專(zhuān)利名稱：等離子體工藝設(shè)備的腔體腐蝕的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子體工藝設(shè)備，特別涉及這種等離子體工藝設(shè)備的等離子體腐蝕清潔或腔體腐蝕。
為在半導(dǎo)體器件生產(chǎn)中形成一層薄膜，在已有技術(shù)中有公知的CVD(化學(xué)汽相淀積)。而且，為了對(duì)付比如超LSI(大規(guī)模集成)的高集成度，采用了等離子體CVD形成可靠的絕緣薄膜或像高質(zhì)量二氧化硅層之類(lèi)的膜層。等離子體CVD工藝是用等離子體工藝設(shè)備進(jìn)行的。
等離子體工藝設(shè)備包括一個(gè)基底電極以及一個(gè)面向基底電極并以一預(yù)定間距在腔體內(nèi)隔開(kāi)的反向電極。在基底電極的表面上安置并支托著晶片。基底電極設(shè)有一個(gè)絕緣蓋，蓋住基底電極的環(huán)形周邊區(qū)。向腔體內(nèi)引入反應(yīng)氣體硅烷，并在基底電極接地的情況下向反向電極加一高頻電源。這樣，便在兩電極之間產(chǎn)生輝光放電并且反應(yīng)氣體受到高度激發(fā)產(chǎn)生等離子體。因而，在晶片上有效地淀積了一層二氧化硅薄膜，但是與此同時(shí)，反應(yīng)生成物作為不需要的硅層附著在電極的周邊部件上，特別是，在基底電極的絕緣蓋上。
在重復(fù)使用等離子體CVD設(shè)備在不同晶片上形成氧化硅膜之后，所附著的反應(yīng)生成物積累成一層過(guò)厚的不希望有的二氧化硅膜，以致使這層不希望有的氧化硅膜剝落而妨礙等離子體放電。
因而，在等離子體工藝設(shè)備已被使用在一預(yù)定數(shù)量的晶片上形成氧化硅層之后，等離子體工藝設(shè)備要經(jīng)受一次等離子體腐蝕或是腔體腐蝕，對(duì)腔體內(nèi)的部件進(jìn)行清潔處理，特別是，對(duì)基底電極和基底電極的絕緣蓋。
進(jìn)行腔體腐蝕是向腔體引入碳氟化合物氣體取代硅烷作反應(yīng)氣體并進(jìn)行等離子體處理。碳氟化合物，例如CF4，與二氧化硅反應(yīng)生成SiF4和CO2，通過(guò)出氣口從腔體排出。這樣，就去除了不希望有的氧化硅。
然而，在重復(fù)進(jìn)行等離子體CVD工藝之后，由于從基底電極的絕緣蓋上剝離出二氧化硅淀積物的顆粒，使得等離子體工藝設(shè)備遭受這些顆粒的損害。這里的絕緣蓋通常是用氧化鋁(Al2O3)作的。
為了解決在重復(fù)進(jìn)行CVD工藝之后產(chǎn)生的顆粒問(wèn)題，日本專(zhuān)利JP-A-270066提出了用碳化硅(SiC)作絕緣蓋。根據(jù)JP-A-270066的說(shuō)法，Al2O3絕緣蓋在腔體清潔時(shí)與CF4反應(yīng)生成AlF3淀積在絕緣蓋上。此后，重復(fù)進(jìn)行等離子體淀積并使二氧化硅層的厚度增加，由于AlF3的表面能量小而使二氧化硅層剝落成不希望有的顆粒。而在另一方面，SiC與CF4反應(yīng)生成SiF4和CO2，通過(guò)出氣口排出腔體。
按照J(rèn)P-A-270066，在等離子體CVD工藝和腔體腐蝕的兩種情況下都是基底電極接地。因而，在CVD工藝中在絕緣蓋上淀積的不希望有的氧化硅比在反向電極上的數(shù)量多，但在腔體腐蝕中在絕緣蓋上淀積的不希望有的氧化硅比在反向電極上的更不易腐蝕掉。因而，又留下要耗費(fèi)很多時(shí)間去腐蝕絕緣蓋上不希望有的氧化硅的問(wèn)題。
為了提高腔體腐蝕的腐蝕速率以及降低等離子體工藝設(shè)備的維護(hù)操作頻率，必需提高在等離子體CVD工藝中形成的氧化硅膜與碳化硅膜的腐蝕選擇性比率。
為了解決以上提出的問(wèn)題，本發(fā)明的一項(xiàng)目的是要提供一種通過(guò)腔體腐蝕清潔等離子體工藝設(shè)備的方法，這種腔體腐蝕縮短了清潔時(shí)間但又不可能因過(guò)度腐蝕而損傷絕緣蓋并且不產(chǎn)生顆粒。
