專利名稱:具有用于高電流、高頻和熱量耗散的穿透硅通孔的半導體器件的制作方法
技術領域：
本實用新型一般涉及半導體器件和工藝，更具體地說，涉及使用具有金屬填充通孔的芯片的這類器件和工藝，所述通孔適合于高電流和高頻，以及熱能量的有效的耗散。
背景技術：
半導體技術的長期趨勢是將其產(chǎn)品的功能復雜度翻倍，尤其是每18個月將集成電路(IC)的功能復雜度翻倍，這具有若干隱含的結(jié)果。第一，較高的產(chǎn)品復雜度應該主要地通過減小芯片元件的特征尺寸而同時保持封裝尺寸不變來實現(xiàn)；優(yōu)選的是，甚至封裝應該減小。第二，功能復雜度的增加應該伴隨著產(chǎn)品可靠性的相應的增加。第三，每一功能單元的成本應該隨著每一代復雜度降低，使得具有翻倍功能的產(chǎn)品的成本僅稍微增加。
對于由半導體芯片構(gòu)造的這些趨勢帶來的挑戰(zhàn)，已知的技術對IC和引線框架設計產(chǎn)生了許多限制和問題。圍繞芯片周邊放置高頻以及電源和接地的輸入/輸出端部將對以下方面造成當前的困難不用冗長的電源線互連有源電路元件；減小沿著電源分布線的電壓降；在屏蔽線中分布高頻線；以及將偶然的靜電過荷釋放到地電位。使用引線鍵合作為唯一的互連技術并且圍繞芯片周邊放置大量的鍵合焊盤將限制以下方面的可能性減小電壓降；減小電氣電阻和電感；減小鍵合焊盤間距；以及節(jié)省寶貴的硅面積。預制造數(shù)量不斷增長的引線的常規(guī)引線框架對于以下方面引起當前的困難減小內(nèi)部引線的寬度；減小內(nèi)部引線的間距；以及在最小化的內(nèi)部引線上放置針腳部(stitch bond)。
對于半導體封裝的挑戰(zhàn)，已知的技術對以下選擇產(chǎn)生了限制減小封裝輪廓，使得當其被安裝在電路板上時，封裝消耗較少的面積和較小的高度；以最小的成本(材料和制造成本兩者)達到這些目標；提供大量的輸入/輸出端部；改進熱量耗散，尤其是利用短的熱通路以減小IC工作期間發(fā)熱區(qū)(hot spot)的提高的溫度；以及設計封裝，使得芯片和/ 或封裝的堆疊成為增加功能密度和減小器件厚度的選擇。

實用新型內(nèi)容

申請人:引入包括半導體器件制造以及操作的設計、工藝、冶金、可靠性和熱性能的研究以識別對上面所列困難的解決方案。得到的新的方法實現(xiàn)了在較高的芯片輸入/輸出數(shù)量下的封裝小型化、極大提高的電氣和熱的器件性能以及減小的制造成本。本實用新型的特征是具有穿過硅芯片的金屬填充通孔，其將電源、接地和屏蔽信號從單個封裝焊盤直接提供到有源IC位置；通孔使用金屬釘頭(stud)來連接到焊盤，得到與焊盤排列在其中的平面平行的芯片組件。還包括金屬填充通孔，其將熱能量從IC發(fā)熱區(qū)耗散到由金屬釘頭互連的單個封裝焊盤。此外，引線鍵合將常規(guī)信號連接到IC晶體管。封裝是無引線的，并且除了聚合密封劑以外，可以包括絕緣的聚合前體。
本實用新型的一個實施例是具有半導體芯片的集成電路器件，所述半導體芯片具有在芯片區(qū)域上二維排列的通孔。金屬填充通孔的核心適合于電源和地以及熱量耗散，或適合于高頻信號；在頂部，所述核心連接到晶體管，并且在底部，連接到金屬釘頭。該器件還具有由縫隙隔開的實質(zhì)上相同的金屬焊盤的二維平面陣列。該陣列具有兩組焊盤第一焊盤組位于該陣列中心并且在該芯片下面；該焊盤位置匹配所述通孔并且每一焊盤與各自的通孔的釘頭接觸。第二焊盤組位于該陣列周邊并且圍繞所述芯片；這些焊盤具有到各自晶體管端部的鍵合引線。封裝化合物覆蓋所述芯片和所述引線連接，并且填充所述焊盤之間的縫隙。
