本公開涉及顯示，尤其涉及一種薄膜晶體管、發(fā)光基板和發(fā)光裝置。

背景技術(shù)：

1、在半導(dǎo)體顯示領(lǐng)域，隨著技術(shù)的發(fā)展，產(chǎn)品不斷追求更快的刷新率、更高的分辨率和更優(yōu)的能效水平等，傳統(tǒng)的薄膜晶體管已經(jīng)逐漸不能滿足需求，氧化物半導(dǎo)體材料，例如氧化銦鎵鋅(igzo)，具有高穩(wěn)定性、高遷移率以及低功耗的特點，可以實現(xiàn)更高品質(zhì)的顯示畫質(zhì)和更長的使用壽命。

2、氧化物半導(dǎo)體材料的薄膜晶體管存在特性曲線負(fù)偏的現(xiàn)象，影響了顯示畫面的均一性，降低了顯示效果。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本公開實施例提供一種薄膜晶體管、發(fā)光基板和發(fā)光裝置，以解決或緩解現(xiàn)有技術(shù)中的一項或更多項技術(shù)問題。

2、作為本公開實施例的第一個方面，本公開實施例提供一種薄膜晶體管，包括：

3、晶體管本體，位于襯底的一側(cè)；

4、有機(jī)材料層，位于晶體管本體背離襯底的一側(cè)；

5、隔離層，位于有機(jī)材料層背離襯底的一側(cè)，隔離層在襯底上的正投影與晶體管本體的有源層溝道區(qū)在襯底上的正投影存在交疊區(qū)域，隔離層的材質(zhì)包括金屬；

6、第一絕緣層，位于隔離層背離襯底的一側(cè)，第一絕緣層的材質(zhì)包括氮化硅。

7、在一些實施例中，隔離層包括主體層，主體層的材質(zhì)包括鋁、銅中的至少一種。

8、在一些實施例中，主體層的厚度范圍為500埃米～1000埃米。

9、在一些實施例中，主體層包括主體子層以及位于主體子層兩側(cè)的保護(hù)子層，主體子層的材質(zhì)包括鋁、銅中的至少一種，保護(hù)子層的材質(zhì)包括鉬。

10、在一些實施例中，

11、主體子層的材質(zhì)包括鋁，保護(hù)子層的材質(zhì)包括鉬；或者，

12、主體子層的材質(zhì)包括銅，保護(hù)子層的材質(zhì)包括鉬和鈮。

13、在一些實施例中，主體子層的厚度范圍為300埃米～700埃米；和/或，保護(hù)子層的厚度范圍為100埃米～200埃米。

14、在一些實施例中，隔離層還包括與主體層疊層設(shè)置的輔助層，輔助層位于有機(jī)材料層和主體層之間，輔助層的材質(zhì)包括金屬氧化物。

15、在一些實施例中，輔助層的材質(zhì)包括氧化銦錫和氧化銦鋅中的至少一種。

16、在一些實施例中，輔助層的厚度范圍為500埃米～1000埃米。

17、在一些實施例中，晶體管本體的有源層在襯底上的正投影位于隔離層在襯底上的正投影范圍內(nèi)。

18、在一些實施例中，有源層的材質(zhì)包括氧化物半導(dǎo)體。

19、在一些實施例中，晶體管本體還包括柵極、第一極和第二極，薄膜晶體管還包括第二絕緣層和第三絕緣層，有源層、第二絕緣層、柵極和第三絕緣層依次疊層設(shè)置在襯底的一側(cè)，第一極和第二極位于第三絕緣層背離襯底的一側(cè)，第一極和第二極均與有源層連接，第三絕緣層的材質(zhì)包括氧化硅。

20、作為本公開實施例的第二方面，本公開實施例提供一種發(fā)光基板，包括本公開的薄膜晶體管，發(fā)光基板包括發(fā)光區(qū)和/或位于發(fā)光區(qū)一側(cè)的邊框區(qū)，薄膜晶體管位于發(fā)光區(qū)和/或邊框區(qū)。

21、在一些實施例中，發(fā)光基板還包括位于第一絕緣層背離襯底一側(cè)的驅(qū)動電極，有機(jī)材料層設(shè)置有第一過孔，隔離層設(shè)置有第二過孔，第一過孔在襯底上的正投影與晶體管本體的第二極在襯底上的正投影至少部分相交，第一過孔在襯底上的正投影位于第二過孔在襯底上的正投影內(nèi)，第一絕緣層設(shè)置有第三過孔，驅(qū)動電極通過第三過孔與晶體管本體的第二極連接。