本發(fā)明提供了一種等離子體工藝設(shè)備的腔體腐蝕方法。該設(shè)備包括一個(gè)基底電極用于在其上支托晶片，一個(gè)碳化硅的絕緣蓋，配置成蓋住基底電極的環(huán)形周邊區(qū)，以及在一個(gè)腔體內(nèi)面對(duì)著基底電極的一個(gè)反向電極，采用腔體內(nèi)的等離子體反應(yīng)氣體通過(guò)CVD工藝在晶片上形成一層二氧化硅層，二氧化硅層還作為一層不希望有的二氧化硅層形成在包括絕緣蓋和電極的腔體內(nèi)的部件表面上。本發(fā)明的方法就是用于去除部件表面上不希望有的二氧化硅層并包括將基底電極接至一高頻電源以及使反向電極接地；向腔體內(nèi)引入一種碳氟化合物氣體；并由高頻電源向基底電極提供高頻電能以此進(jìn)行腔體腐蝕，從而去除不希望有的二氧化硅層。
按照本發(fā)明的一種方式，所得到的等離子體工藝設(shè)備是用于通過(guò)等離子體CVD工藝在晶片上形成一層二氧化硅層并可適用于進(jìn)行腔體腐蝕。設(shè)備包括一個(gè)腔體，帶有供引入氣體的進(jìn)氣口和供排出廢氣的出氣口，在等離子體CVD工藝中進(jìn)氣口引入供形成二氧化硅的反應(yīng)氣體，而在腔體腐蝕中進(jìn)氣口引進(jìn)碳氟化合物氣體；一個(gè)固定安置在腔體內(nèi)的基底電極，帶有一個(gè)基底電極接線端露在腔體之外，在等離子體CVD工藝中，在基底電極的中央表面區(qū)上安置并支托著晶片；在基底電極的環(huán)形周邊區(qū)上固定安置一個(gè)碳化硅的絕緣蓋；一個(gè)反向電極面對(duì)著基底電極并在其間留有一預(yù)定的間隙，并且?guī)в幸粋€(gè)反向電極接線端露在腔體之外；一個(gè)提供高頻電能的電源；以及一個(gè)電源開(kāi)關(guān)裝置，用于使基底電極接線端和反向電極接線端的兩者之一與電源連接并使余下的電極接線端接地，由此，當(dāng)進(jìn)行等離子體CVD工藝時(shí)，電源向反向電極提供高頻電能，而當(dāng)進(jìn)行腔體腐蝕時(shí)，電源向基底電極提供高頻電能。
按照本發(fā)明的另一種方式，所得到的等離子體工藝設(shè)備是用于通過(guò)等離子體CVD工藝在晶片上形成一層二氧化硅層并可適用于進(jìn)行腔體腐蝕法。設(shè)備包括一個(gè)腔體，帶有供引入氣體的進(jìn)氣口和供排出廢氣的出氣口，在等離子體CVD工藝中進(jìn)氣口引入供形成二氧化硅的反應(yīng)氣體，而在腔體腐蝕中進(jìn)氣口引進(jìn)碳氟化合物氣體；一個(gè)固定安置在腔體內(nèi)的基底電極，帶有一個(gè)基底電極接線端露在腔體之外，在等離子體CVD工藝中，在基底電極的中央表面區(qū)上安置并支托著晶片；在基底電極的環(huán)形周邊區(qū)上固定安置一個(gè)碳化硅的絕緣蓋；一個(gè)反向電極面對(duì)著基底電極并在其間留有一預(yù)定的間隙，并且?guī)в幸粋€(gè)反向電極接線端露在腔體之外；一個(gè)提供第一高頻電能的第一電源；一個(gè)提供第二高頻電能的第二電源；一個(gè)第一電源開(kāi)關(guān)裝置，用于在等離子體CVD工藝中連接基底電極與地線使基底電極接地，而在腔體腐蝕中將第一電源與基底電極接線端連接；以及一個(gè)第二電源開(kāi)關(guān)裝置，用于在等離子體CVD工藝中將第二電源與反向電極連接，而在腔體腐蝕中連接反向電極接線端與地線使反相電極接線端接地。
在設(shè)備中，反向電極可以有一個(gè)由碳化硅形成的周邊區(qū)。
設(shè)備可以是帶喇叭形反向電極的電子回旋共振式的。
設(shè)備可以是平行電極式的，其中的基底電極和反向電極是被安置成相互平行的扁平電極。
