C10、CD10的兩電極分別加上電場(chǎng)，各電位大小取決于強(qiáng)電介質(zhì)電容器與位線電容的電容比。然后，從各位線BL0、/BL0、BL1、/BL1讀出上述各電位。
此時(shí)，從基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用的強(qiáng)電介質(zhì)電容器CD00及CD10讀出的數(shù)據(jù)，由于N溝道型MOS晶體管Tr2～Tr4呈ON狀態(tài)而使位線/BL0和/BL1電氣接通，故成為兩個(gè)電容器原數(shù)據(jù)取平均后的數(shù)據(jù)(電位)。這里，基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用的強(qiáng)電介質(zhì)電容器CD00、CD01上記錄著“H”(高)數(shù)據(jù)，而基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用的強(qiáng)電介質(zhì)電容器CD10、CD11上記錄著“L”(低)數(shù)據(jù)。
下面，使基準(zhǔn)字線RWL0為邏輯電壓“L”，由于N溝道型MOS晶體管Tr2～Tr4呈截止(OFF)狀態(tài)，故電氣上切斷位線/BL0和位線/BL1的連接。
此后，使讀出放大器控制信號(hào)/SAP為邏輯電壓“L”，使SAN為邏輯電壓“H”，從而使讀出放大器工作。
由此，將讀至位線的電位放大至電源電壓VDD和接地電壓VSS。
接著，使基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元重寫信號(hào)線REW0為邏輯電壓“H”，對(duì)基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用的強(qiáng)電介質(zhì)電容器CD00及CD10寫入“H”(高)和“L”(低)電位，以進(jìn)行下次讀出操作。
下面，作為重寫操作，使單元板極信號(hào)線CP為邏輯電壓“L”。之后，使位線預(yù)充電信號(hào)BP為邏輯電壓“H”，位線BL0和/BL0預(yù)充電到邏輯電壓“L”，再使字線WL0和基準(zhǔn)字線RWL0為邏輯電壓“L”，從而回到初始狀態(tài)。
如上所述，上述已有技術(shù)1T1C型強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)器件，在選擇了字線WL0的情況下，讀出位線BL0和位線BL1電位時(shí)所用基準(zhǔn)電壓為基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用的強(qiáng)電介質(zhì)電容器CD00和CD10電位的平均值。該平均值從位線/BL0和/BL1讀出。讀出位線BL2和位線BL3電位時(shí)所用基準(zhǔn)電位為基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用的強(qiáng)電介質(zhì)電容器CD20和CD30電位的平均值。該平均值從位線/BL0和/BL1讀出。
在選擇了字線WL1的情況下，位線對(duì)的作用與上述情況相反，基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用的強(qiáng)電介質(zhì)電容器也不同。
即，讀出位線/BL0和位線/BL1電位時(shí)所用基準(zhǔn)電位基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用的強(qiáng)電介質(zhì)電容器CD01和CD11電位的平均值。該平均值從位線BL0和BL1讀出。讀出位線/BL2和位線/BL3電位時(shí)所用基準(zhǔn)電位為基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用的強(qiáng)電介質(zhì)電容器CD21和CD31電位的平均值。該平均值從位線BL0和BL1讀出。
因此，在圖7所示結(jié)構(gòu)中，對(duì)于8根字線WL0～WL7，有四種基準(zhǔn)電位。
然而，作為已有技術(shù)1T1C型強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)器件的基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元方式，存在如下問(wèn)題。
即在已有技術(shù)中，將寫有“H”(高)和“L”(低)數(shù)據(jù)的各一個(gè)基準(zhǔn)用強(qiáng)電介質(zhì)電容器(例如，基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用的強(qiáng)電介質(zhì)電容器CD00和CD10)電氣連通，取兩者的平均電位作為基準(zhǔn)電位，用于讀出其數(shù)據(jù)。因此，這些基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用的強(qiáng)電介質(zhì)電容器的性能不一致會(huì)引起各基準(zhǔn)電位的偏差。故會(huì)出現(xiàn)得不到原本應(yīng)為等值的理想基準(zhǔn)電位的情況，從而導(dǎo)致強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)器件成品率下降的問(wèn)題。
尤其是，這些基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用的強(qiáng)電介質(zhì)電容器的性能不一致對(duì)布局中的位置安排影響大，存在基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用的強(qiáng)電介質(zhì)電容器和主體存儲(chǔ)單元用的強(qiáng)電介質(zhì)電容器相互距離遠(yuǎn)時(shí)，可能得不到理想基準(zhǔn)電位的問(wèn)題。
此外，對(duì)于已有1T1C型強(qiáng)電質(zhì)存儲(chǔ)器件的基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元方式，每根位線都要有控制信號(hào)、作為開(kāi)關(guān)元件的N溝道型MOS晶體管及基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用的強(qiáng)電介質(zhì)電容器，故存在布局上占用面積大的問(wèn)題。