22、作為本公開實施例的第三方面，本公開實施例提供一種發(fā)光裝置，包括本公開任一項的薄膜晶體管，或者，包括本公開的發(fā)光基板。

23、本公開實施例的技術(shù)方案，第一絕緣層的材質(zhì)包括氮化硅，氮化硅材質(zhì)的特性使得第一絕緣層可以隔離水汽，防止水汽侵入腐蝕晶體管本體的第一極和第二極，避免了薄膜晶體管器件周邊發(fā)黑。薄膜晶體管中有機(jī)材料層與第一絕緣層之間設(shè)置有隔離層，隔離層的材質(zhì)包括金屬，從而，隔離層可以阻擋第一絕緣層中的氫原子或氫離子向隔離層下方擴(kuò)散；通過設(shè)置隔離層在襯底上的正投影與晶體管本體的有源層溝道區(qū)在襯底上的正投影存在交疊區(qū)域，使得隔離層可以阻擋氫原子或氫離子向隔離層下方的有源層溝道區(qū)擴(kuò)散，防止氫原子或氫離子進(jìn)入隔離層下方的有源層溝道區(qū)內(nèi)，從而可以減小進(jìn)入有源層溝道區(qū)的氫原子或氫離子數(shù)量，可以改善薄膜晶體管的負(fù)偏，提高薄膜晶體管的性能，提高了顯示產(chǎn)品的顯示品質(zhì)。

24、上述概述僅僅是為了說明書的目的，并不意圖以任何方式進(jìn)行限制。除上述描述的示意性的方面、實施方式和特征之外，通過參考附圖和以下的詳細(xì)描述，本公開進(jìn)一步的方面、實施方式和特征將會是容易明白的。

技術(shù)特征：

1.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述隔離層包括主體層，所述主體層的材質(zhì)包括鋁、銅中的至少一種。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述主體層的厚度范圍為500埃米～1000埃米。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述主體層包括主體子層以及位于所述主體子層兩側(cè)的保護(hù)子層，所述主體子層的材質(zhì)包括鋁、銅中的至少一種，所述保護(hù)子層的材質(zhì)包括鉬。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管，其特征在于，

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述主體子層的厚度范圍為300埃米～700埃米；和/或，所述保護(hù)子層的厚度范圍為100埃米～200埃米。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述隔離層還包括與所述主體層疊層設(shè)置的輔助層，所述輔助層位于所述有機(jī)材料層和所述主體層之間，所述輔助層的材質(zhì)包括金屬氧化物。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述輔助層的材質(zhì)包括氧化銦錫和氧化銦鋅中的至少一種。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述輔助層的厚度范圍為500埃米～1000埃米。

10.根據(jù)權(quán)利要求1-9中任一項所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述晶體管本體的有源層在所述襯底上的正投影位于所述隔離層在所述襯底上的正投影范圍內(nèi)。

11.根據(jù)權(quán)利要求1-9中任一項所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述有源層的材質(zhì)包括氧化物半導(dǎo)體。

12.根據(jù)權(quán)利要求1-9中任一項所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述晶體管本體還包括柵極、第一極和第二極，所述薄膜晶體管還包括第二絕緣層和第三絕緣層，所述有源層、所述第二絕緣層、所述柵極和所述第三絕緣層依次疊層設(shè)置在所述襯底的一側(cè)，所述第一極和所述第二極位于所述第三絕緣層背離所述襯底的一側(cè)，所述第一極和所述第二極均與所述有源層連接，所述第三絕緣層的材質(zhì)包括氧化硅。

13.一種發(fā)光基板，其特征在于，包括權(quán)利要求1-12中任一項所述的薄膜晶體管，所述發(fā)光基板包括發(fā)光區(qū)和/或位于所述發(fā)光區(qū)一側(cè)的邊框區(qū)，所述薄膜晶體管位于所述發(fā)光區(qū)和/或所述邊框區(qū)。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的發(fā)光基板，其特征在于，所述發(fā)光基板還包括位于所述第一絕緣層背離所述襯底一側(cè)的驅(qū)動電極，所述有機(jī)材料層設(shè)置有第一過孔，所述隔離層設(shè)置有第二過孔，所述第一過孔在所述襯底上的正投影與所述晶體管本體的第二極在所述襯底上的正投影至少部分相交，所述第一過孔在所述襯底上的正投影位于所述第二過孔在所述襯底上的正投影內(nèi)，所述第一絕緣層設(shè)置有第三過孔，所述驅(qū)動電極通過所述第三過孔與所述晶體管本體的第二極連接。

15.一種發(fā)光裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1-13中任一項所述的薄膜晶體管，或者，包括權(quán)利要求14所述的發(fā)光基板。

技術(shù)總結(jié)
本公開實施例提供一種薄膜晶體管、發(fā)光基板和發(fā)光裝置。薄膜晶體管，包括：晶體管本體，位于襯底的一側(cè)；有機(jī)材料層，位于晶體管本體背離襯底的一側(cè)；隔離層，位于有機(jī)材料層背離襯底的一側(cè)，隔離層在襯底上的正投影與晶體管本體的有源層溝道區(qū)在襯底上的正投影存在交疊區(qū)域，隔離層的材質(zhì)包括金屬；第一絕緣層，位于隔離層背離襯底的一側(cè)，第一絕緣層的材質(zhì)包括氮化硅。本公開的技術(shù)方案，隔離層可以阻擋氫原子或氫離子向隔離層下方的有源層溝道區(qū)擴(kuò)散，改善了薄膜晶體管的負(fù)偏，提高了薄膜晶體管的性能以及顯示產(chǎn)品的顯示品質(zhì)。

技術(shù)研發(fā)人員：梁朋,程亮,鄒志翔,林亮,徐中,袁帥
受保護(hù)的技術(shù)使用者：合肥鑫晟光電科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/30