專利名稱：一種在快速eeprom單元中形成結的方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種在快速EEPROM單元中形成結的方法，尤其涉及一種在具有亞微米溝道長度的劈柵型快速EEPROM單元中形成DDD(雙擴散漏)結的方法。
下面參照附
圖1A至1C說明一種形成DDD結的方法。
圖1A至1C是用來解釋在常規(guī)快速EEPROM單元中形成結的方法的器件剖面圖。
圖1A是器件的剖面圖，其中，在硅襯底1上形成隧道氧化膜2后以層疊結構依次形成浮柵3、介質膜4、控制柵5和氧化膜6，和用源/漏雜質離子注入掩模，通過平板印刷術工藝形成第一光致抗蝕劑圖形7。然后，通過源/漏雜質離子注入工藝形成第一雜質區(qū)8A。
圖1B是器件的剖面圖，其中，在去除光致抗蝕劑圖形7后，通過退火工藝，第一雜質區(qū)8A變大。
圖1C是器件的剖面圖，其中，用源/漏雜質離子注入掩模，通過平板印刷術工藝，形成與第一光致抗蝕劑圖形7相同的第二光致抗蝕劑圖形9，此后，通過源/漏雜質離子注入工藝形成完全限制在第一雜質區(qū)8A內的第二雜質區(qū)8B。結果，形成由第一和第二雜質區(qū)8A，8B構成的DDD結構的結8。
上述方法的問題是必須用兩步連續(xù)的掩模工藝。另外，在退火工藝中還存在困難。再者，當DDD結構的結用作單元的漏時，在操作單元沒有問題，然而該結用作單元的源時，除發(fā)生穿通外，單元的閾值電壓下降。
本發(fā)明的目的是提供一種通過形成不用源/漏雜質離子注入掩模和退火工藝的改進DDD結構的結來在快速EEPROM單元中形成結的方法，該方法能減少制造工藝步驟并能在單元中保持劈柵溝道長度。
一種根據(jù)本發(fā)明實現(xiàn)上述目的的在快速EEPROM單元中形成結的方法包括以下步驟在硅襯底上形成隧道氧化膜；形成層疊柵結構，即在該膜上依次形成浮柵、介質膜、控制柵和氧化膜；在包括層疊柵結構的生成物結構上形成薄氮化物膜；通過能量大于100KeV的雜質離子傾斜注入工藝，在硅襯底中形成第一雜質區(qū)；在層疊柵結構的側壁上形成墊氧化膜；和通過能量小于100KeV的雜質離子傾斜注入工藝，形成限制在第一雜質區(qū)內的第二雜質區(qū)，及由此形成改進DDD結結構。該DDD結構形成于浮柵和控制柵層疊于其上的層疊柵結構側上，非DDD結構形成于劈柵一側上，其中劈柵的長度是根據(jù)層疊柵結構的高度和雜質離子注入的傾斜入射來決定的。
為了充分理解本發(fā)明的性質和目的，必須參考下面參照附圖所作的詳細說明。
圖1A至1C是解釋在常規(guī)快速EEPROM單元中形成結的方法的剖面圖。
圖2A至2C是解釋根據(jù)本發(fā)明在快速EEPRROM單元中形成結的方法的剖視圖。
在各附圖中相同的附圖標記代表相同的部件。
下面參照附圖詳細說明本發(fā)明。
圖2A至2C是解釋根據(jù)本發(fā)明在快速EEPRROM單元中形成結的方法的剖面圖。
圖2A是器件的剖面圖，在該器件中，在硅襯底11上形成溝道氧化膜12，在其上依次層疊浮柵13、介質膜14、控制柵15和氧化膜16而形成層疊柵結構。然后，在包括硅襯底11在內的層疊柵結構生成物上形成薄氮化物膜21。
圖2B是器件的剖面圖，在該器件中，不用源/漏雜質離子注入的掩模，將能量為100-160KeV的雜質離子傾斜注入，在硅襯底內形成第一雜質區(qū)18A。
在圖2A和2B中，氧化物膜21可以在雜質離子的傾斜注入工藝之前或之后形成。
圖2C是器件的剖面圖，在該器件中，在層疊柵結構的側壁上形成墊氧化膜22后，通過能量為40至100KeV的雜質離子傾斜注入，在硅襯底內形成限制在第一雜質區(qū)18A內的第二雜質區(qū)18B。結果，形成由第一和第二雜質區(qū)18A，18B構成的改進結18。
此后，由除去墊氧化膜22和氧化膜21的劈柵生成物制造劈柵型快速EEPROM單元。