本實用新型的另一實施例是用于制造集成電路器件的方法，包括以下步驟在半導體芯片中，在芯片區(qū)域上形成通孔的二維陣列，使得每一通孔從頂部芯片表面延伸到底部芯片表面，并且具有絕緣涂層和金屬填充的核心，該核心適合于電源和地，以及熱量耗散，或替換地，適合于高頻信號傳輸。在芯片金屬化層上，或在所述頂部芯片表面，生成從通孔到晶體管的連接，并且在所述底部芯片表面，為每一通孔形成金屬釘頭；該釘頭具有實質(zhì)上相等的高度。
為了制造金屬焊盤的二維平面陣列，提供具有厚度的金屬板，并且在一個板表面形成一組網(wǎng)格狀的凹槽。該凹槽在到達相對的板表面之前的深度處終止，得到附著在實心金屬板上的金屬焊盤的二維陣列。該陣列包括在陣列中心并且在匹配所述通孔的位置處的第一組焊盤和在陣列周邊處的第二組焊盤。通孔釘頭附著到所述中心焊盤組；芯片晶體管被用引線連接到所述周邊焊盤組。使用封裝化合物覆蓋所述芯片和所述引線連接，并且填充所述焊盤之間的凹槽。最后，去除金屬板的底部表面，從而暴露化合物填充的凹槽并且形成金屬焊盤的底部表面。


下面參照附圖描述了本實用新型的示例實施例，其中
圖IA以透視圖示意性地示出了本實用新型的實施例；將已封裝的半導體器件部分地打開，以顯示具有金屬填充通孔和再分布跡線(trace)的芯片，所述芯片由金屬釘頭和引線組裝在金屬焊盤的二維陣列上，所述金屬焊盤的二維陣列由縫隙隔開，所述焊盤由絕緣載體支撐。
圖IB以透視圖示意性地示出了本實用新型的實施例；將已封裝的半導體器件部分地打開，以顯示具有金屬填充通孔和再分布跡線的芯片，所述芯片由金屬釘頭和引線組裝在金屬焊盤的二維陣列上，所述金屬焊盤的二維陣列由縫隙隔開。
圖2示出了本實用新型的另一實施例的示意性剖面圖，其中通過與圖1中不同的另一技術來制造金屬焊盤陣列。
圖3是半導體芯片的一部分的示意性透視圖，其示出了通孔陣列和再分布跡線的細節(jié)。
圖4是穿過半導體芯片的金屬填充通孔和所附的金屬釘頭的示意性剖面圖。
圖5A是另一實施例的示意性剖面圖，其示出了具有金屬填充通孔的芯片的堆疊， 所述芯片由金屬釘頭和引線組裝在金屬焊盤上。
圖5B是類似于圖5A的、具有從通孔到金屬釘頭的再分布跡線的實施例。
圖6A是另一實施例的示意性剖面圖，其示出了具有金屬填充通孔的芯片，所述芯片由金屬釘頭組裝在金屬焊盤上。[0018]圖6B是類似于圖6A的、具有從通孔到金屬釘頭的再分布跡線的實施例。
具體實施方式
在圖IA和IB中以剖開的透視圖并且在圖2中以剖面圖所示的本實用新型的實施例是已封裝的集成電路器件，在圖IA和IB中通常命名為100。該器件包括封裝在保護化合物110中的半導體芯片101和接觸焊盤120的二維區(qū)域陣列，其中一個焊盤表面120b沒有化合物。半導體芯片101具有區(qū)域(area)、包括晶體管或其他電路元件102的頂部表面 IOla和沒有晶體管的底部表面101b。
在整個芯片區(qū)域中是二維排列的通孔103。在圖3中也描繪了該二維布置。通孔陣列可以是隨機的，但是優(yōu)選的，通孔布置是實質(zhì)上均勻的，使得通孔具有中心間距，其在 X方向上命名為131，在y方向上命名為132。在許多實施例中，該間距是恒定的，并且在某些實施例中，間距131與間距132相同，而在其他實施例(如圖3中所示)中，間距是互相不同的。請注意，通孔間距131優(yōu)選的是與接觸焊盤120的間距121相同，并且通孔間距132 與焊盤間距122相同，但是在某些實施例中，它們不是相同的。
