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交流滅弧電子模塊的制作方法

文檔序號(hào):6801769閱讀:286來源:國知局
專利名稱:交流滅弧電子模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種專用電子模塊器件。
電器開關(guān)觸點(diǎn)的滅弧問題一直是世界各國電器專家致力研究的重要課題。眾所周知,電器開關(guān)的電壽命遠(yuǎn)低于其機(jī)械壽命,而所謂電壽命實(shí)際上就是電器開關(guān)觸頭的壽命。由于觸頭在通斷過程中產(chǎn)生電弧,特別是在大電流和在重感性負(fù)荷的分?jǐn)噙^程中,電弧的產(chǎn)生尤為嚴(yán)重,這就是所謂的電磨損。由于電磨損比機(jī)械磨損嚴(yán)重的多,因此,利用滅弧裝置消除電弧以提高電器開關(guān)的電壽命是非常必要的。目前,常用的滅弧裝置,象磁吹法,弧罩和縱縫滅弧法以及柵片滅弧室等,雖具有一定的滅弧效果,但不能完全消除電弧,且體積大,安裝不便。近年來,由于電力電子器件的發(fā)展,出現(xiàn)了半導(dǎo)體固態(tài)繼電器,固態(tài)接觸器等無觸點(diǎn)電器開關(guān),盡管這類固態(tài)開關(guān)具有無弧通斷,壽命長等一系列優(yōu)點(diǎn),但由于存在較大的通態(tài)壓降,功率損耗大,需加散熱片,體積大、價(jià)格昂貴等。目前還只能用在少數(shù)特殊的場合,但固態(tài)開關(guān)的無弧轉(zhuǎn)換和長壽命的顯著特點(diǎn)卻受到人們的注目。由此出現(xiàn)了采用半導(dǎo)體功率器件進(jìn)行通斷轉(zhuǎn)換的電子滅弧開關(guān),象西德專利DE2835045“無弧繼電器”,美國專利681,478”采用電弧轉(zhuǎn)移方法的電路中斷器”,中國專利86107250”交流互補(bǔ)開關(guān)”,中國專利87205714“無電弧開關(guān)電器”等。這些滅弧開關(guān),把半導(dǎo)體功率器件與有觸頭電器開關(guān)相結(jié)合,充分發(fā)揮兩者的優(yōu)點(diǎn),有效的提高了電器開關(guān)的電壽命,但這類滅弧開關(guān)都需要機(jī)械輔助觸頭以觸發(fā)或接通半導(dǎo)體功率器件,實(shí)現(xiàn)開關(guān)接通時(shí),半導(dǎo)體功率器件先導(dǎo)通,開關(guān)主觸頭后接通,而開關(guān)關(guān)斷時(shí),開關(guān)主觸頭先斷開,半導(dǎo)體功率器件后關(guān)斷的動(dòng)作順序,這樣就存在如下缺陷1、必須設(shè)計(jì)專門的符合上述順序具有輔助觸頭的開關(guān)電器,從而使電器開關(guān)生產(chǎn)工藝復(fù)雜,增加了成本。
2、在長期工作中,輔助機(jī)械觸頭的通斷時(shí)間可能會(huì)改變,使動(dòng)作順序發(fā)生變化,導(dǎo)致滅弧效果失效。甚至損壞半導(dǎo)體功率器件,使電器開關(guān)的可靠性降低。
3、必須和專門設(shè)計(jì)的電器開關(guān)配套生產(chǎn)專門的滅弧開關(guān),而不能應(yīng)用在已廣泛生產(chǎn)和正在使用的一般電器開關(guān)上。
本實(shí)用新型的目的就是要提供一種獨(dú)立的交流滅弧裝置,它以專用的電子模塊形式出現(xiàn),可克服現(xiàn)有無弧開關(guān)的不足。
本實(shí)用新型的滅弧功能是這樣完成的參見附圖一、附圖二,它主要由電流傳感器CT,單相可控硅TH1,雙向可控硅TH2組成,其特征在于由上述構(gòu)成的滅弧電路被一體密封在殼體V內(nèi)。當(dāng)電器開關(guān)觸頭CJ接通瞬間,有電流流過互感器CT,其輸出信號(hào)通過電容C1濾波和R1限流觸發(fā)單向可控硅TH1,使雙向可控硅TH2導(dǎo)通,將觸頭接通瞬間的跳動(dòng)電流迅速轉(zhuǎn)移到雙向可控硅TH2,從而避免了觸頭CJ接通電弧的產(chǎn)生。觸頭CJ完全閉合后,雙向可控硅TH2兩主電極被短路(只有CJ觸頭間極低的導(dǎo)通壓降),盡管TH1的控制極仍存在觸發(fā)電流,但雙向可控硅TH2此時(shí)處于關(guān)斷狀態(tài),負(fù)載電流全部經(jīng)CJ觸頭間流過。當(dāng)CJ觸頭分?jǐn)鄷r(shí),由于C1通過R1放電使TH1維持導(dǎo)通一極短時(shí)間,雙向可控硅TH2又立即導(dǎo)通,電流又從CJ觸頭轉(zhuǎn)移到雙向可控硅,在電流自然過零后,雙向可控硅自行關(guān)斷,從而又消除了CJ觸頭分?jǐn)鄷r(shí)產(chǎn)生的電弧。這種電流型觸發(fā)方式具有自動(dòng)跟蹤電流變化,快速轉(zhuǎn)移電流的特點(diǎn)。滅弧效果非常好。