按照本發(fā)明的如圖2C所示的改進DDD結18的結構不同于如圖1C所示的常規(guī)DDD結8的結構。為層疊柵結構所覆蓋的改進結18的那部分與DDD結構一同形成，而不為層疊柵結構所覆蓋的改進結18的另一部分與非DDD結構一同形成。因此，當將本發(fā)明的改進結18用作單元的漏時，與常規(guī)結8相比單元的特性能得到改進。當將本發(fā)明的改進結18用作劈柵的源時，由于該結的那部分不是DDD結構因此該結能防止溝道長度變短、閾值電壓減小和發(fā)生穿通。
如上所述，通過傾斜雜質離子注入工藝形成第一和第二雜質區(qū)。但第一雜質區(qū)是用高能量形成的，而第二雜質區(qū)是用低能量形成的。
因此，本發(fā)明能省去形成具有第一和第二雜質區(qū)的DDD結構的掩模工藝和擴散第一雜質區(qū)的退火工藝，還能改進劈柵的特性和減小單元尺寸。
盡管上述描述在一定程度上說明了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，但它只是對本發(fā)明原理的說明。應該明白，本發(fā)明并不限于這里所公開和描述的優(yōu)選實施例。因此，在不脫離本發(fā)明的精神和實質的情況下，所有的變型皆包含在本發(fā)明的進一步實施例中。
權利要求
1.一種在快速EEPROM單元中形成結的方法，包括以下步驟在硅襯底上形成隧道氧化膜；依次形成浮柵、介質膜、控制柵和氧化膜以形成層疊柵結構在包括所說層疊柵結構的生成物結構上形成薄氮化膜；通過雜質離子的傾斜注入工藝，在所說硅襯底內形成第一雜質區(qū)；在所說層疊柵結構的側壁上形成墊氧化膜；以及通過雜質離子的傾斜注入工藝，形成包括在所說第一雜質區(qū)內的第二雜質區(qū)，因而在所說硅襯底內形成結區(qū)。
2.根據(jù)權利要求1的方法，其特征在于；為所說層疊柵結構所覆蓋的所說結區(qū)的那部分形成在DDD結構內，而不為所說層疊柵結構所覆蓋的所說結區(qū)的另一部分與非DDD結構一同形成。
3.根據(jù)權利要求1的方法，其特征在于形成所說第一雜質區(qū)的所說雜質離子的傾斜注入其能量為100-160KeV，形成第二雜質區(qū)的所說雜質離子的傾斜注入其能量為40-100KeV。
4.一種在快速EEPROM單元中形成結的方法，包括以下步驟在硅襯底上形成隧道氧化膜；依次形成浮柵、介質膜、控制柵和氧化膜以形成層疊柵結構通過雜質離子的傾斜注入工藝，在所說硅襯底內形成第一雜質區(qū)；在包括所說層疊柵結構的生成物結構上形成薄氮化膜；在所說層疊柵結構的側壁上形成墊氧化膜；以及通過雜質離子的傾斜注入工藝，形成包含在第一雜質區(qū)內的第二雜質區(qū)，因而形成由第一和第二雜質區(qū)構成的改進結結構。
5.根據(jù)權利要求4的方法，其特征在于為所說層疊柵結構所覆蓋的所說結區(qū)的那部分形成在DDD結構內，而不為所說柵結構所覆蓋的所說結區(qū)的另一部分與非DDD結構一同形成。
6.根據(jù)權利要求4的方法，其特征在于形成所說第一雜質區(qū)的所說雜質離子的傾斜注入其能量為100-160KeV，形成第二雜質區(qū)的所說雜質離子的傾斜注入其能量為40-100KeV。
全文摘要
本發(fā)明形成一改進DDD結結構，其特征在于通過高能量的雜質離子的傾斜注入工藝，形成第一雜質區(qū)，然后，通過低能量的雜質離子的傾斜注入工藝，形成第二雜質區(qū)，由此，在層疊浮柵和控制柵的層疊柵結構上形成DDD結結構，在劈柵一側上形成非DDD結結構。
文檔編號H01L29/792GK1146628SQ9611035
公開日1997年4月2日 申請日期1996年6月1日 優(yōu)先權日1995年6月2日
發(fā)明者李熙烈 申請人:現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)株式會社