本發(fā)明揭示本發(fā)明考慮到上述已有技術(shù)存在的問(wèn)題，其目的在于提供一種基準(zhǔn)電位偏差比已有技術(shù)小得多的強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)器件。
權(quán)利要求1所記載的本發(fā)明是一種強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)器件，其特征在于，主體存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器中存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù)，而且所述存儲(chǔ)器件具有實(shí)質(zhì)上存儲(chǔ)高電平數(shù)據(jù)的多個(gè)第一強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)單元；實(shí)質(zhì)上存儲(chǔ)低電平數(shù)據(jù)的多個(gè)第二強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)單元；對(duì)分別從所述第一及第二強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)單元讀出的電位進(jìn)行平均的均值電路手段；用所述平均后的電位作為基準(zhǔn)電位對(duì)存儲(chǔ)在所述主體存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器中的數(shù)據(jù)進(jìn)行讀出的讀出手段。
權(quán)利要求7記載的本發(fā)明是一種強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)器件，其特征在于，選擇主體存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器的字線和從所述主體存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器讀出數(shù)據(jù)用的位線配置成矩陣形，一個(gè)所述主體存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器存儲(chǔ)一位非易失性數(shù)據(jù)，而且所述存儲(chǔ)器件還具有對(duì)不同的所述字線公用的基準(zhǔn)用強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)單元；利用根據(jù)從所述基準(zhǔn)用強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)單元讀出的電位所獲得的基準(zhǔn)電位，對(duì)所述主體存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器進(jìn)行所述數(shù)據(jù)讀出的讀出手段。
附圖簡(jiǎn)單說(shuō)明圖1為本發(fā)明第一實(shí)施形態(tài)的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)圖；圖2為本發(fā)明第二實(shí)施形態(tài)的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)圖；圖3為本發(fā)明第三實(shí)施形態(tài)的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)圖；圖4為本發(fā)明第三實(shí)施形態(tài)中另一例存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)圖；圖5為本發(fā)明第四實(shí)施形態(tài)的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)圖；圖6為本發(fā)明第四實(shí)施形態(tài)中另一例存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)圖；圖7為已有技術(shù)例存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)圖；圖8為已有技術(shù)例讀出放大電路圖；圖9為已有技術(shù)例工作時(shí)序圖。
符號(hào)說(shuō)明C00～C37為主體存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器；CD00～CD31為基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器；CPD為單元板極驅(qū)動(dòng)器；SA0～SA3為讀出放大器；CP為單元板極信號(hào)線；WL0～WL7為字線；RWL0～RWL1為基準(zhǔn)字線；REW0～REW1為基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元重寫信號(hào)線；EQ0～EQ1為基準(zhǔn)電位信號(hào)線；BL0～BL3，/BL0～/BL3為位線；BP為位線預(yù)充電信號(hào)；/SAP，SAN為讀出放大器控制信號(hào)；VSS為接地電壓；VDD為電源電壓。
實(shí)施本發(fā)明的最佳形態(tài)下面，參照
本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)。
實(shí)施形態(tài)1圖1為本發(fā)明第一實(shí)施形態(tài)強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)器件的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)圖，用該圖說(shuō)明本實(shí)施形態(tài)的結(jié)構(gòu)。
讀出放大電路和工作時(shí)序圖與已有技術(shù)例的圖8及圖9相同。
