1.一種基于gaas?ipd工藝的超寬帶電橋，其特征在于，包括gaas襯底，所述gaas襯底包括三層金屬層，且所述金屬層包括金屬層m1、金屬層m2以及金屬層m3，所述金屬層m1、金屬層m2以及金屬層m3用于形成電橋的部分結(jié)構(gòu)，且所述金屬層m1、金屬層m2以及金屬層m3的表面包裹有薄膜聚酰亞胺介質(zhì)以及薄膜氮化硅介質(zhì)，所述薄膜氮化硅介質(zhì)包裹在薄膜聚酰亞胺介質(zhì)外側(cè)，所述gaas襯底的底部電鍍金作為地平面，所述gaas襯底設(shè)置有三組耦合線，包括耦合線一、耦合線二以及耦合線三，且三組耦合線與三層金屬層適配形成電橋，且三組耦合線采用蜿蜒線結(jié)構(gòu)排布，其中，所述耦合線一以及耦合線三均設(shè)有一組，所述耦合線二設(shè)有兩組，每組耦合線分為若干段，且每段之間設(shè)置一個(gè)并聯(lián)補(bǔ)償電容。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于gaas?ipd工藝的超寬帶電橋，其特征在于，所述耦合線一的耦合系數(shù)最高，電長(zhǎng)度為90度，所述耦合線二的耦合系數(shù)最低，電長(zhǎng)度為90度，所述耦合線三的耦合系數(shù)居中，其電長(zhǎng)度為270度。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種基于gaas?ipd工藝的超寬帶電橋，其特征在于，所述電橋包括節(jié)點(diǎn)一(1)、節(jié)點(diǎn)二(2)、節(jié)點(diǎn)三(3)、節(jié)點(diǎn)四(4)、節(jié)點(diǎn)五(5)以及節(jié)點(diǎn)六(6)，所述節(jié)點(diǎn)一(1)為電橋的輸入端口，所述節(jié)點(diǎn)二(2)為電橋的耦合輸出端口，所述節(jié)點(diǎn)三(3)為電橋的直通輸出端口，所述節(jié)點(diǎn)四(4)為相位補(bǔ)償傳輸線，所述節(jié)點(diǎn)五(5)補(bǔ)償電容，所述節(jié)點(diǎn)六(6)為電橋隔離端口的匹配負(fù)載。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種基于gaas?ipd工藝的超寬帶電橋，其特征在于，所述耦合線一的輸入端口為電橋的輸入端口，所述耦合線一的隔離端口也是整個(gè)電橋的隔離端口，所述耦合線一的耦合端和直通端分別與左右兩端耦合線二的輸入端相連。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種基于gaas?ipd工藝的超寬帶電橋，其特征在于，兩段耦合線二的耦合端分別作為電橋的兩個(gè)輸出端口，所述耦合線二的直通端和隔離端分別與耦合線三的兩側(cè)相連。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種基于gaas?ipd工藝的超寬帶電橋，其特征在于，所述電橋在2-18ghz頻段范圍內(nèi)的回波損耗高于15db，帶內(nèi)最大值大于40db，所述電橋耦合輸出端口的插入損耗最大值為6.5db，所述電橋直通輸出端口的插入損耗最大值為5.5db。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種基于gaas?ipd工藝的超寬帶電橋，其特征在于，所述電橋在帶內(nèi)的平均幅度誤差為0.74db，最大幅度誤差出現(xiàn)在2ghz，為2.3db。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種基于gaas?ipd工藝的超寬帶電橋，其特征在于，所述電橋在帶內(nèi)的平均相位差為89.5度，與理想值相差0.5度，最大的相位誤差出現(xiàn)在18ghz。