專利名稱：：微小化與集成化印刷式晶片電阻器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本實(shí)用新型是有關(guān)一種印刷式晶片電阻器，尤其是有關(guān)一種較常見晶片電阻器更為微小化與集成化的晶片電阻器。隨著電子設(shè)備輕、薄、短、小的趨勢，晶片電阻器通用的尺寸也越來越小，同時(shí)，集成度也越來越高，其已由昔日的EIA1206，DIA0805，EIA0603尺寸進(jìn)化到今日的EIA0402尺寸單一電阻，而且由EIA1206的8支接腳，4個電阻進(jìn)化到了今日EIA1206的10支接腳，8個電阻，由此可知，晶片電阻的小型化及集成化的趨勢越來越高，而對于傳統(tǒng)制造晶片電阻的印刷式工藝而言，由于尺寸上的限制，部分規(guī)格的產(chǎn)品已超過工藝所能達(dá)到的能力；部分規(guī)格的產(chǎn)品雖然在工藝能力之內(nèi)，但印刷后的后續(xù)工藝合格率受到印刷工藝結(jié)果的限制而無法突破。因此，即有部分的制造者改以薄膜工藝來生產(chǎn)傳統(tǒng)印刷式工藝沒有辦法生產(chǎn)的晶片電阻，但是，要以薄膜工藝來制造晶片電阻器，設(shè)備的投資是極為昂貴的。傳統(tǒng)以印刷工藝方式所制得的晶片電阻器單元乃如圖1所示，其基層100上有一層位于上方的導(dǎo)體層200，導(dǎo)體層200之上，則為電阻層300，此種以印刷工藝方式所制得的晶片電阻器，大都是使用于表面粘著技術(shù)的產(chǎn)品，故必須具有導(dǎo)體露出的部分來當(dāng)作端電極，而在印刷工藝中，導(dǎo)體層與電阻層必須有一空尺寸的重疊區(qū)230，該重疊區(qū)的大小，依印刷工藝能力或印刷精度而定，因?yàn)榇酥丿B區(qū)是必須要存在的，相對的，有效電阻可印刷區(qū)即減少，晶片電阻器的尺寸越小，有效電阻可印刷區(qū)的減少也就越嚴(yán)重，當(dāng)有效電阻可印刷區(qū)小至某種程度，縱然印刷工藝仍可進(jìn)行，但是，緊接而來阻值的調(diào)整，因?yàn)殡娮栌∷^(qū)空間減小的結(jié)果，以相同精度的設(shè)備而言，調(diào)整后，其合格率也大幅降低。此外，電阻層的印刷受到限制，端電極尺寸也相對較小，在印刷設(shè)備相同的情形下，印刷合格率也會較低。有鑒于現(xiàn)有的傳統(tǒng)式以印刷工藝所制得的晶片電阻器有上述的缺點(diǎn)，本新型設(shè)計(jì)人致力于研究改進(jìn)之道而終有本新型的產(chǎn)生。針對現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本實(shí)用新型的主要目的即在提供一種微小化與集成化印刷式晶片電阻器，依本新型的此種印刷式晶片電阻器，其有效電阻可印刷區(qū)并不會減少，故可在相同制造設(shè)備條件下，獲得合格率與可靠度更高的結(jié)果。本新型包括有一基層、一電阻層以及一導(dǎo)體層，其特征在于電阻層形成于基層上，電阻層上則為導(dǎo)體層，導(dǎo)體層與電阻層部份重疊。至于本新型的印刷式晶片電阻器，其詳細(xì)構(gòu)成與工藝，可參照附圖所作的說明即可完全了解。圖1為傳統(tǒng)晶片電阻器的構(gòu)成縱截面示意圖。圖2為本新型印刷式晶片電阻器的構(gòu)成縱截面示意圖。圖3～圖5為本新型印刷式晶片電阻器的工藝示意圖。圖6為傳統(tǒng)印刷工藝制造的EIA0603晶片電阻器的相關(guān)尺寸圖。圖7為傳統(tǒng)印刷工藝制造的EIA0402晶片電阻器的相關(guān)尺寸圖。圖8為本新型工藝制造的EIA0603晶片電阻器的相關(guān)尺寸圖。圖9為本新型工藝制造的EIA0402晶片電阻器的相關(guān)尺寸圖。圖1所示的傳統(tǒng)晶片電阻器，其構(gòu)成，工藝以及其缺點(diǎn)已詳細(xì)描述如上，此處不再重復(fù)敘述。參看圖2所示，本新型的此種印刷式晶片電阻器是由一基層1，一導(dǎo)體層2，一電阻層3以及一底部電極4所構(gòu)成，其中，電阻層3系在導(dǎo)體層2的下方。其制造過程如圖3～圖5所示，于基層1上先進(jìn)行背面電極4的印刷(圖3)，其次，進(jìn)行正面電阻層3的印刷(圖4)，最后，進(jìn)行導(dǎo)體層的印刷；兩晶片電阻器單元的兩電阻層的間隙并以導(dǎo)體層覆蓋。