如圖1所示，C00～C37為主體存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器，CD00～CD31為基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器。CPD為單元板極驅(qū)動(dòng)器(cell platedriver)，REW0～REW1為基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元重寫信號(hào)線?；鶞?zhǔn)存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器CD00、CD20記錄著“H”(高)數(shù)據(jù)，而基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器CD10、CD30記錄著“L”(低)數(shù)據(jù)。又，基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器CD01、CD21記錄著“H”(高)數(shù)據(jù)，而基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器CD11、CD31記錄著“L”(低)數(shù)據(jù)。
EQ0～EQ1為基準(zhǔn)電位信號(hào)線，SA0～SA3為讀出放大器，CP為單元板極信號(hào)線。WL0～WL7為字線，RWL0～RWL1為基準(zhǔn)字線，BL0～BL3、/BL0～/BL3為位線。BP為位線預(yù)充電信號(hào)，/SAP、SAN為讀出放大器控制信號(hào)。VSS為接地電位，VDD為電源電壓。基準(zhǔn)電位信號(hào)線EQ0～EQ1在分別選擇基準(zhǔn)字線RWL0～RWL1時(shí)，成為產(chǎn)生基準(zhǔn)電位的信號(hào)線。
如上圖所示，選擇主體存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器的上述各字線，和用于讀出電位的上述各位線配置成矩陣形。再用主體存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器等構(gòu)成下面要描述的存儲(chǔ)單元陣列。
存儲(chǔ)單元陳列結(jié)構(gòu)，如圖1所示，位線BL0～BL3和/BL3～/BL3連接于讀出放大器SA0～SA3。然而，主體存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器C00、C10、C20、C30，通過(guò)以字線WL0為柵極的N溝道型MSOS晶體管連接于位線BL0～BL3。而基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器CD00、CD10、CD20、CD30分別通過(guò)以字線RWL0為柵極的N溝道型MOS晶體管Tr2、Tr4、Tr7、Tr9連接于位線/BL0、/BL1、/BL2、/BL3。
均值電路為N溝道型MOS晶體管Tr0、Tr3、Tr6、Tr8等構(gòu)成的電路。也即，均值電路是一種從位線/BL0、/BL1、/BL2、/BL3讀出分別存儲(chǔ)在基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器CD00、CD10、CD20、CD30中的上述各種數(shù)據(jù)作為各種電位時(shí)，將這些電位取平均值的電路。均值電路取平均后的電位作為讀出放大器放大從主體存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器讀出的數(shù)據(jù)時(shí)的基準(zhǔn)電位。
強(qiáng)電介質(zhì)電容器C00～C37、CD00～CD31連接于單元板極驅(qū)動(dòng)器CPD驅(qū)動(dòng)的單元板極信號(hào)線CP。
通過(guò)以基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元重寫信號(hào)線REW0為柵極的N溝道型MOS晶體管Tr5，位線BL0和基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器CD00相連接。其它位線/BL0、BL2、/BL2，與位線BL0一樣，也是通過(guò)各N溝道型MOS晶體管，分別連接于基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器CD10、CD20、CD30。
讀出放大器SA0是一種受讀出放大器控制信號(hào)/SAP、SAN控制，并用位線預(yù)充電信號(hào)BP控制位線BL0～BL3和/BL0～/BL3預(yù)充電的電路。本發(fā)明的讀出手段對(duì)應(yīng)于讀出放大器SA0等。
第一實(shí)施形態(tài)涉及一種使用與主體存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器大體相同規(guī)格的4個(gè)強(qiáng)電介質(zhì)電容器，分別從其內(nèi)2個(gè)讀出“H”數(shù)據(jù)，從另外2個(gè)讀出“L”數(shù)據(jù)，將這些數(shù)據(jù)平均的方法。
下面，說(shuō)明本實(shí)施形態(tài)的工作。
本實(shí)施形態(tài)工作的時(shí)序與圖9所示已有技術(shù)例相同。
這里，將描述與已有技術(shù)例的主要不同點(diǎn)。也即，在已有技術(shù)中，如上所述，使用一個(gè)H數(shù)據(jù)和一個(gè)L數(shù)據(jù)，將兩者取平均后獲得基準(zhǔn)電位，與此相反，在本實(shí)施例中，使用多個(gè)H數(shù)據(jù)和多個(gè)L數(shù)據(jù)，將它們?nèi)∑骄螳@得基準(zhǔn)電位。這一點(diǎn)與已有技術(shù)不同。
由此，在本實(shí)施形態(tài)的強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)器件中，當(dāng)選擇了字線WL0時(shí)，讀出位線BL0、BL1、BL2、BL3的電位中所用的基準(zhǔn)電位是基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器CD00、CD10、CD20和CD30電位的平均值。該平均值分別從位線/BL0、/BL1、/BL2、/BL3讀出。
當(dāng)選擇了字線WL1時(shí)，位線對(duì)的作用與上述情況相反，基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器也不同。
也即，讀出位線/BL0、/BL1、/BL2、/BL3的電位時(shí)所用的基準(zhǔn)電位是基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器CD01、CD1 1、CD21和CD31電位的平均值。該平均值分別從位線BL0、BL1、BL2和BL3讀出。
