1.一種高介電高擊穿強(qiáng)度的靜電卡盤，其特征在于：包括由上至下依次設(shè)置的陶瓷介質(zhì)層、粘結(jié)層和金屬基座，所述陶瓷介質(zhì)層包括至少一個(gè)陶瓷介電層，所述陶瓷介電層的原料包括氧化鋁和氮化鋁中的至少一種，并包括鈦酸鋇、鋯鈦酸鋇、鈮鎂酸鉛和鈦酸鍶鋇中的至少一種。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高介電高擊穿強(qiáng)度的靜電卡盤，其特征在于：所述陶瓷介電層包括如下重量份的原料：氧化鋁50-90份、鈦酸鋇5-25份、鋯鈦酸鋇5-25份、鈮鎂酸鉛5-20份、鈦酸鍶鋇2-20份。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高介電高擊穿強(qiáng)度的靜電卡盤，其特征在于：所述陶瓷介電層包括如下重量份的原料：氮化鋁50-90份、鈦酸鋇5-25份、鋯鈦酸鋇5-25份、鈮鎂酸鉛5-20份、鈦酸鍶鋇2-20份。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高介電高擊穿強(qiáng)度的靜電卡盤，其特征在于：所述陶瓷介質(zhì)層包括由上至下依次設(shè)置的第一陶瓷介電層、吸附電極層、第二陶瓷介電層、加熱層和第三陶瓷介電層，所述第三陶瓷介電層設(shè)置于金屬基座的上端面；所述靜電卡盤還設(shè)置有多個(gè)氦氣孔，所述氦氣孔由下至上貫穿陶瓷介質(zhì)層的下表面和上表面，所述第一陶瓷介電層的上表面設(shè)置有多個(gè)向上凸伸的凸起部。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的高介電高擊穿強(qiáng)度的靜電卡盤，其特征在于：所述金屬基座設(shè)有冷卻液通道以及與多個(gè)氦氣孔連通的氦氣通道，所述氦氣通道呈環(huán)形；所述吸附電極層和加熱層分別設(shè)置有吸附電極引出端和加熱電極引出端，所述吸附電極引出端和加熱電極引出端均向下延伸至金屬基座的下端；所述金屬基座設(shè)置有用于供吸附電極引出端穿過(guò)的吸附電極通道以及用于供加熱電極引出端穿過(guò)的加熱電極通道。
6.一種權(quán)利要求1-5任意一項(xiàng)所述的高介電高擊穿強(qiáng)度的靜電卡盤的制備方法，其特征在于包括如下步驟：將陶瓷介質(zhì)層與金屬基座通過(guò)粘結(jié)層粘合，制成靜電卡盤。
7.據(jù)權(quán)利要求6所述的高介電高擊穿強(qiáng)度的靜電卡盤的制備方法，其特征在于：所述陶瓷介質(zhì)層的制備方法包括如下步驟：
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的高介電高擊穿強(qiáng)度的靜電卡盤的制備方法，其特征在于：在步驟（1）中，取氧化鋁、鈦酸鋇、鋯鈦酸鋇、鈮鎂酸鉛和鈦酸鍶鋇，按照比例混合，得到混合粉體；所述燒結(jié)助劑為sio2、cao和mgo的至少一種。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的高介電高擊穿強(qiáng)度的靜電卡盤的制備方法，其特征在于：在步驟（1）中，取氮化鋁、鈦酸鋇、鋯鈦酸鋇、鈮鎂酸鉛和鈦酸鍶鋇，按照比例混合，得到混合粉體；所述燒結(jié)助劑為ceo2、cao、caf2和y2o3的至少一種。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的高介電高擊穿強(qiáng)度的靜電卡盤的制備方法，其特征在于：在步驟（1）中，所述分散劑為蓖麻油、啡魚(yú)油、聚乙二醇和磷酸酯中的至少一種；所述塑化劑為鄰苯二甲酸二辛酯、鄰苯二甲酸二甲酯、鄰苯二甲酸二丁酯和鄰苯二甲酸二異壬酯中的至少一種。