本發(fā)明涉及l(fā)ed，尤其涉及一種提升晶圓wat測試產(chǎn)能的測試方法及系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

1、近年來，半導(dǎo)體技術(shù)得到迅速發(fā)展。在半導(dǎo)體芯片的生產(chǎn)過程中，晶圓可接受性測試(wafer?acceptance?test，簡稱：wat)作為芯片質(zhì)量的檢測工藝扮演著重要的角色，其位于晶圓完成制作工藝流程之后、晶圓測試(cp)之前，用來測量特定結(jié)構(gòu)的電性參數(shù)，以檢驗(yàn)制造過程的質(zhì)量、穩(wěn)定性及工藝平臺的電性規(guī)格等是否滿足要求，對晶圓的生產(chǎn)制造進(jìn)行精確控制和評估，貫穿于晶圓生產(chǎn)的整個(gè)工藝制造過程。

2、如圖1所示，傳統(tǒng)的wat測試采用的是設(shè)定x、y方向步距進(jìn)行跳測的測試方式，測試所需芯粒數(shù)，將探針扎在對應(yīng)芯片的n、p焊盤，通過施加電壓/電流，測得相應(yīng)芯粒的光電性參數(shù)值。其中，x、y方向步距需要根據(jù)整片晶圓掃描的總顆粒數(shù)以及單顆芯粒長寬比，計(jì)算出當(dāng)測試所需顆數(shù)時(shí)，x、y分別設(shè)置多少，具體的計(jì)算公式為：

3、

4、y＝x×長寬比

5、然而，由于晶圓為圓形，根據(jù)以上公式計(jì)算x、y設(shè)置步距時(shí)，實(shí)際測試芯粒數(shù)會大于所需點(diǎn)測顆數(shù)，而測試芯粒數(shù)增加必然會增加測試時(shí)間，進(jìn)而影響wat機(jī)臺產(chǎn)能。同時(shí)，wat測試時(shí)，整批晶圓全部測試完，系統(tǒng)判定并觸發(fā)ho?l?d流程，但有些電阻或漏電參數(shù)容易受探針接觸不良或者顆粒雜質(zhì)累積的影響，造成測試值超出卡控規(guī)格，從而觸發(fā)異常報(bào)警，需重新上料測試，而晶圓批次加測需要等空機(jī)臺測試，也會占用wat機(jī)臺使用率，從而降低wat機(jī)臺利用率和產(chǎn)能。

6、鑒于以上問題，如何提升芯片的產(chǎn)能是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟需要解決的。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于，提供一種提升晶圓wat測試產(chǎn)能的測試方法及系統(tǒng)，可有效控制異常產(chǎn)出，提高產(chǎn)品直通率。

2、為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種提升晶圓wat測試產(chǎn)能的測試方法，包括：根據(jù)目標(biāo)點(diǎn)測顆數(shù)分別對當(dāng)前批次內(nèi)的晶圓進(jìn)行分區(qū)處理，以選取目標(biāo)芯粒；依次對當(dāng)前晶圓內(nèi)的目標(biāo)芯粒進(jìn)行wat測試；若當(dāng)前晶圓內(nèi)的目標(biāo)芯粒均完成wat測試，則對當(dāng)前晶圓內(nèi)的目標(biāo)芯粒進(jìn)行autoretest判斷后繼續(xù)對當(dāng)前批次內(nèi)的下一晶圓內(nèi)的目標(biāo)芯粒進(jìn)行wat測試，否則，繼續(xù)對當(dāng)前晶圓內(nèi)未進(jìn)行wat測試的目標(biāo)芯粒進(jìn)行wat測試；若當(dāng)前批次內(nèi)的目標(biāo)芯粒均完成autoretest處理，則對當(dāng)前批次內(nèi)的目標(biāo)芯粒進(jìn)行spc判斷。