因此，在圖1所示結(jié)構(gòu)中，對(duì)應(yīng)于8根字線WL0～WL7有2種基準(zhǔn)電位。本發(fā)明的第一強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)單元，如對(duì)應(yīng)于基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器CD00、CD20，第二強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)于基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器CD10、CD30。
第一實(shí)施形態(tài)的特征是將多個(gè)“H”(高)數(shù)據(jù)和多個(gè)“L”(低)數(shù)據(jù)取平均，故即使基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器存在性能不一致，也能減小其影響，從而獲得接近理想的基準(zhǔn)電位。
這里雖描述了對(duì)4個(gè)基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器(CD00～CD30)取平均的實(shí)施形態(tài)，但并不限于此，如可增加取平均的基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器的個(gè)數(shù)。
由此清楚可見(jiàn)，隨作取平均的基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器個(gè)數(shù)的增加，這些基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器性能不一致的影響就越小。
例如，若將取16個(gè)平均與取2個(gè)平均作比較，則應(yīng)輸出“H”(高)數(shù)據(jù)的一個(gè)強(qiáng)電介質(zhì)電容器輸出“L”(低)時(shí)，偏離理想基準(zhǔn)電位的誤差可抑制到1/8。
由此，因?yàn)閷⑵x理想基準(zhǔn)電位的誤差抑制得小，只要確保讀出放大器有一些工作余量，就能獲得工作更正常的強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)器件。
實(shí)施形態(tài)2圖2為本發(fā)明第二實(shí)施形態(tài)強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)器件的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)圖，用該圖說(shuō)明本實(shí)施形態(tài)的結(jié)構(gòu)和工作。
本實(shí)施形態(tài)的結(jié)構(gòu)，除下面所述的以外，包括電氣連接基本上與第一實(shí)施形態(tài)相同。
即，本實(shí)施形態(tài)的特征在于，如圖2所示，將包含基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器CD00～CD31及均值電路的基準(zhǔn)電位產(chǎn)生電路，和單元板極驅(qū)動(dòng)電路CPD，配置在位線長(zhǎng)度方向的中央附近。
如圖2所示，本實(shí)施形態(tài)的均值電路由第一均值電路A和第二均值電路B構(gòu)成。
即，第一均值電路A由N溝道型MOS晶體管Tr0、Tr3、Tr6、Tr8等構(gòu)成。均值電路也就是從位線/BL0、/BL1、/BL2、/BL3分別將存儲(chǔ)在基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器CD00、CD10、CD20、CD30中的上述各數(shù)據(jù)作為各種電位讀出時(shí)，對(duì)這些電位取平均值的電路。該平均后的電位產(chǎn)生在信號(hào)線EQ0上。
第二均值電路B的設(shè)置與第一均值電路A一樣。也即，第二均值電路B就是從位線BL0、BL1、BL2、BL3分別將存儲(chǔ)在基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器CD01、CD11、CD21、CD31中的上述各種數(shù)據(jù)作為各種電位讀出時(shí)，對(duì)這些電位取平均值的電路。該平均后的電位產(chǎn)生在信號(hào)線EQ1上。
如上圖所示，基準(zhǔn)電位產(chǎn)生電路配置在位線長(zhǎng)度方向的中央附近，故有如下效果。
即，雖然強(qiáng)電介質(zhì)電容器因配置部位引起特性不一致，但由于基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器位于主體存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器群的中央附近，能減小其影響。
如上圖所示，單元板極驅(qū)動(dòng)器CPD位于位線/BL3的右側(cè)，且配置在各位線長(zhǎng)度方向中央附近，故有如下效果。
即，能減小單元板極驅(qū)動(dòng)器CPD產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)時(shí)間延遲差的影響，從而能高速工作。也即，選擇了主體存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器C00和選擇了主體存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器C06時(shí)的單元板極信號(hào)的時(shí)間延遲差小。具體而言，圖2情況的時(shí)間延遲差是圖1所示結(jié)構(gòu)的約1/2。
實(shí)施形態(tài)3圖3為本發(fā)明第三實(shí)施形態(tài)強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)器件的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)圖，參照該圖說(shuō)明本實(shí)施形態(tài)的結(jié)構(gòu)和工作。
本實(shí)施形態(tài)的結(jié)構(gòu)，除下面所述的以外，基本上與第一實(shí)施形態(tài)類同。
