本技術(shù)涉及半導(dǎo)體封裝，特別涉及一種自供電同步整流芯片。

背景技術(shù)：

1、半導(dǎo)體封裝是指安裝半導(dǎo)體集成電路芯片用的外殼。利用一系列技術(shù)，將芯片在框架上布局粘貼固定及連接，引出接線端子并通過可塑性絕緣介質(zhì)灌封固定，構(gòu)成整體立體結(jié)構(gòu)的工藝。

2、對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中的同步整流芯片，大部分是采用sop8封裝，或者分離式(即控制器和nmos分離式)，它采用分體式封裝結(jié)構(gòu)，這類同步整流芯片，外面還需要加電容，且由于采用分體式封裝結(jié)構(gòu)不能夠直接替代sm277,sm10封裝的肖特基，客戶需要更改pcb，這樣會(huì)浪費(fèi)太多的人力，物力和時(shí)間。

3、有鑒于此，本技術(shù)方案提出一種自供電同步整流芯片，采用無外圍同步整流芯片封裝方式，為tssop-8工藝，將芯片直接放在基島內(nèi)，將控制器和mos用導(dǎo)線連接好，電容放置在3腳和4腳之間，無需單獨(dú)供電，不僅簡(jiǎn)化了封裝工藝，且芯片整體可進(jìn)一步減薄，進(jìn)而提升散熱性能，在提升效率的同時(shí)，進(jìn)一步延長(zhǎng)了使用壽命。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本實(shí)用新型技術(shù)方案旨在至少在一定程度上解決相關(guān)技術(shù)中的技術(shù)問題之一。為此，本實(shí)用新型的主要目的在于提供一種自供電同步整流芯片，旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中的tssop-8封裝工藝復(fù)雜，厚度較厚、散熱性能差，及使用壽命較短的問題。

2、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供一種自供電同步整流芯片，包括基島，及設(shè)置于所述基島內(nèi)的功率管及同步整流控制器，

3、所述基島一側(cè)設(shè)有4引腳，另一側(cè)設(shè)有3引腳，且位于所述3引腳一端設(shè)有電容，所述電容通過nmos管與鄰近的引腳連接，

4、所述同步整流控制器分別與所述功率管、電容，及位于所述電容一側(cè)鄰近的引腳連接，所述功率管還分別與3引腳連接，所述同步整流控制器還與所述基島一側(cè)引出的4個(gè)輸出引腳連通。

5、作為本實(shí)用新型再進(jìn)一步的方案，所述電容為自供電電容，該自供電電容通過所述同步整流控制器從4引腳取電。

6、作為本實(shí)用新型再進(jìn)一步的方案，所述nmos管為20v-200v的nmos。

7、作為本實(shí)用新型再進(jìn)一步的方案，所述基島一側(cè)的3引腳均設(shè)有5個(gè)焊點(diǎn)，且中部所述引腳的第二焊點(diǎn)打線位置靠右側(cè)。

8、作為本實(shí)用新型再進(jìn)一步的方案，所述電容為無極性電容。

9、本實(shí)用新型的有益效果如下：

10、本實(shí)用新型提出的自供電同步整流芯片，通過采用新的“無外圍同步整流芯片”封裝方式，實(shí)現(xiàn)將同步整流芯片與功率管集成封裝于一個(gè)基島內(nèi)，且采用8引腳(即tssop-8)封裝工藝，替代了二極管方案，提高效率，提高能效。且不需要更改pcb板，節(jié)省人力，物力，和時(shí)間，產(chǎn)品容易大量生產(chǎn)，降低成本

技術(shù)特征：

1.一種自供電同步整流芯片，其特征在于，該芯片包括

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自供電同步整流芯片，其特征在于，所述電容為自供電電容，該自供電電容通過所述同步整流控制器從4引腳取電。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自供電同步整流芯片，其特征在于，所述nmos管為20v-200v的nmos。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自供電同步整流芯片，其特征在于，所述基島一側(cè)的3引腳均設(shè)有5個(gè)焊點(diǎn)，且中部所述引腳的第二焊點(diǎn)打線位置靠右側(cè)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自供電同步整流芯片，其特征在于，所述電容為無極性電容。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)公開了一種自供電同步整流芯片，包括將功率管及同步整流控制器通過粘結(jié)劑固定于同一基島上，將同步整流控制器通過導(dǎo)線分別與功率管，及于基島一側(cè)引出的4個(gè)輸出引腳連通；于基島的另一側(cè)設(shè)置的3個(gè)引腳一端設(shè)置一電容，電容一端通過NMOS管與鄰近的引腳連通，且在連接后保持電容另一端呈懸空狀；將同步整流控制器的其他連接位分別與電容，及位于電容相鄰的引腳連接，并將功率管分別與基島一側(cè)的3個(gè)引腳連接。本技術(shù)解決了現(xiàn)有技術(shù)中的TSSOP?7封裝不要更改PCB就可以完全替代SM277,SM10封裝的肖特基二極管，提高效率，節(jié)約能源，滿足能效要求，解決肖特基低效，能耗大，散熱性能差的問題。

技術(shù)研發(fā)人員：王文正
受保護(hù)的技術(shù)使用者：深圳市中芯微電子有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240403
技術(shù)公布日：2025/1/6