附圖的簡(jiǎn)短說(shuō)明

圖1為一常規(guī)等離子體工藝設(shè)備的剖面示意圖；圖2為本發(fā)明第一實(shí)施例等離子體工藝設(shè)備的剖面示意圖；圖3為本發(fā)明第二實(shí)施例等離子體工藝設(shè)備的剖面示意圖；圖4為在腔體腐蝕中基底電極接在電源上時(shí)絕緣蓋上的SiO2腐蝕速率與基底電極接地時(shí)的情況相比較的示意圖；以及圖5為在腔體腐蝕中采用不同氣體，CF4氣體、SF6氣體以及NF3氣體時(shí)，SiO2薄膜與SiC的腐蝕選擇性比例的示意圖。
在描棕本發(fā)明的實(shí)施例之前，將參照?qǐng)D1對(duì)在JP-A-270066中公開(kāi)的一件等離子體工藝設(shè)備進(jìn)行描述。
參閱圖1，一個(gè)示出的電極(反向電極)42連接在一個(gè)射頻(RF)電源41上以及一個(gè)基座(基底一側(cè)的電極)43接地。一片晶片裝在基座43上并且基座43的周邊部分被一個(gè)由SiC制作的絕緣蓋45蓋住。如若必要，則要有一個(gè)由SiC制成的絕緣環(huán)46。在絕緣環(huán)46中構(gòu)成一個(gè)進(jìn)氣口47用于向設(shè)備的腔體內(nèi)引入反應(yīng)氣體。等離子體工藝設(shè)備采用SiC的絕緣蓋，以此防止淀積在絕緣蓋上的氧化硅層輕易地剝離，即使在進(jìn)行過(guò)多片的等離子體CVD之后也能作到這點(diǎn)。然而，采用SiC制作的基底電極的絕緣蓋如前言中所述仍有缺點(diǎn)。
參照?qǐng)D2將對(duì)本發(fā)明第一實(shí)施例的等離子體工藝設(shè)備進(jìn)行描述。
參閱圖2，其中所示的等離子體工藝設(shè)備是ECR(電子回旋共振)型的。
ECR型的等離子體工藝設(shè)備包括一個(gè)電源1，一個(gè)基底電極2，一個(gè)用SiC制作并適合蓋住基底電極2的環(huán)形周邊的絕緣蓋6，以及一個(gè)喇叭形部件(反向電極)3?；纂姌O2、喇叭形部件3和絕緣蓋6安置在等離子體腔體8的內(nèi)部。在腔體8的外面安排了一塊第一磁塊4和一塊第二磁鐵5用于控制一個(gè)磁場(chǎng)。進(jìn)氣口7是為向腔體8內(nèi)引入氣體而設(shè)備的，廢氣出口9也是為向腔體8外排放廢氣而設(shè)置的。
在喇叭形部件3接至電源1且基底電極接地的情況下，在用等離子體工藝設(shè)備在晶片上形成一層二氧化硅(SiO2)之后，在未裝載任何晶片的情況下進(jìn)行腔體腐蝕以清潔設(shè)備。
在腔體腐蝕中，經(jīng)進(jìn)氣口7向腔體8中引入一種氣體，并從2.0仟瓦微波源的引進(jìn)槽向腔體8內(nèi)引入比如說(shuō)2.45仟兆赫的微波，并以1.5仟瓦偏置成13.56兆赫加在喇叭部件3和基底電極2兩方進(jìn)行腔體腐蝕。
腔體腐蝕是在不同條件下進(jìn)行試驗(yàn)的。
這里，對(duì)絕緣蓋6上兩種情況的SiO2薄膜腐蝕速率進(jìn)行了測(cè)量。一種情況是，如圖2中所示，基底電極2通過(guò)其露在腔體8外面的接線端連接到電源1上，而喇叭部件3則通過(guò)其露在腔體8外面的接線端接地。另一種情況則為，喇叭形部件3連接到電源1上，而基底電極2接地。測(cè)量結(jié)果示于圖4。
從圖4注意到，當(dāng)基底電極2作為電源基底電極使用連接到電源1上時(shí)，絕緣蓋6上的SiO2薄膜就被腐蝕去除，但當(dāng)基底電極2連接到地線上作為接地基底電極使用時(shí)，SiO2就幾乎未被去除。
然后，用基底電極2作為電源基底電極，以每分鐘100標(biāo)準(zhǔn)立方厘米左右的速度，用三種不同的引入氣體，即CF4、SF6和NF3，進(jìn)行腔體腐蝕。在使用每種氣體中，對(duì)絕緣蓋6的SiO2與SiC的腐蝕選擇性比率進(jìn)行了測(cè)量。結(jié)果示于圖5。