即，本實(shí)施形態(tài)的第一特征在于將基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器分散配置于位線長(zhǎng)度方向的多個(gè)位置處。
具體而言，將基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器CD00、CD01、CD10、CD11配置在讀出放大器SA0、SA1附近，將基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器CD20、CD21、CD30、CD31配置在離讀出放大器SA2、SA3遠(yuǎn)的位置。
第二特征如圖3所示，，均值電路D配置在位線長(zhǎng)度方向的中央附近。
這樣，將基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器分散配置，故能減小強(qiáng)電介質(zhì)電容器在配置上特性不一致的影響，同時(shí)還能減小“H”數(shù)據(jù)和“L”數(shù)據(jù)取平均時(shí)，其平均后的電位因位線長(zhǎng)度方向時(shí)間差而不同的影響，從而能高速工作。
也即，在圖3中，接于基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元強(qiáng)電介質(zhì)電容器CD00、CD10的單元板極信號(hào)線，因靠近單元板極驅(qū)動(dòng)電路CDP，故電位出現(xiàn)的早。而接于基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元強(qiáng)電介質(zhì)電容器CD20、CD30的單元板極信號(hào)線，因遠(yuǎn)離單元板極驅(qū)動(dòng)電路CDP，故其電位出現(xiàn)遲。這樣，通過(guò)對(duì)基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元強(qiáng)電介質(zhì)電容器CD00、CD10、CD20和CD30取平均，也平均了基準(zhǔn)電位出現(xiàn)的速度。因此，可減小因位線長(zhǎng)度方向時(shí)間差引起基準(zhǔn)電位不同的影響。
這里，產(chǎn)生基準(zhǔn)電位用的位線均值電路雖集中配置在位線長(zhǎng)度方向的中央附近，但不言而喻，也可配置在讀出放大器的近端和遠(yuǎn)端。進(jìn)而，也可將基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器配置在位線長(zhǎng)度方向的中央附近。
下面，簡(jiǎn)單說(shuō)明圖4所示另一實(shí)施形態(tài)。
即如上圖所示，該列與圖3描述結(jié)構(gòu)相比，其不同點(diǎn)在于將單元板極驅(qū)動(dòng)器CPD沿著多根位線陣列并配置在該陣列中實(shí)質(zhì)上為中央的位置處。其它結(jié)構(gòu)與圖3所示相同，故省略其說(shuō)明。
上述配置使單元板極信號(hào)線CP至各基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器的長(zhǎng)度均等。因此，減小了單元板極驅(qū)動(dòng)電路CPD驅(qū)動(dòng)時(shí)延遲時(shí)間對(duì)部位的依賴性，故可獲得減小時(shí)間差的效果。
實(shí)施形態(tài)4圖5為本發(fā)明第四實(shí)施形態(tài)強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)器件的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)圖，參照該圖說(shuō)明本實(shí)施形態(tài)的結(jié)構(gòu)和工作。
該第四實(shí)施形態(tài)的特征在于，將一個(gè)基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器有選擇的連接于多根位線，故能減小產(chǎn)生基準(zhǔn)電位用的基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器等的配置面積。
如圖5所示，存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)為，位線BL0～BL3和/BL0、/BL3連接于讀出放大器SA0～SA3。主體存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器C00、C10、C20、C30通過(guò)以字線WL0為柵極的N溝道型MOS晶體管連接于位線BL0～BL3。基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器CD00、CD10、CD20、CD30通過(guò)以基準(zhǔn)字線RWL0為柵極的N溝道型MOS晶體管連接于位線/BL0～/BL3?；鶞?zhǔn)存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器CD00、CD10、CD20、CD30通過(guò)以基準(zhǔn)字線RWL1為柵極的N溝道型MOS晶體管連接于位線BL0～BL3。也即，結(jié)構(gòu)上基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器CD00、CD10、CD20、CD30即可連接于位線BL3～BL3，又可以連接于位線/BL0～/BL3。
強(qiáng)電介質(zhì)電容器C00～C37、CD00～CD30連接于單元板極驅(qū)動(dòng)器CPD驅(qū)動(dòng)的單元板極信號(hào)線CP。又通過(guò)以基準(zhǔn)字線RWL0為柵極的N溝道型MOS晶體管連接位線/BL0～/BL3。位線BL0～BL3通過(guò)以基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元重寫信號(hào)線REW0為柵極的N溝道型MOS晶體管，連接基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器CD00、CD10、CD20、CD30。
讀出放大器SA0是一種受讀出放大器控制信號(hào)/SAP、SAN控制，并借助位線預(yù)充電信號(hào)BP對(duì)位線BL0～BL3和/BL0～/BL3進(jìn)行預(yù)充電控制的電路。