在芯片區(qū)域上的二維陣列的每一通孔103從頂部芯片表面IOla延伸到底部芯片表面101b。因此，通孔常常被稱為穿透半導體通孔(TSV)。如圖4中的放大的剖面圖所示， 每一通孔103具有由絕緣層(涂層)401覆蓋的壁。用金屬402填充通孔的核心，優(yōu)選的是銅，或其他合適的導電材料。通孔的直徑410被選擇為使得核心具有承載電源和接地的低的電氣電阻和電感，并且也具有耗散來自電路發(fā)熱區(qū)的熱量的低的熱電阻。通孔直徑410 具有優(yōu)選的是圓形剖面的開口或由半導體的晶向給定的幾何剖面的開口。對于柱形通孔， 直徑410在通孔長度上是恒定的。優(yōu)選的直徑是在大約3微米和50微米之間。由于通孔核心中的金屬的量確定了相對于半導體材料的熱膨脹系數(shù)(CTE)的差的大小，因此具有小的直徑的通孔是優(yōu)選的。對于硅，在直徑小于大約30微米的通孔中，其CTE比起金屬CTE 占主導地位。
沿著其延伸并且尤其是在頂部芯片表面IOla (實際上是保護覆蓋層IOlc的表面) 上的任何地方，通孔103具有到一個或多個特定晶體管或其他電路元件102的一個或多個連接或布線跡線141 (優(yōu)選的是銅)。跡線141可以是直接連接，如圖3中所示，或它們可以是通過使用其他芯片金屬化層的線路的連接。在底部芯片表面IOlb上，通孔103可以具有與金屬釘頭420 —起的金屬端部442 (優(yōu)選的是具有可鍵合表面的銅)。通過引線球鍵合技術(參見下面)將釘頭優(yōu)選的制造為精壓金球(替換地制造為精壓銅球)。替換地，可以使用微凸點技術或電鍍工藝，尤其是對于批處理。該方法產(chǎn)生實質(zhì)上相等高度420a的釘頭 420，使得使用釘頭420將芯片101附著到焊盤120時可以在芯片和焊盤120的平面陣列之間提供一致的間隔。
對于某些實施例，在芯片的底部表面IOlb上使用額外的再分布線(優(yōu)選的是由銅制成)是有利的，如圖2中線143示意性指示的。這些再分布線可以用在某些實施例中，例如堆疊芯片并且僅倒裝焊的器件，以將通孔限制在芯片周邊區(qū)域。
替換地，可以將至少某些通孔103形成為適合傳輸高頻信號的電屏蔽通孔。此外， 某些通孔103可以被設計為具有到電路輸入/輸出的短跡線141，以有效地將過應力情況中的任何靜電過荷釋放到地電位。[0025]可以將額外的金屬填充通孔放在電路區(qū)的近距離處，在所述電路區(qū)，根據(jù)模型或經(jīng)驗，高頻和密集的電路集成將在電路工作期間引起極大的溫度增加。這些額外的通孔為從電路到外部散熱器的熱量耗散提供了直接的捷徑通路，從而保持器件可靠地工作在安全的溫度區(qū)域。
參照圖1A、1B和2，器件100包括由縫隙隔開的金屬焊盤120的二維平面陣列。在圖IA中，由載體160支撐焊盤，該載體可以由絕緣材料或?qū)訅狠d體制成。載體160以虛線示出，因為在器件組裝處理期間使用它(參見下面)并且隨后去除它。在圖IB中，不用支撐而制備焊盤(參見下面)。圖IA和IB中的縫隙(命名為12 具有直的焊盤側(cè)壁；圖2 中的縫隙(命名為22 具有成形為鄰接在斜截部分的斜截凹槽的焊盤側(cè)壁?？p隙形狀的差別是制造焊盤所使用的方法的結(jié)果；參見下面。焊盤優(yōu)選的是實質(zhì)上相同的，并且具有中心間距，其在χ方向上命名為121，在y方向上命名為122。在許多實施例(如圖IA和IB 中所示的)中，間距121與間距122相同，而在其他實施例中，間距互相不同。優(yōu)選的，焊盤 χ-和y_間距與對應的通孔χ-和y_間距相同，但是在某些實施例中，它們是不同的(例如， 將圖IA和IB與圖3進行比較)。
