本發(fā)明涉及帶載體的金屬箔以及其使用方法和制造方法。

背景技術(shù)：

1、近年來(lái)，為了提高印刷電路板的安裝密度而進(jìn)行小型化，開(kāi)始廣泛進(jìn)行印刷電路板的多層化。這樣的多層印刷電路板在便攜式電子設(shè)備的多數(shù)中出于輕量化、小型化為目的而被利用。于是，對(duì)該多層印刷電路板要求層間絕緣層的厚度的進(jìn)一步降低、以及作為布線板的更進(jìn)一步的輕量化。

2、作為滿足這樣的要求的技術(shù)，采用使用無(wú)芯積層法的多層印刷電路板的制造方法。無(wú)芯積層法是指不使用所謂的芯基板、而是交替地積層(build?up)絕緣層與布線層來(lái)進(jìn)行多層化的方法。無(wú)芯積層法中，為了容易地進(jìn)行支撐體與多層印刷電路板的剝離，提出了使用帶載體的銅箔的方案。例如，專利文獻(xiàn)1(日本特開(kāi)2005-101137號(hào)公報(bào))中公開(kāi)了一種半導(dǎo)體元件搭載用封裝基板的制造方法，其包括以下步驟：在帶載體的銅箔的載體面粘貼絕緣樹(shù)脂層而制成支撐體，通過(guò)光致抗蝕加工、圖案電解鍍銅、抗蝕劑去除等工序在帶載體的銅箔的極薄銅層側(cè)形成第一布線導(dǎo)體后，形成積層布線層，將帶載體的支撐基板剝離，去除極薄銅層。

3、另外，為了專利文獻(xiàn)1所示的嵌入電路的微細(xì)化，理想的是，將極薄銅層的厚度設(shè)為1μm以下的帶載體的銅箔。因此，為了實(shí)現(xiàn)極薄銅層的厚度降低，提出了通過(guò)濺射等氣相法形成極薄銅層的方案。例如，專利文獻(xiàn)2(國(guó)際公開(kāi)第2017/150283號(hào))中公開(kāi)了通過(guò)濺射在玻璃或陶瓷等載體上形成有剝離層、防反射層以及極薄銅層的帶載體的銅箔。另外，專利文獻(xiàn)3(國(guó)際公開(kāi)第2017/150284號(hào))中公開(kāi)了通過(guò)濺射在玻璃或陶瓷等載體上形成有中間層(例如密合金屬層和剝離輔助層)、剝離層以及極薄銅層(例如膜厚300nm)的帶載體的銅箔。專利文獻(xiàn)2和3中還給出了如下啟示：通過(guò)夾設(shè)由規(guī)定的金屬構(gòu)成的中間層來(lái)賦予載體機(jī)械剝離強(qiáng)度優(yōu)異的穩(wěn)定性、或者通過(guò)使防反射層呈理想的暗色，可以使圖像檢測(cè)(例如自動(dòng)圖像檢測(cè)(aoi))中的辨識(shí)性提高。

4、總之，隨著電子裝置的更進(jìn)一步小型化以及節(jié)電化，對(duì)半導(dǎo)體芯片和印刷電路板的高度集成化以及薄型化的需求正在提高。作為滿足該需求的新一代封裝技術(shù)，近年正在研究采用fo-wlp(fan-out?wafer?level?packaging)、plp(panel?level?packaging)。并且，在fo-wlp、plp中，也正在研究采用無(wú)芯積層法。作為這樣的方法之一，有被稱作rdl-first(redistribution?layer-first)法的方法，即，在無(wú)芯支撐體表面形成布線層以及根據(jù)需要的積層布線層，進(jìn)而根據(jù)需要將支撐體剝離后，進(jìn)行芯片的安裝。例如，專利文獻(xiàn)4(日本特開(kāi)2015-35551號(hào)公報(bào))中公開(kāi)了一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其包括如下步驟：在由玻璃或硅晶圓制成的支撐體的主面形成金屬剝離層；在其上形成絕緣樹(shù)脂層；在其上形成包含積層層的重布線層(redistribution?layer)；在其上的半導(dǎo)體集成電路的安裝以及密封；由支撐體的去除帶來(lái)的剝離層的露出；剝離層的去除帶來(lái)的2次安裝焊盤的露出；以及在2次安裝焊盤的表面形成焊錫凸塊；以及2次安裝。

5、另一方面，已知有將電路圖案曝光轉(zhuǎn)印在半導(dǎo)體晶圓上時(shí)，在曝光前進(jìn)行以對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記為基準(zhǔn)的位置對(duì)準(zhǔn)的技術(shù)。例如，專利文獻(xiàn)5(日本特開(kāi)平9-74062號(hào)公報(bào))公開(kāi)了一種半導(dǎo)體曝光方法，其包括：在半導(dǎo)體晶圓上形成示出晶體取向的圖案的工序；對(duì)該圖案進(jìn)行檢測(cè)的工序；基于該檢測(cè)結(jié)果將晶圓定位在規(guī)定的曝光位置的工序；以及，將最初的電路圖案曝光轉(zhuǎn)印在定位的晶圓上的工序。根據(jù)專利文獻(xiàn)5，通過(guò)以所述方法進(jìn)行曝光轉(zhuǎn)印，可以在相對(duì)于晶體取向正確的位置上進(jìn)行曝光，并且即使是不同的裝置也能夠在相同位置進(jìn)行曝光。