該第四實(shí)施形態(tài)所用的方法與第一實(shí)施形態(tài)相同，也是采用4個(gè)與主體存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器大致相同規(guī)格的強(qiáng)電介質(zhì)電容器，分別從其內(nèi)2個(gè)讀出“H”數(shù)據(jù)，從另2個(gè)讀出“L”數(shù)據(jù)，再將這些數(shù)據(jù)平均。
按照上述方法，本實(shí)施形態(tài)強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)器件，當(dāng)選擇字線WL0時(shí)讀出位線BL0～BL3電位中用的基準(zhǔn)電位為基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器CD00、CD10、CD20和CD30電位的平均值。該平均值分別從位線/BL0～/BL3讀出。
當(dāng)選擇字一WL1時(shí)，位線對(duì)的作用與上述情況相反，但所用基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器與上述情況相同。
因此，在圖5所示結(jié)構(gòu)中，對(duì)應(yīng)于8根字線WL0～WL7的基準(zhǔn)電位只有一種。本發(fā)明第一強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)單元，如對(duì)應(yīng)于基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器CD00、CD20，而第二強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)于基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器CD10、CD30。
這里，雖結(jié)構(gòu)上2根位線對(duì)公用一個(gè)基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器，但也可與更多的位線公用。按照該第四實(shí)施形態(tài)，2根位線對(duì)公用時(shí)的布局，其配線層少，實(shí)現(xiàn)比較簡(jiǎn)單。第四實(shí)施形態(tài)的配置面積與第一實(shí)施形態(tài)的相比，基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器的個(gè)數(shù)為1/2。
其基準(zhǔn)電位產(chǎn)生電路和產(chǎn)生基準(zhǔn)電位用的位線均值電路，不言而喻，也可配置在位線長(zhǎng)度方向的中央附近。
下面，簡(jiǎn)單說(shuō)明圖6所示另一實(shí)施形態(tài)。
如該圖所示，本實(shí)施形態(tài)為圖5所示實(shí)施形態(tài)的另一例。
也即，如在圖5中，基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器CD00在一個(gè)位線對(duì)(如，連接于某個(gè)讀出放大器SA0的位線對(duì)BL0和/BL0)中公用。與此相反，圖6中不在同一位線對(duì)中公用。如圖6所示，基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元強(qiáng)電介質(zhì)電容器CD00在位線/BL0和位線BL1中公用。
這樣，按照本實(shí)施形態(tài)，由于可對(duì)不同的字線公用基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器，故與上述實(shí)施形態(tài)一樣，可減少基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器的個(gè)數(shù)。
按照上述實(shí)施形態(tài)，即使基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器存在性能不一致，其影響也小，能獲得接近理想的基準(zhǔn)電位，同時(shí)能提高成品率。
通過(guò)對(duì)基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器和均值電路的配置，能獲得更接近理想的基準(zhǔn)電位，從而能作成高速工作的強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)器件。
還能獲得減小產(chǎn)生基準(zhǔn)電位用的基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器的配置面積的效果。
從以上描述，清楚可見(jiàn)，權(quán)利要求1記載的本發(fā)明，由于對(duì)從存儲(chǔ)高電平數(shù)據(jù)的多個(gè)基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器和從存儲(chǔ)低電平數(shù)據(jù)的多個(gè)基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器所讀出的各電位取平均值，故其作用在于，即使各基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器存在性能不一致，也能減小其影響，從而能獲得比已有技術(shù)偏差更小的基準(zhǔn)電位。另外，結(jié)構(gòu)作成將均值電路連接于多根位線間，故其效果在于，與已有技術(shù)相比，不增大產(chǎn)生基準(zhǔn)電位用的基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器等的配置面積就能實(shí)現(xiàn)。
權(quán)利要求2記載的本發(fā)明，由于在權(quán)利要求1記載的發(fā)明中，例如將均值電路接入多個(gè)位線間，而且配置在位線長(zhǎng)度方向中央附近，故具有的效果是，能減小部位對(duì)位線均值狀態(tài)的影響，從而獲得接近理想的基準(zhǔn)電位。
權(quán)利要求3記載的本發(fā)明，由于在權(quán)利要求1記載的發(fā)明中將如基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器接入多根位線，并配置在位線長(zhǎng)度方向中央附近，故獲得的效果是，能減小基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器和主體存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器的配置部位產(chǎn)生的影響，即使各基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器存在性能不一致，也能減小其影響，從而能得到接近理想的基準(zhǔn)電位。
