本發(fā)明屬于微波。

背景技術(shù)：

1、固態(tài)發(fā)射機具有大占空比、高可靠性、長工作壽命、易維護性等優(yōu)點，在現(xiàn)代雷達和通信系統(tǒng)中得以廣泛應(yīng)用。高功率合成器是實現(xiàn)固態(tài)發(fā)射機的關(guān)鍵部件。波導(dǎo)魔t合成器雖然體積和重量較大，但在插入損耗、功率耐受能力和技術(shù)成熟度等方面具有明顯優(yōu)勢，且能實現(xiàn)合成支路間的隔離，是實現(xiàn)固態(tài)高功率合成的重要方法。

2、c波段及以下頻段波導(dǎo)尺寸較大，如國標(biāo)bj70的波導(dǎo)尺寸為34.85mm*15.80mm，目前常用的單層平面布局的波導(dǎo)魔t合成器會導(dǎo)致合成器寬度方向尺寸超出所有參與合成的功放組件的寬度總和，增加額外的發(fā)射機柜寬度，降低機柜的集成度，影響固態(tài)發(fā)射機的應(yīng)用范圍。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、為解決現(xiàn)有技術(shù)中寬度方向尺寸偏大的問題，本發(fā)明提出了一種錯層布局的窄型波導(dǎo)魔t合成器。

2、實現(xiàn)本發(fā)明的技術(shù)解決方案為：

3、錯層布局的窄型波導(dǎo)魔t合成器包括一只2n路波導(dǎo)魔t合成器及n-1只波導(dǎo)合成器負載、n只波導(dǎo)隔離器及n只波導(dǎo)隔離器負載；所述波導(dǎo)隔離器與波導(dǎo)魔t合成器的輸入連接；所述波導(dǎo)魔t合成器的奇數(shù)路輸入、偶數(shù)路輸入和所述波導(dǎo)合成器負載、所述波導(dǎo)隔離器負載分別錯層布局；所述的波導(dǎo)魔t合成器的最后一級波導(dǎo)魔t與錯層布局平面呈90°垂直布局，通過最后一級的兩個合成臂的路徑差來補償波導(dǎo)魔t合成器奇數(shù)路輸入和偶數(shù)路輸入兩層布局的高度差引起的相位差，實現(xiàn)同相合成。

4、進一步的，所述的波導(dǎo)魔t合成器的奇數(shù)路輸入及其連接的波導(dǎo)隔離器進行兩兩合成，并在同一層布局，作為錯層布局中的第二層(或第三層)；奇數(shù)路的隔離器負載和合成器負載通過彎波導(dǎo)向上(或向下)在同一平面采用交指型進行布局，作為錯層布局中的第一層(或第四層)。

5、進一步的，所述的波導(dǎo)魔t合成器的偶數(shù)路輸入及其連接的波導(dǎo)隔離器進行兩兩合成，并在同一層布局，作為錯層布局中的第三層(或第二層)；偶數(shù)路的隔離器負載和合成器負載通過彎波導(dǎo)向下(或向上)在同一平面采用交指型進行布局，作為錯層布局中的第四層(或第一層)。

6、本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)方法相比，其有益效果是：

7、采用錯層布局的窄型波導(dǎo)魔t合成器，其寬度方向的尺寸減小為單層平面布局寬度的一半，尤其適用于寬度方向受限而高度方向有余的應(yīng)用場合，提高了機柜的集成度，拓寬了固態(tài)發(fā)射機的應(yīng)用范圍。

技術(shù)特征：

1.一種錯層布局的窄型波導(dǎo)魔t合成器，其特征在于：包括一只2n路波導(dǎo)魔t合成器及n-1只波導(dǎo)合成器負載、n只波導(dǎo)隔離器及n只波導(dǎo)隔離器負載；所述波導(dǎo)隔離器與波導(dǎo)魔t合成器的輸入連接；所述波導(dǎo)魔t合成器的奇數(shù)路輸入、偶數(shù)路輸入和所述波導(dǎo)合成器負載、所述波導(dǎo)隔離器負載分別錯層布局；所述的波導(dǎo)魔t合成器的最后一級波導(dǎo)魔t與錯層布局平面呈90°垂直布局，通過最后一級的兩個合成臂的路徑差來補償波導(dǎo)魔t合成器奇數(shù)路輸入和偶數(shù)路輸入兩層布局的高度差引起的相位差，實現(xiàn)同相合成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的錯層布局的窄型波導(dǎo)魔t合成器，其特征在于：所述的波導(dǎo)魔t合成器的奇數(shù)路輸入及其連接的波導(dǎo)隔離器進行兩兩合成，并在同一層布局，作為錯層布局中的第二層或第三層；奇數(shù)路的隔離器負載和合成器負載通過彎波導(dǎo)向上或向下在同一平面采用交指型進行布局，作為錯層布局中的第一層或第四層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的錯層布局的窄型波導(dǎo)魔t合成器，其特征在于：所述的波導(dǎo)魔t合成器的偶數(shù)路輸入及其連接的波導(dǎo)隔離器進行兩兩合成，并在同一層布局，作為錯層布局中的第三層或第二層；偶數(shù)路的隔離器負載和合成器負載通過彎波導(dǎo)向下或向上在同一平面采用交指型進行布局，作為錯層布局中的第四層或第一層。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明屬于微波技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種錯層布局的窄型波導(dǎo)魔T合成器。本發(fā)明將波導(dǎo)魔T合成器的奇數(shù)路輸入、偶數(shù)路輸入和合成器負載及隔離器負載分別錯層布局，合成器的最后一級波導(dǎo)魔T與錯層布局平面呈90°垂直布局，通過最后一級的兩個合成臂的路徑差來補償合成器奇數(shù)路輸入和偶數(shù)路輸入兩層布局的高度差引起的相位差，實現(xiàn)同相合成。本發(fā)明有效地減小了波導(dǎo)魔T合成器在寬度方向的尺寸，尤其適用于寬度方向受限而高度方向有余的應(yīng)用場合，提高了固態(tài)發(fā)射機的集成度。

技術(shù)研發(fā)人員：梁星霞,張海兵,徐小帆,張啟帆,莊敏,黃傳林
受保護的技術(shù)使用者：中國船舶集團有限公司第七二四研究所
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9