從圖5清楚可見(jiàn)，當(dāng)用CF4進(jìn)行腐蝕時(shí)，腐蝕的選擇性較高，而當(dāng)用SF4或NF3進(jìn)行腐蝕時(shí)則比率較低。
當(dāng)在腐蝕工作中采用碳氟化合物類(lèi)型的氣體時(shí)，SiO2和碳氟化合物中的氟反應(yīng)放出SiF4，SiF4在室溫下是氣態(tài)的，并與其中的碳反應(yīng)放出CO2。這樣，SiO2就被有效地去除。
與此同時(shí)，SiC與碳氟化合物中的氟反應(yīng)放出SiF4，但由于SiC存在C，它不能與碳氟化合物中的碳反應(yīng)。因而SiC的腐蝕進(jìn)行得不太明顯。結(jié)果使由SiC制作的基底電極的周邊區(qū)未受損傷，即使受到過(guò)度腐蝕時(shí)也是這樣，這就保障了在低顆粒產(chǎn)出下使用等離子體工藝設(shè)備。
在本發(fā)明的第一實(shí)施例中，若有必要，喇叭體(反向電極)的周邊部分可以用SiC形成。
本發(fā)明的第一實(shí)施例已配合ECR型的等離子體工藝設(shè)備進(jìn)行了描述。
本發(fā)明也能夠應(yīng)用于平行電極型的等離子體工藝設(shè)備，其中的基底電極和反向電極是扁平的并安置成相互平行。
接著，本發(fā)明的第二實(shí)施例將參照?qǐng)D3描述于后。
參閱圖3，其中所示的等離子體工藝設(shè)備是屬于平行電極型的。這種等離子體工藝設(shè)備還具有轉(zhuǎn)換電源電極和接地電極功能的特征。
這種等離子體工藝設(shè)備包括一個(gè)第一RF電源21，一個(gè)電子流電極(反向電極)22，一個(gè)第一轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)28，用于使電子流電極22與第一RF電源21或是與地線相連，一個(gè)基座(基底的電極)23，用于支托晶片24，一個(gè)絕緣蓋25，它由SiC形成并安置成接近基座23，一個(gè)第二RF電源26，一個(gè)第二轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)29，用于使基座23與第二RF電源26或是與地線相連，一個(gè)進(jìn)氣口27，用于向腔體引入氣體，一個(gè)出氣口30，用于向腔體外排出廢氣。
為了用第二實(shí)施例的等離子體工藝設(shè)備在晶片24上形成二氧化硅薄膜，通過(guò)使第二轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)旋向B側(cè)使基座(基底電極)23接地，并使第一轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)28旋向B側(cè)，使電子流電極22接至第一RF電源21。通過(guò)進(jìn)氣口27引進(jìn)反應(yīng)氣體硅烷進(jìn)行二氧化硅淀積。
二氧化硅形成在晶片上，但也淀積在SiC的絕緣蓋25上，它的淀積量是除基底電極之外所有部件中最多的。
接著，進(jìn)行等離子體工藝設(shè)備的腔體腐蝕，將第一轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)28旋向A側(cè)使電子流電極22接地，并將第二轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)29旋向A側(cè)使基座(基底電極)23接至第二RF電源26。
然后，CF4經(jīng)進(jìn)氣口27以每分鐘50至200標(biāo)準(zhǔn)立方厘米的速度流入腔體并以13.56仟赫的射頻(RF)偏置電源加在基座23上，在0.1-1乇范圍內(nèi)的氣壓下進(jìn)行腔體腐蝕。SiC絕緣蓋25上的二氧化硅腐蝕速率很高，使總的腐蝕效率可能增強(qiáng)。而且，由于是用CF4氣體作腐蝕氣體，SiO2與SiC的選擇性腐蝕比率很高，使得用SiC制作的部件幾乎未受損傷。因此在經(jīng)過(guò)輕度超量的過(guò)腐蝕腔體腐蝕清潔之后，在使用設(shè)備時(shí)基本上能夠避免顆粒的出現(xiàn)。