權(quán)利要求4記載的本發(fā)明，由于在權(quán)利要求1記載的發(fā)明中，例如將基準(zhǔn)用強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)單元接入多根位線，并配置在位線長(zhǎng)度方向的多個(gè)位置處，故取得的效果是，可進(jìn)一步減小基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器和主體存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器的配置部位產(chǎn)生的影響，即使各基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器存在性能不一致，也能減小其影響，從而能獲得接近理想的基準(zhǔn)電位。
權(quán)利要求5記載的本發(fā)明，與權(quán)利要求6記載的發(fā)明大致相同，能減少單元板極驅(qū)動(dòng)器CPD產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)時(shí)間延遲差的影響，從而能高速工作。
權(quán)利要求2～6所記載的任一發(fā)明，由于能獲得更接近理想的基準(zhǔn)電位，故能有效地實(shí)現(xiàn)高速工作的強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)器件。
權(quán)利要求7記載的本發(fā)明，由于例如某一個(gè)基準(zhǔn)用強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)單元通過(guò)開(kāi)關(guān)元件接入多根位線，故能獲得產(chǎn)生基準(zhǔn)電位用的基準(zhǔn)用強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)單元等的配置面積比已有技術(shù)小的效果。通過(guò)與權(quán)利要求1記載的發(fā)明結(jié)構(gòu)組合運(yùn)用，能減小基準(zhǔn)用強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)單元電容器性能不一致的影響，從而得到更接近理想的基準(zhǔn)電位，且配置面積也小。
權(quán)利要求8記載的本發(fā)明，由于對(duì)接于讀出放大器的2根為一對(duì)的位線通過(guò)各自的開(kāi)關(guān)元件連接一個(gè)基準(zhǔn)用強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)單元，故能獲得產(chǎn)生基準(zhǔn)電位用的基準(zhǔn)用強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)單元等的配置面比已有技術(shù)小的效果。該情況與上述例相比，由于僅對(duì)2根為一對(duì)的位線公用基準(zhǔn)用強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)單元，故基準(zhǔn)用強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)單元的使用頻度小，有利于使用壽命。因只對(duì)相鄰的位線對(duì)設(shè)置開(kāi)關(guān)元件，故配置面積小。
工業(yè)上的可應(yīng)用性按照以上說(shuō)明，本發(fā)明的強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)器件具有例如實(shí)質(zhì)上存儲(chǔ)高電平數(shù)據(jù)的多個(gè)第一強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)單元；實(shí)質(zhì)上存儲(chǔ)低電平數(shù)據(jù)的多個(gè)第二強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)單元；對(duì)分別從第一及第二強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)單元讀出的電位進(jìn)行平均的均值電路手段；用取平均值后的電位作為基準(zhǔn)電位，讀出存儲(chǔ)在主體存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器的數(shù)據(jù)的讀出手段。因此，基準(zhǔn)電位的偏差比已有技術(shù)的小得多。
權(quán)利要求
1.一種強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)器件，其特征在于，主體存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器中存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù)，而且所述存儲(chǔ)器件具有實(shí)質(zhì)上存儲(chǔ)高電平數(shù)據(jù)的多個(gè)第一強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)單元；實(shí)質(zhì)上存儲(chǔ)低電平數(shù)據(jù)的多個(gè)第二強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)單元；對(duì)分別從所述第一及第二強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)單元讀出的電位進(jìn)行平均的均值電路手段；用所述平均后的電位作為基準(zhǔn)電位對(duì)存儲(chǔ)在所述主體存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器中的數(shù)據(jù)進(jìn)行讀出的讀出手段。