焊盤120具有面朝向芯片101的第一表面120a和面背離芯片101的第二表面 120b。如圖1A、1B和2所示，焊盤120的平面陣列由兩組構(gòu)成第一焊盤組(命名為124) 位于陣列中心并且在芯片下面。組124的焊盤位置與對應的通孔103匹配，并且優(yōu)選的是這個組的每一焊盤與各自的通孔的金屬釘頭420接觸。以這種方式，從第二焊盤表面120b 經(jīng)過釘頭420、通孔103和連接141到晶體管的電氣通路對于電源和地電位具有最小的電氣電阻和電感，并且對于熱量耗散具有最小的熱電阻。此外，通路為其本身提供靜電過荷到地電位的有效釋放。在另一方面，當通孔103被電屏蔽時，從第二焊盤表面120b經(jīng)過釘頭 420、通孔103和連接141的通路為其本身提供高頻信號的傳輸。
第二焊盤組(命名為125)位于陣列周邊并且圍繞芯片。優(yōu)選的是這個組的每一焊盤具有到在芯片表面IOla上的集成電路的各自的晶體管端部的至少一個鍵合引線150。
焊盤120優(yōu)選的是由銅制成。第一表面120a優(yōu)選的是適合于附著金屬釘頭(例如金或銅)和引線針腳部(例如金或銅)。第二表面120b適合于焊接球126的附著(例如通過具有薄的金層表面)。在圖IA中，第二表面120b由載體160暫時支撐。
如圖1A、1B和2所示，封裝化合物110覆蓋芯片101、引線連接150和第一焊盤表面120a。優(yōu)選的，化合物110是基于環(huán)氧的模塑材料。第二焊盤表面120b保持沒有化合物 110。當焊盤120被配置為圖IA和IB中所示的時，焊盤之間的縫隙123優(yōu)選的是用化合物 110填充。在此情況下，縫隙123中的化合物表面與焊盤的第二表面120b共面。另一方面， 當焊盤120被配置為圖2中所示的時，縫隙123優(yōu)選的是用化合物110僅部分地填充(參見下面制造工藝)。
底部芯片表面IOlb和第一組焊盤124的第一焊盤表面120a之間的間隔210可以用封裝化合物填充，如圖2的實施例所示。替換地，可以使用聚合前體來填充底部芯片表面 IOlb和第一組焊盤124的第一焊盤表面120a之間的間隔。
圖5A、5B、6A和6B示出了其他實施例，其突出了通過結(jié)合二維平面陣列的金屬焊盤使用TSV而得到的優(yōu)勢。圖5A示出了器件500，其具有互相堆疊的、不同尺寸(面積)的兩個芯片501和510。芯片501具有通孔503，芯片510具有通孔513。通孔503位于以下位置，該位置使得它們能夠與通孔513中的一些對齊；對齊的通孔通過金屬釘頭(在圖5A 中未示出)互連。通孔513繼而通過芯片510的底部表面上的金屬釘頭521連接到位于芯片510下面并且面對芯片510的金屬焊盤520。此外，鍵合引線550將金屬焊盤522連接到位于芯片510的頂部表面上的晶體管。由封裝化合物570保護堆疊的芯片、鍵合引線以及焊盤520和522的頂部表面。由于自動鍵合器可以保持引線550的環(huán)高度為低，因此封裝化合物可以是薄的并且器件500的整個厚度560可以小到大約0. 3到0. 4毫米。
圖5B示出了具有類似于器件500的堆疊芯片的器件580。芯片502的通孔504 與芯片511的通孔514對齊。然而，為了連接到金屬釘頭531，通孔514需要再分布金屬線 590。釘頭531與焊盤的平面陣列的金屬焊盤523接觸。器件580具有范圍從大約0. 3到 0.4毫米的厚度。
在專門通過金屬釘頭連接器組裝而不求助于引線鍵合的實施例中可以實現(xiàn)更小的厚度。圖6A描繪了具有芯片601的芯片大小的器件600，該芯片601具有在芯片表面 601a上的晶體管和金屬釘頭621之間的多個金屬填充通孔603 ；通孔603與釘頭621對齊。 這些釘頭(優(yōu)選的是由金或銅制成)被熔合在金屬焊盤622的二維平面陣列上。通孔603 被設計為在電氣上用作電源和地的供應，并且用作信號的輸入/輸出，以及在熱方面用作熱量耗散通道。封裝化合物670保護芯片表面601a上的電路。整個器件厚度660可以保持在從大約0. 2到0. 3毫米的范圍。圖6B中類似的器件在通孔603和釘頭621之間具有再分布線690，因為通孔沒有與釘頭對齊。圖6B中的器件的整個厚度在0. 2和0. 3毫米之間。