依本新型的印刷式晶片電阻器，其正面電阻層3的印刷在下，而正面電極導(dǎo)體層2的印刷在上，此種印刷式晶片電阻器可使原來傳統(tǒng)印刷工藝所無法做到的產(chǎn)品成為可能，甚至有更微小化與集成化的印刷式晶片電阻器產(chǎn)品出現(xiàn)，無需通過昂貴的薄膜工藝即可利用價(jià)廉的印刷方式來實(shí)現(xiàn)。<實(shí)施例>參見圖8與圖9，以本新型所得的尺寸為EIA0603與EIA0402晶片電阻器，比較說明如下(A)EIA0603英制尺寸L0.06in×W0.03in相當(dāng)公制尺寸L1.6mm×寬0.8mm端電極尺寸0.3mm印刷工藝能力0.1mm重疊工藝尺寸0.3-0.05＝0.25mm(電阻層在導(dǎo)體層下方，故工藝能力可在L方向可降至0.25mm)最大電阻層可印刷尺寸L(1.6-0.05×2)×W(0.8-0.1×2)＝L(1.5mm)×W(0.6mm)最大電阻層有效電阻尺寸L(1.6-0.3×2)×W(0.8-0.1×2)＝L(0.1mm)×W(0.6mm)(B)EIA0402英制尺寸L0.04in×W0.02in相當(dāng)公制尺寸L1.0mm×W0.5mm端電極尺寸0.25mm印刷工藝能力0.1mm重疊工藝尺寸0.25-0.05＝0.2mm(電阻層在導(dǎo)體層下方，故工藝能力于L方面可降至0.2mm)最大電阻層可印刷尺寸L(1.0-0.05×2)×W(0.5-0.1×2)＝L(0.9mm)×W(0.3mm)最大電阻層有效電阻尺寸＝L(1.0-0.25×2)×W(0.5-0.1×2)＝L(0.5mm)×W(0.3mm)<對照例>參照圖6與圖7，申請人以傳統(tǒng)的工藝所得的尺寸為EIA0603與EIA0402的晶片電阻器來作一說明(A)EIA0603英制尺寸長0.06in×寬0.03in相當(dāng)公制尺寸長1.6mm×寬0.8mm端電極尺寸0.3mm印刷工藝能力0.1mm最大電阻層可印刷尺寸L(1.6-0.3×2)×W(0.8-0.1×2)＝L(1.0mm)×W(0.6mm)最大電阻層有效電阻尺寸L(1.0-0.1×2)×W(0.8-0.1×2)＝L(0.8mm)×W(0.6mm)(A)EIA0402英制尺寸長0.04in×寬0.02in相當(dāng)公制尺寸長1.0mm×寬0.5mm端電極尺寸0.25mm印刷工藝能力0.1mm最大電阻層可印刷尺寸L(1.0-0.25×2)×W(0.5-0.1×2)＝L(0.5mm)×W(0.3mm)最大電阻層有效電阻尺寸L(0.5-0.1×2)×W(0.5-0.1×2)＝L(0.3mm)×W(0.3mm)由此對照例可以很明顯地看出，當(dāng)產(chǎn)品尺寸縮小時(shí)，其影響非常嚴(yán)重，此尚且為單一電阻型而已，若是EIA1206的10接腳8電阻，其尺寸較EIA0402單一電阻更小，以傳統(tǒng)印刷工藝而言，實(shí)遠(yuǎn)超過其工藝能力。<比較>實(shí)施例與對照例所得的結(jié)果列表如下</tables>由以上比較，可知當(dāng)晶片電阻器尺寸愈小，改善效益越明顯。從以上所述可知本新型的一種微小化與集成化印刷式晶片電阻器及其制造方法，確實(shí)具有傳統(tǒng)晶片電阻器所無的優(yōu)點(diǎn)，可裨益于印刷式晶片電阻器產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展乃為無庸置疑，且并未見諸公開使用，應(yīng)屬獨(dú)創(chuàng)無疑。權(quán)利要求1.一種微小化與集成化印刷式晶片電阻器，包括有一基層、一電阻層以及一導(dǎo)體層，其特征在于電阻層形成于基層上，電阻層上則為導(dǎo)體層，導(dǎo)體層與電阻層部份重疊。2.如權(quán)利要求1所述的微小化與集成化印刷式晶片電阻器，其特征在于兩晶片電阻器單元的兩電阻層的間隙并以導(dǎo)體層覆蓋。專利摘要本實(shí)用新型是有關(guān)一種印刷式晶片電阻器,尤其是有關(guān)一種較常見晶片電阻器更為微小化與集成化的晶片電阻器。本新型包括有:一基層、一電阻層以及一導(dǎo)體層,其特征在于:電阻層形成于基層上,電阻層上則為導(dǎo)體層,導(dǎo)體層與電阻層部分重疊。本新型可大幅度提升晶片電阻器印刷可應(yīng)用的空間,使晶片電阻器獲得最小可能尺寸,因此,使后續(xù)工藝的合格率獲得重大改善,并使其可信度優(yōu)于傳統(tǒng)的晶片電阻器。文檔編號H01C1/14GK2280339SQ9624460公開日1998年4月29日申請日期1996年11月25日優(yōu)先權(quán)日1996年11月25日發(fā)明者廖世昌申請人:乾坤科技股份有限公司