2.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器件，其特征在于，選擇所述主體存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器的字線和用于讀出所述電位的位線排列成矩陣形，所述主體存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器構(gòu)成存儲(chǔ)單元陣列，所述均值電路手段連接于所述多根位線內(nèi)全部或部分位線，且配置在所述位線長(zhǎng)度方向的中央附近。
3.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器件，其特征在于，選擇所述主體存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器的字線和用于讀出所述電位的位線排列成矩陣形，所述主體存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器構(gòu)成存儲(chǔ)單元陣列，所述第一及第二強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)單元連接于所述多根位線內(nèi)全部或部分位線，且配置在所述位線長(zhǎng)度方向的中央附近。
4.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器件，其特征在于，選擇所述主體存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器的字線和用于讀出所述電位的位線排列成矩陣形，所述主體存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器構(gòu)成存儲(chǔ)單元陣列，所述第一及第二強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)單元連接于所述多根位線，且分散配置在所述位線長(zhǎng)度方向的多個(gè)位置處。
5.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器件，其特征在于，選擇所述主體存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器的字線和用于讀出所述電位的位線排列成矩陣形，所述主體存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器構(gòu)成存儲(chǔ)單元陣列，所述單元板極驅(qū)動(dòng)手段配置在所述位線長(zhǎng)度方向的中央附近。
6.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器件，其特征在于，還進(jìn)一步備有對(duì)所述主體存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器施加預(yù)定電位的單元板極驅(qū)動(dòng)手段，選擇所述主體存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器的字線和用于讀出所述電位的位線排列成矩陣形，所述主體存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器構(gòu)成存儲(chǔ)單元陣列，所述單元板極驅(qū)動(dòng)手段配置在多根所述位線的所述陣列中實(shí)質(zhì)上為中央的附近。
7.一種強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)器件，其特征在于，選擇主體存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器的字線和從所述主體存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器讀出數(shù)據(jù)用的位線配置成矩陣形，所述主體存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù)，而且所述存儲(chǔ)器件還具有對(duì)不同的所述字線公用的基準(zhǔn)用強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)單元；利用根據(jù)從所述基準(zhǔn)用強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)單元讀出的電位所獲得的基準(zhǔn)電位，對(duì)所述主體存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器進(jìn)行所述數(shù)據(jù)讀出的讀出手段。
8.如權(quán)利要求7所述的存儲(chǔ)器件，其特征在于，連接于讀出放大器的2根位線通過(guò)各自的開(kāi)關(guān)元件連接所述基準(zhǔn)用強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)單元。
全文摘要
本發(fā)明目的在于提供一種能進(jìn)一步減小基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元系統(tǒng)中基準(zhǔn)電位偏差的強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)器件。為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明的強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)器件如圖1所示,具有基準(zhǔn)電位產(chǎn)生電路,其工作方式是從存儲(chǔ)高電平數(shù)據(jù)的2個(gè)基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器CD00、CD20,和從存儲(chǔ)低電平數(shù)據(jù)的2個(gè)基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元用強(qiáng)電介質(zhì)電容器CD10和CD30分別讀出電位,對(duì)這些電位取平均值,從而生成基準(zhǔn)電位。
文檔編號(hào)H01L27/115GK1183166SQ9719024
公開(kāi)日1998年5月27日 申請(qǐng)日期1997年3月19日 優(yōu)先權(quán)日1996年3月25日
發(fā)明者平野博茂 申請(qǐng)人:松下電子工業(yè)株式會(huì)社