本實用新型的另一實施例是用于制造具有穿透硅通孔(TSV)的集成電路器件的方法，該TSV用于高電流、高頻和最大化的熱量耗散。提供了半導體晶圓，其包括多個芯片， 所述多個芯片具有區(qū)域、帶有晶體管和其他電路元件的頂部表面和沒有晶體管的底部表面。在減薄之后，遍及每一芯片區(qū)域形成通孔的二維陣列；該陣列可以是隨機的，但是優(yōu)選的是均勻的；可以通過化學刻蝕、激光或等離子體來產(chǎn)生通孔。在優(yōu)選的實施例中，通孔陣列具有恒定的中心距。該陣列的每一通孔從頂部芯片表面延伸到底部芯片表面，并且具有絕緣涂層和金屬填充的核心，優(yōu)選的是由銅(替換的是銀、合金或另一合適的導電材料)制成。通孔的直徑被選擇為使得通孔金屬的電導率和熱導率適合于高電源和地電位，并且也適合于有效的熱量耗散。
貫穿通孔的長度并且尤其是在每一芯片的頂部表面上，金屬跡線被圖形化為從通孔到晶體管和其他電路元件的連接。在每一芯片的底部表面，為每一通孔形成金屬釘頭。優(yōu)選的是，釘頭是由金或銅制成的，并且優(yōu)選的附著方法是結(jié)合精壓步驟的修改的引線球鍵合技術，所述精壓步驟對于所有釘頭實現(xiàn)實質(zhì)上相等的高度。替換地，可以使用電鍍技術。 在某些實施例中，將釘頭放在通孔附近而不是直接放在通孔出口上可以是有利的。在此情況下，將再分布跡線圖形化以將釘頭連接到通孔。
當使用以金屬層碾壓的載體時，優(yōu)選的是通過在載體表面上的金屬層上使用掩膜來進行刻蝕步驟，以此來制造金屬焊盤的二維平面陣列(在器件制造流程的最后，去除并且丟棄載體)。當不用層壓的載體制備金屬焊盤的二維平面陣列時，制造工藝提供平的金屬板(sheet)，其優(yōu)選的是由銅制成并且具有1毫米或更小的厚度；板具有第一表面和第二表[0038]接下來，在板的第一表面中形成一組網(wǎng)格狀的凹槽。該凹槽在到達第二表面之前的深度處終止，使得形成金屬凸出物或焊盤的二維陣列，其附著在實心類金屬板連接上。雖然旋轉(zhuǎn)鋸片可以用來生成凹槽，但是優(yōu)選的技術使用掩膜和化學或等離子體刻蝕。在優(yōu)選的實施例中，焊盤具有與上述芯片通孔間距相同的中心距。此外，在最優(yōu)選的實施例中，槽的網(wǎng)格是正交的。
焊盤陣列被分組成子陣列。每一子陣列包括位于子陣列中心并且匹配芯片通孔的第一組焊盤和位于子陣列周邊的第二組焊盤。
晶圓和在類板連接上的焊盤陣列被對齊，使得每一芯片面對各自的子陣列。接著使通孔釘頭與各自的中心焊盤組接觸，并且將釘頭附著到第一焊盤表面。附著的優(yōu)選方法是熱超聲鍵合；替換地，可以使用加熱并且加壓循環(huán)。
在下一工藝步驟中，每一芯片的晶體管通過引線球鍵合連接到各自的周邊焊盤組的第一表面。接著，用封裝化合物保護晶圓、引線連接和第一焊盤表面。優(yōu)選的方法使用遞模成型技術。在這個封裝步驟中，用化合物填充凹槽，并且優(yōu)選的，也用化合物填充底部芯片表面和第一組焊盤的第一焊盤表面之間的間隔。實心類板連接(焊盤被附在其上)保持沒有化合物。
在封裝化合物沒有填充底部芯片表面和第一焊盤表面之間的間隔的實施例中，額外的底部填充步驟是明智的。在這個步驟中，使用聚合前體來通過毛細管作用填充底部芯片表面和第一組焊盤的第一焊盤表面之間的間距，并且圍繞金屬釘頭。