由于雙向可控硅TH2僅在通斷轉(zhuǎn)換時(shí)瞬時(shí)導(dǎo)通,一般開關(guān)接通時(shí)導(dǎo)通時(shí)間不大于1~2毫秒,開關(guān)斷開時(shí)不大于10毫秒,因此雙向可控硅的通態(tài)電流只要選擇為實(shí)際通斷負(fù)載電流的1/3~1/5就可以相當(dāng)可靠的工作,也無需加散熱片。小電流單向可控硅TH1的采用,大大提高了雙向可控硅TH2的觸發(fā)靈敏度,因此,電流傳感器CT可用小型鐵氧體磁環(huán),一次側(cè),即電源相線直接從磁環(huán)中穿過,二次側(cè)也只需澆200匝左右即可通用,而不管電流大小,便于生產(chǎn),減小了體積。電容C1和電阻R1不僅有抗干擾和濾波限流作用,同時(shí)還組成了無弧轉(zhuǎn)移寬度角電路,其時(shí)間常數(shù)為交流電源周期的1/10~1/4。太小了滅弧效果差,太大了將使TH2持續(xù)到下半個(gè)周期才關(guān)斷,從而要選擇通態(tài)電流較大的雙向可控硅,增加了成本。電容C2和電阻R4組成了常用的可控硅元件的RC吸收回路,壓敏電阻Ru是防止電網(wǎng)過電壓或雷擊使雙向可控硅損壞。R3可選用200Ω耐壓300伏的金屬膜電阻,R4為50Ω的碳膜電阻。
附圖2和附圖3是本滅弧電子模塊的兩種實(shí)際封裝形式。附圖2是用于三相電源的滅弧模塊,特別適合與三相接觸器配套使用,安裝時(shí),三根相線分別穿過CT1、CT2、CT3三個(gè)磁環(huán),再把模塊接線端K1K1,K2K2,K3K3分別并接在電器開關(guān)的三個(gè)觸頭CJ1CJ2CJ3上即可。附圖3是一種用于單相電源電器開關(guān)的滅弧模塊,為了便于在印制板上安裝,殼體多引出了相線引腳L,殼體內(nèi)也就增加了從L端到K端的引線(見附

圖1電路圖中的虛線),這樣,模塊的3個(gè)引腳可直接安裝在印制板上,非常方便。
實(shí)驗(yàn)和測試表明,上述結(jié)構(gòu)形式的滅弧電子模塊,具有非常理想的滅弧效果,在幾倍于電器開關(guān)額定電流的情況下,能完全消除觸頭間的電弧,可使電器開關(guān)的電壽命提高10至100倍,即提高了1至2個(gè)數(shù)量級(jí),使電器開關(guān)的電壽命與機(jī)械壽命一致,并使開關(guān)觸頭容量增大3至5倍以上,而在相同的性能指標(biāo)下,則可大大降低電器開關(guān)的材料消耗,尤其是觸頭的貴金屬消耗,同時(shí)可簡化電器開關(guān)的結(jié)構(gòu)。特別是本滅弧電子模塊的獨(dú)特形式,不需任何輔助裝置,工作穩(wěn)定可靠,生產(chǎn)工藝簡單,價(jià)格低廉,安裝方便,可獨(dú)立的和任何電器開關(guān)配套組裝或配套使用,構(gòu)成諸如無弧繼電器、無弧接觸器等新型的混合式電器開關(guān),廣泛推廣應(yīng)用,將產(chǎn)生顯著的社會(huì)和經(jīng)濟(jì)效益。
權(quán)利要求1.一種交流滅弧電子模塊,它主要由電流傳感器CT,單向可控硅TH1,雙向可控硅TH2組成,其特征在于由上述構(gòu)成的滅弧電路被一體密封在殼體V內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子模塊,其特征在于雙向可控硅TH2的兩主電極被引出殼體V外作為并接電器開關(guān)觸頭CJ的接線端KK。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子模塊,其特征在于電流互感器CT為鐵氧體磁環(huán),其一次線圈,即電源相線直接從磁環(huán)中穿過。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子模塊,其特征在于C1和R1組成了無弧轉(zhuǎn)移寬度角電路,其時(shí)間常數(shù)為交流電源周期的1/10~1/4。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種交流滅弧電子模塊,它主要由電流傳感器,單向和雙向可控硅組成,并被一體密封在一殼體內(nèi)。該模塊能自動(dòng)跟蹤和轉(zhuǎn)移電器開關(guān)通斷時(shí)的電流,從而消除了電器開關(guān)觸頭間產(chǎn)生的電弧,使其電壽命提高1至2個(gè)數(shù)量級(jí),并增大開關(guān)容量3倍以上。由于該模塊自成一體,可獨(dú)立的和任何電器開關(guān)配套使用,組成諸如無弧繼電器、無弧接觸器等新型混合式電器開關(guān),工作可靠,價(jià)格低廉,安裝簡便,具有重大推廣應(yīng)用價(jià)值。
文檔編號(hào)H01H9/30GK2085092SQ91212279
公開日1991年9月18日 申請日期1991年3月1日 優(yōu)先權(quán)日1991年3月1日
發(fā)明者趙為政 申請人:趙為政
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