順便說(shuō)一下，在本發(fā)明的第二實(shí)施例中，使用了兩個(gè)電源。然而，要明白該設(shè)備能用單一的電源進(jìn)行CVD工藝和腔體腐蝕的工作。單一的電源與基底電極和反向電極中的一個(gè)作選擇連接。
在本發(fā)明的第二實(shí)施例中，電子流電極22(反向電極)的周邊部分也可以是用SiC制作的。
還要了解圖2中的電源開(kāi)關(guān)電路也可應(yīng)用于ECR型等離子體工藝設(shè)備。
本發(fā)明的第一和第二實(shí)施例都是用CF4氣體腐蝕進(jìn)行描述的。但也能用其它的碳氟化合物型氣體，如象C2F6氣體和C3F8氣體，代替使用。它們不會(huì)因工作狀況不同而產(chǎn)生區(qū)別。
還能允許向腐蝕氣體中加進(jìn)一點(diǎn)O2氣，目的是為防止碳的淀積。
例如，當(dāng)向CF4氣體中滲入的氫氣量不超過(guò)50％時(shí)，以CF4氣體的含量為基礎(chǔ)實(shí)現(xiàn)降低SiC腐蝕速度的目的，合成的混合物形成HF并因而提升CxFx的吸附以及改進(jìn)SiO2薄膜和SiC選擇性腐蝕的比率。
出現(xiàn)在本發(fā)明實(shí)施例中的諸如氣體引入量之類(lèi)的數(shù)量因子已通過(guò)引用特定的數(shù)值進(jìn)行描述。然而，本發(fā)明不受實(shí)施例的限制。
如上所述，本發(fā)明容許腔體腐蝕時(shí)間是從將基底電極接至電源時(shí)開(kāi)始，使其轉(zhuǎn)換為電源基底電極為腔體腐蝕操作作準(zhǔn)備，由此與轉(zhuǎn)換為接地的基底電極相比較提高了基底電極周邊部分的腐蝕速率。
通過(guò)將CVD處理中淀積的薄膜限制為SiO2薄膜，與此同時(shí)，將腔體腐蝕使用的氣體限制為碳氟化合物型的氣體，就能提升SiO2薄膜對(duì)SiC的選擇性腐蝕比率。這樣，基底電極的周邊部分就不易受損，即使當(dāng)重復(fù)進(jìn)行多次腔體腐蝕也是如此，并制止了無(wú)關(guān)物質(zhì)的出現(xiàn)。
減少設(shè)備維修的次數(shù)以及減少顆粒的發(fā)生均有助于提高成品率。
權(quán)利要求
1.一種等離子體工藝設(shè)備的腔體腐蝕方法，所述設(shè)備包括一個(gè)供在其上支托樣品晶片的基底電極，一個(gè)安置成蓋住所述基底電極環(huán)形周邊區(qū)的碳化硅絕緣體蓋子，以及一個(gè)在腔體內(nèi)面對(duì)所述基底電極的反向電極，使用在所述腔體內(nèi)的等離子體反應(yīng)氣體經(jīng)CVD工藝在所述晶片上形成一層二氧化硅層，所述二氧化硅層還作為不希望有的二氧化硅層淀積在包括所述絕緣體蓋子和所述電極的所述腔體內(nèi)的部件表面上，所述方法是用于去除所述部件表面上的所述不希望有的二氧化硅層，其特征為，它包括將所述基底電極連接到一個(gè)高頻電源并將所述反向電極接地；向所述腔體內(nèi)引入一種碳氟化合物氣體；以及由所述高頻電源向所述基底電極供給高頻電能進(jìn)行所述腔體的腐蝕，以此去除所述不希望有的二氧化硅層。