6、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

7、專利文獻(xiàn)

8、專利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)2005-101137號(hào)公報(bào)

9、專利文獻(xiàn)2：國(guó)際公開(kāi)第2017/150283號(hào)

10、專利文獻(xiàn)3：國(guó)際公開(kāi)第2017/150284號(hào)

11、專利文獻(xiàn)4：日本特開(kāi)2015-35551號(hào)公報(bào)

12、專利文獻(xiàn)5：日本特開(kāi)平9-74062號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、隨著近年來(lái)電子設(shè)備的進(jìn)一步小型輕量化，期望重布線層具有線/間距(l/s)被極度微細(xì)化的布線圖案(例如l/s＝2μm/2μm)。為了應(yīng)對(duì)該要求，想到如專利文獻(xiàn)2及3所示那樣在具備厚度被降低的極薄銅層的帶玻璃載體的銅箔(或帶陶瓷載體的銅箔)上通過(guò)上述的積層法等形成重布線層。另一方面，在光刻工藝中，曝光裝置的曝光分辨率與曝光區(qū)域通常為折衷關(guān)系，因此微細(xì)電路形成用的曝光分辨率優(yōu)異的曝光裝置通常曝光區(qū)域窄(例如70mm見(jiàn)方)。因此，可以采用進(jìn)行形成粗大電路的曝光及顯影后，再次進(jìn)行形成微細(xì)電路的曝光及顯影的2階段的電路形成工藝。換言之，首先，為了形成芯片安裝所需的粗設(shè)計(jì)而經(jīng)歷使用曝光區(qū)域廣(例如250mm見(jiàn)方)但曝光分辨率差的曝光裝置的曝光及之后的顯影，形成粗大電路(例如l/s＝10μm/10μm的粗大電路)(第1階段的電路形成)。然后，經(jīng)歷使用微細(xì)電路形成用的曝光裝置的曝光及之后的顯影，形成微細(xì)電路(第2階段的電路形成)。然而，該2階段的電路形成方法的工藝復(fù)雜，并且會(huì)先形成粗大電路，因此為了進(jìn)一步形成微細(xì)電路，需要高的位置對(duì)準(zhǔn)精度，易于導(dǎo)致成品率的降低。如前所述，雖然已知使用在半導(dǎo)體(si)晶圓上形成的示出晶體取向的圖案的位置對(duì)準(zhǔn)技術(shù)(參見(jiàn)專利文獻(xiàn)5)，但帶載體的銅箔本來(lái)就不是半導(dǎo)體(si)晶圓那樣的單晶，因此形成示出晶體取向的圖案本身就是不可能的，期望適于帶載體的金屬箔的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。

2、本發(fā)明人等本次得到了如下見(jiàn)解：在帶載體的金屬箔中，通過(guò)對(duì)載體自身設(shè)置構(gòu)成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的加工部，能夠以相同的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記為基準(zhǔn)進(jìn)行布線形成時(shí)的粗大電路用的曝光及微細(xì)電路用的曝光這兩者，其結(jié)果，可以在1階段的電路形成工藝中同時(shí)形成粗大電路及微細(xì)電路。

3、因此，本發(fā)明的目的在于提供一種帶載體的金屬箔，其能夠以相同的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記為基準(zhǔn)進(jìn)行布線形成時(shí)的粗大電路用的曝光及微細(xì)電路用的曝光這兩者，其結(jié)果，可以在1階段的電路形成工藝中同時(shí)形成粗大電路及微細(xì)電路。

4、根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式，提供一種帶載體的金屬箔，其具備：載體、設(shè)置在前述載體的至少一面上的剝離層、和設(shè)置在前述剝離層上的金屬層，

5、前述帶載體的金屬箔具有布線用區(qū)域和至少2個(gè)定位用區(qū)域，

6、前述布線用區(qū)域遍布其整個(gè)區(qū)域地存在前述載體、前述剝離層及前述金屬層，

7、前述至少2個(gè)定位用區(qū)域設(shè)置于前述帶載體的金屬箔的前述至少一面，形成在伴隨曝光及顯影的布線形成時(shí)用于位置對(duì)準(zhǔn)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。

8、根據(jù)本發(fā)明的另一方式，提供一種使用前述帶載體的金屬箔經(jīng)過(guò)曝光及顯影而形成布線的方法，其包括在曝光前以前述帶載體的金屬箔的前述定位用區(qū)域?yàn)榛鶞?zhǔn)進(jìn)行位置對(duì)準(zhǔn)的工序，其中，

9、分別進(jìn)行電路寬度不同的多個(gè)電路的曝光，并且，同時(shí)進(jìn)行前述多個(gè)電路的顯影。

10、根據(jù)本發(fā)明的另一方式，提供一種前述帶載體的金屬箔的制造方法，其包括：

11、準(zhǔn)備載體的工序；

12、對(duì)前述載體的至少一面的規(guī)定區(qū)域進(jìn)行加工，形成至少2個(gè)構(gòu)成前述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的加工部，由此劃分出至少2個(gè)定位用區(qū)域的工序；以及，

13、在前述載體的前述至少一面依次形成前述剝離層及前述金屬層的工序。