3、作為上述方案的改進(jìn)，所述對當(dāng)前晶圓內(nèi)的目標(biāo)芯粒進(jìn)行autoretest判斷后繼續(xù)對當(dāng)前批次內(nèi)的下一晶圓內(nèi)的目標(biāo)芯粒進(jìn)行wat測試的步驟包括：對當(dāng)前晶圓內(nèi)的目標(biāo)芯粒進(jìn)行autoretest判斷，以確定當(dāng)前晶圓內(nèi)的目標(biāo)芯粒是否符合預(yù)設(shè)的參數(shù)規(guī)格；若當(dāng)前晶圓內(nèi)的目標(biāo)芯粒符合預(yù)設(shè)的參數(shù)規(guī)格，則對當(dāng)前批次內(nèi)的下一晶圓內(nèi)的目標(biāo)芯粒進(jìn)行wat測試；若當(dāng)前晶圓內(nèi)的目標(biāo)芯粒不符合預(yù)設(shè)的參數(shù)規(guī)格，則重新對當(dāng)前晶圓內(nèi)的目標(biāo)芯粒進(jìn)行wat測試，再對當(dāng)前批次內(nèi)的下一晶圓內(nèi)的目標(biāo)芯粒進(jìn)行wat測試。

4、作為上述方案的改進(jìn)，所述重新對當(dāng)前晶圓內(nèi)的目標(biāo)芯粒進(jìn)行wat測試時(shí)：保留當(dāng)前晶圓的子區(qū)域中原有的目標(biāo)芯粒，并對當(dāng)前晶圓內(nèi)原有的目標(biāo)芯粒進(jìn)行wat測試；或者在當(dāng)前晶圓的子區(qū)域中重新選取新的目標(biāo)芯粒，并對當(dāng)前晶圓內(nèi)新的目標(biāo)芯粒進(jìn)行wat測試。

5、作為上述方案的改進(jìn)，所述重新對當(dāng)前晶圓內(nèi)的目標(biāo)芯粒進(jìn)行wat測試時(shí)，用新的wat測試結(jié)果覆蓋上一次的wat測試結(jié)果。

6、作為上述方案的改進(jìn)，所述根據(jù)目標(biāo)點(diǎn)測顆數(shù)分別對當(dāng)前批次內(nèi)的晶圓進(jìn)行分區(qū)處理，以選取目標(biāo)芯粒的步驟包括：掃描晶圓；根據(jù)目標(biāo)點(diǎn)測顆數(shù)分別對當(dāng)前批次內(nèi)的晶圓進(jìn)行分區(qū)處理，以將所述晶圓劃分為至少一個(gè)子區(qū)域，其中，所述目標(biāo)點(diǎn)測顆數(shù)與子區(qū)域數(shù)量相同；分別在所述子區(qū)域中隨機(jī)選取目標(biāo)芯粒。

7、作為上述方案的改進(jìn)，各子區(qū)域面積相等。

8、作為上述方案的改進(jìn)，所述提升晶圓wat測試產(chǎn)能的測試方法還包括：對當(dāng)前批次內(nèi)的目標(biāo)芯粒進(jìn)行spc判斷，以確定所述當(dāng)前批次內(nèi)的目標(biāo)芯粒是否符合spc規(guī)則時(shí)，若所述當(dāng)前批次內(nèi)的目標(biāo)芯粒符合spc規(guī)則，對下一批次進(jìn)行測試；若所述當(dāng)前批次內(nèi)的目標(biāo)芯粒不符合spc規(guī)則，執(zhí)行hold流程，再重新對所述當(dāng)前批次內(nèi)的目標(biāo)芯粒進(jìn)行測試。