在下一個工藝步驟中，去除焊盤附著到的金屬板的底部表面和連接，從而生成金屬焊盤的新的第二表面。用于去除的優(yōu)選的方法是刻蝕(化學或等離子體)；替換地，可以是使用機械切除或打磨方法?？蛇x的，可以用可焊接層(鎳、金)覆蓋新的第二表面(優(yōu)選的是銅)。
在如上面所描述的一系列工藝步驟之后，第二焊盤表面與焊盤之間的凹槽中的化合物表面共面(參見圖1B)。在替換的工藝流程中，由鋸割步驟代替去除金屬板的底部表面的步驟。垂直地應用到金屬板的底部表面的旋轉(zhuǎn)鋸在板中切出額外的凹槽，使得額外的凹槽與早期在焊盤網(wǎng)格的制造中生成的凹槽對齊。當金屬連接完全被切斷并且鋸碰到化合物時，鋸的滲透停止。在鋸割處理之后，化合物被暴露并且相對于第二焊盤表面是凹進的(參見圖2)。
為了增強到外部部分的接觸和連接，可以將焊接球附著到第二焊盤表面(參見圖 2)。
最后，優(yōu)選的是通過鋸割技術將封裝過并且已附著的晶圓分割成分離的器件。
本實用新型涉及的本領域技術人員應理解，在所主張的實用新型的范圍內(nèi)，所描述的實施例的許多變化以及其他實施例是可能的。
8
權利要求
1.一種集成電路器件，包括半導體芯片，其具有區(qū)域、包括晶體管的頂部表面和沒有晶體管的底部表面；遍及所述芯片區(qū)域?qū)嵸|(zhì)上一致并且二維排列的通孔每一通孔從所述頂部芯片表面延伸到所述底部芯片表面，所述通孔具有絕緣涂層、適合于電源和接地以及熱量耗散的金屬填充的核心，在所述頂部表面具有到所述晶體管的連接，并且在底部表面具有金屬釘頭；由縫隙隔開的金屬焊盤的二維平面陣列，所述焊盤具有面朝向所述芯片的第一表面和面背離所述芯片的第二表面，所述陣列具有兩組焊盤位于所述陣列的中心并且在所述芯片下面的第一焊盤組，所述焊盤的位置匹配所述通孔，并且每一焊盤與各自的通孔的釘頭接觸；位于所述陣列的周邊并且在所述芯片周圍的第二焊盤組，每一焊盤具有到各自晶體管端部的鍵合引線；以及覆蓋所述芯片、所述引線連接和所述第一焊盤表面的封裝化合物，這里所述第二焊盤表面保持沒有化合物。
2.根據(jù)權利要求
1所述的器件，還具有填充所述焊盤之間的縫隙的封裝化合物。
3.根據(jù)權利要求
1所述的器件，其中所述通孔以恒定的中心間距排列，并且所述金屬焊盤以相同的間距排列。
4.根據(jù)權利要求
1所述的器件，還具有適合于高頻信號傳輸?shù)钠帘蔚耐住?br>5.根據(jù)權利要求
1所述的器件，其中在所述底部表面上的通孔釘頭具有實質(zhì)上相等的高度，并且所述芯片和所述焊盤的平面陣列之間的間隔是一致的。
6.根據(jù)權利要求
1所述的器件，還包括具有所述第二表面的焊盤，所述第二表面沒有封裝化合物，適合于焊接附著。
專利摘要
一種具有半導體芯片(101)的集成電路器件(100)，所述芯片具有在芯片區(qū)域上二維排列的通孔(103)。金屬填充通孔的核心適合于電源和接地以及熱量耗散，或適合于高頻信號；在頂部，核心連接到晶體管，并且在底部，連接到金屬釘頭。所述器件還具有由縫隙(223)隔開的實質(zhì)上相同的金屬焊盤(120)的二維平面陣列。該陣列具有兩組焊盤第一焊盤組(124)位于陣列中心并且在芯片下面；焊盤位置匹配通孔，并且每一焊盤與各自的通孔的釘頭接觸。第二焊盤組(125)位于陣列周邊并且圍繞芯片；這些焊盤具有到各自晶體管端部的鍵合引線(150)。封裝化合物(110)覆蓋芯片和引線連接，以及填充焊盤之間的縫隙。
文檔編號H01L23/34GKCN202042472SQ200890100331
公開日2011年11月16日 申請日期2008年11月5日
發(fā)明者G·A·弗朗茲, M·格伯 申請人:德克薩斯儀器股份有限公司導出引文BiBTeX, EndNote, RefMan