2.一種等離子體工藝設(shè)備，用于經(jīng)等離子體CVD工藝在晶片上形成一層二氧化硅層，并適用于進(jìn)行如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述設(shè)備包括有一個(gè)腔體，帶有一個(gè)供引入氣體的進(jìn)氣口和一個(gè)供排放廢氣的出氣口，所述進(jìn)氣口在所述等離子體CVD工藝中引入形成所述二氧化硅的反應(yīng)氣體，而在所述腔體腐蝕中所述進(jìn)氣口引入碳氟化合物氣體；一個(gè)基底電極，固定安置在所述腔體內(nèi)，它有一個(gè)基底電極接線端，露出所述腔體之外，在等離子體CVD工藝中，所述晶片安置并支托在所述基底電極的中央表面區(qū)上；一個(gè)碳化硅的絕緣蓋，固定安置在所述基底電極的環(huán)形周邊區(qū)上；一個(gè)反向電極，以在其間保持一預(yù)定間隔面對(duì)著所述基底電極，并有一反向電極接線端露出所述腔體之外；一個(gè)供應(yīng)高頻電能的電源；以及一個(gè)電源開(kāi)關(guān)裝置，用于使所述基底電極接線端和所述反向電極接線端中的一個(gè)與所述電源連接并使留下的電極接線端接地，借此在所述的等離子體CVD工藝中由所述電源向所述反向電極供應(yīng)高頻電能，而在所述的腔體腐蝕中由所述電源向所述基底電極供應(yīng)高頻電能。
3.一種等離子體工藝設(shè)備，用于經(jīng)等離子體CVD工藝在晶片上形成一層二氧化硅層，并適用于進(jìn)行如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述設(shè)備包括有一個(gè)腔體，帶有供引入氣體的進(jìn)氣口和一個(gè)供排放廢氣的出氣口，所述進(jìn)氣口在所述等離子體CVD工藝中引入形成所述二氧化硅的反應(yīng)氣體，而在所述腔體腐蝕中所述進(jìn)氣口引入碳氟化合物氣體；一個(gè)基底電極，固定安置在所述腔體內(nèi)，它有一個(gè)基底電極接線端，露出所述腔體之外，在等離子體CVD工藝中，所述晶片安置并支托在所述基底電極的中央表面區(qū)上；一個(gè)碳化硅的絕緣蓋，固定安置在所述基底電極的環(huán)形周邊區(qū)上；一個(gè)反向電極，以在其間保持一預(yù)定間隔面對(duì)著所述基底電極，并有一反向電極接線端露出所述腔體之外；一個(gè)供應(yīng)第一高頻電能的第一電源；一個(gè)供應(yīng)第二高頻電能的第二電源；一個(gè)第一電源開(kāi)關(guān)裝置，用于在所述等離子體CVD工藝中連接所述基底電極接線端與地線使所述基底電極接地，而在所述腔體腐蝕中連接所述第一電源與所述基底電極接線端；以及一個(gè)第二電源開(kāi)關(guān)裝置，用于在所述等離子體CVD工藝中連接所述第二電源與所述反向電極，而在所述腔體腐蝕中連接所述反向電極接線端與地線使反向電極接線端接地。
4.按照權(quán)利要求2或3所述的設(shè)備，其特征在于，其中所述的反向電極有一個(gè)由碳化硅形成的周邊區(qū)。
5.按照權(quán)利要求2或3所述的設(shè)備，其特征在于，所述的設(shè)備是帶有喇叭形的所述反向電極的電子回旋共振型設(shè)備。
6.按照權(quán)利要求2或3所述的設(shè)備，其特征在于，所述的設(shè)備是平行電極型的設(shè)備，其中所述基底電極和所述反向電極是安置成相互平行的扁平電極。
全文摘要
在基底電極和反向電極之間加上高頻電壓產(chǎn)生等離子體進(jìn)行等離子體CVD工藝，在晶片上形成一層二氧化硅薄膜之后，在等離子體工藝設(shè)備的等離子體腐蝕清潔中，基底電極有一碳化硅的絕緣體蓋子蓋住它的環(huán)形周邊區(qū)，反向電極接地，碳氟化合物氣體被引入腔體內(nèi)，并用高頻電源向基底電極供電進(jìn)行腔體腐蝕，以此去除由等離子體CVD工藝形成在腔體內(nèi)的不希望有的二氧化硅。
文檔編號(hào)H01L21/31GK1154644SQ9612053
公開(kāi)日1997年7月16日 申請(qǐng)日期1996年12月11日 優(yōu)先權(quán)日1995年12月15日
發(fā)明者宇佐美達(dá)矢 申請(qǐng)人:日本電氣株式會(huì)社