9、相應(yīng)地，本發(fā)明還提供了一種提升晶圓wat測試產(chǎn)能的測試系統(tǒng)，包括：芯粒提取模塊，用于根據(jù)目標(biāo)點(diǎn)測顆數(shù)分別對當(dāng)前批次內(nèi)的晶圓進(jìn)行分區(qū)處理，以選取目標(biāo)芯粒；wat測試模塊，用于依次對當(dāng)前晶圓內(nèi)的目標(biāo)芯粒進(jìn)行wat測試；autoretest判斷模塊，用于對當(dāng)前晶圓內(nèi)的目標(biāo)芯粒進(jìn)行autoretest判斷；spc判斷模塊，用于對當(dāng)前批次內(nèi)的目標(biāo)芯粒進(jìn)行spc判斷，以確定當(dāng)前晶圓內(nèi)的目標(biāo)芯粒是否符合預(yù)設(shè)的參數(shù)規(guī)格；第一判斷模塊，用于判斷當(dāng)前晶圓內(nèi)的目標(biāo)芯粒是否均完成wat測試，判斷為是時(shí)，驅(qū)動(dòng)所述autoretest判斷模塊對當(dāng)前晶圓內(nèi)的目標(biāo)芯粒進(jìn)行autoretest判斷，并驅(qū)動(dòng)所述wat測試模塊繼續(xù)對當(dāng)前批次內(nèi)的下一晶圓內(nèi)的目標(biāo)芯粒進(jìn)行wat測試，判斷為否時(shí)，驅(qū)動(dòng)所述wat測試模塊繼續(xù)對當(dāng)前晶圓內(nèi)未進(jìn)行wat測試的目標(biāo)芯粒進(jìn)行wat測試；第二判斷模塊，用于判斷當(dāng)前批次內(nèi)的目標(biāo)芯粒是否均完成autoretest處理，判斷為是時(shí)，驅(qū)動(dòng)所述spc判斷模塊對當(dāng)前批次內(nèi)的目標(biāo)芯粒進(jìn)行spc判斷。

10、作為上述方案的改進(jìn)，所述提升晶圓wat測試產(chǎn)能的測試系統(tǒng)還包括第三判斷模塊，用于當(dāng)所述spc判斷模塊判斷出當(dāng)前晶圓內(nèi)的目標(biāo)芯粒不符合預(yù)設(shè)的參數(shù)規(guī)格時(shí)，驅(qū)動(dòng)所述wat測試模塊重新對當(dāng)前晶圓內(nèi)的目標(biāo)芯粒進(jìn)行wat測試。

11、作為上述方案的改進(jìn)，所述芯粒提取模塊包括：掃描單元，用于掃描晶圓；分區(qū)單元，根據(jù)目標(biāo)點(diǎn)測顆數(shù)分別對當(dāng)前批次內(nèi)的晶圓進(jìn)行分區(qū)處理，以將所述晶圓劃分為至少一個(gè)子區(qū)域，其中，所述目標(biāo)點(diǎn)測顆數(shù)與子區(qū)域數(shù)量相同；提取單元，用于分別在所述子區(qū)域中隨機(jī)選取目標(biāo)芯粒。

12、實(shí)施本發(fā)明，可有效控制異常產(chǎn)出，自動(dòng)化效率提升，產(chǎn)能提升，提高產(chǎn)品直通率，保質(zhì)保量；具有如下有益效果：

13、本發(fā)明采用分區(qū)方式提取目標(biāo)芯粒，可實(shí)現(xiàn)實(shí)際測試芯粒數(shù)與所需芯粒數(shù)相同，提升wat測試產(chǎn)能的同時(shí)，測試數(shù)據(jù)亦可代表整片wafer能力；

14、同時(shí)，本發(fā)明在當(dāng)前晶圓內(nèi)的目標(biāo)芯粒均完成wat測試后，隨即進(jìn)行autoretest判斷，從而快速發(fā)現(xiàn)測試值超出卡控規(guī)格的情況，避免后續(xù)對整批重新進(jìn)行上料測試；

15、進(jìn)一步，本發(fā)明通過對出現(xiàn)問題的參數(shù)在wat過程中實(shí)施參數(shù)原點(diǎn)重測并重新賦值；且同一批次所有晶圓的wat測試結(jié)束后，若spc系統(tǒng)判斷違反spc規(guī)則，執(zhí)行hold流程之前不需要對該批次晶圓實(shí)施wat重測，可以有效提升wat測試產(chǎn)能。

技術(shù)特征：

1.一種提升晶圓wat測試產(chǎn)能的測試方法，其特征在于，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的提升晶圓wat測試產(chǎn)能的測試方法，其特征在于，所述對當(dāng)前晶圓內(nèi)的目標(biāo)芯粒進(jìn)行autoretest判斷后繼續(xù)對當(dāng)前批次內(nèi)的下一晶圓內(nèi)的目標(biāo)芯粒進(jìn)行wat測試的步驟包括：

3.如權(quán)利要求2所述的提升晶圓wat測試產(chǎn)能的測試方法，其特征在于，所述重新對當(dāng)前晶圓內(nèi)的目標(biāo)芯粒進(jìn)行wat測試時(shí)：

4.如權(quán)利要求2所述的提升晶圓wat測試產(chǎn)能的測試方法，其特征在于，所述重新對當(dāng)前晶圓內(nèi)的目標(biāo)芯粒進(jìn)行wat測試時(shí)，用新的wat測試結(jié)果覆蓋上一次的wat測試結(jié)果。

5.如權(quán)利要求1所述的提升晶圓wat測試產(chǎn)能的測試方法，其特征在于，所述根據(jù)目標(biāo)點(diǎn)測顆數(shù)分別對當(dāng)前批次內(nèi)的晶圓進(jìn)行分區(qū)處理，以選取目標(biāo)芯粒的步驟包括：

6.如權(quán)利要求5所述的提升晶圓wat測試產(chǎn)能的測試方法，其特征在于，各子區(qū)域面積相等。

7.如權(quán)利要求1所述的提升晶圓wat測試產(chǎn)能的測試方法，其特征在于，還包括：對當(dāng)前批次內(nèi)的目標(biāo)芯粒進(jìn)行spc判斷，以確定所述當(dāng)前批次內(nèi)的目標(biāo)芯粒是否符合spc規(guī)則時(shí)，

8.一種提升晶圓wat測試產(chǎn)能的測試系統(tǒng)，其特征在于，包括：

9.如權(quán)利要求8所述的提升晶圓wat測試產(chǎn)能的測試系統(tǒng)，其特征在于，還包括第三判斷模塊，用于當(dāng)所述spc判斷模塊判斷出當(dāng)前晶圓內(nèi)的目標(biāo)芯粒不符合預(yù)設(shè)的參數(shù)規(guī)格時(shí)，驅(qū)動(dòng)所述wat測試模塊重新對當(dāng)前晶圓內(nèi)的目標(biāo)芯粒進(jìn)行wat測試。

10.如權(quán)利要求8所述的提升晶圓wat測試產(chǎn)能的測試系統(tǒng)，其特征在于，所述芯粒提取模塊包括：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種提升晶圓WAT測試產(chǎn)能的測試方法及系統(tǒng)，涉及LED技術(shù)領(lǐng)域，所述方法包括：根據(jù)目標(biāo)點(diǎn)測顆數(shù)分別對當(dāng)前批次內(nèi)的晶圓進(jìn)行分區(qū)處理，以選取目標(biāo)芯粒；依次對當(dāng)前晶圓內(nèi)的目標(biāo)芯粒進(jìn)行WAT測試；若當(dāng)前晶圓內(nèi)的目標(biāo)芯粒均完成WAT測試，則對當(dāng)前晶圓內(nèi)的目標(biāo)芯粒進(jìn)行AutoRetest判斷后繼續(xù)對當(dāng)前批次內(nèi)的下一晶圓內(nèi)的目標(biāo)芯粒進(jìn)行WAT測試，否則，繼續(xù)對當(dāng)前晶圓內(nèi)未進(jìn)行WAT測試的目標(biāo)芯粒進(jìn)行WAT測試；若當(dāng)前批次內(nèi)的目標(biāo)芯粒均完成AutoRetest處理，則對當(dāng)前批次內(nèi)的目標(biāo)芯粒進(jìn)行SPC判斷。采用本發(fā)明，可有效控制異常產(chǎn)出，自動(dòng)化效率提升，產(chǎn)能提升，提高產(chǎn)品直通率，保質(zhì)保量。

技術(shù)研發(fā)人員：楊振鵬,王曉明,趙曉明,董國慶,文國昇,金從龍
受保護(hù)的技術(shù)使用者：江西兆馳半導(dǎo)體有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/30