本發(fā)明屬于半導(dǎo)體封裝,具體涉及一種提高半導(dǎo)體芯片sip封裝可靠性的封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù):
1、系統(tǒng)級封裝system?in?a?package(sip)是將電子電路集成到一個封裝體的最佳方案,而所有的集成電路都包含電源模擬電路與數(shù)字處理電路,其中電源模擬電路需要較大的焊盤提供充足的電流,為了加大焊盤與減少接觸不良風(fēng)險,只能夠多增加電源供電的焊盤,造成腳位增多,后序的貼片上板較為困難。
2、現(xiàn)有的sip封裝技術(shù),包括bga與lga封裝形式,其焊盤腳位無論是方形腳,圓形腳,單一發(fā)散排布,數(shù)組規(guī)則排布,所有焊盤都在底部,而部分引腳需要較大電流或較大散熱面積時,就需要兩個或以上的焊盤,這樣就會造成因焊盤增加使焊盤間隙減少,導(dǎo)致焊接失效風(fēng)險提高,并且模擬訊號與數(shù)字訊號干擾大,需要額外增加空腳蔽空,同時因焊盤增加造成焊錫用量增加,成本較高。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、(1)要解決的技術(shù)問題
2、針對現(xiàn)有技術(shù)的不足,本發(fā)明的目的在于提供一種提高半導(dǎo)體芯片sip封裝可靠性的封裝結(jié)構(gòu),該封裝結(jié)構(gòu)旨在解決現(xiàn)有的sip封裝技術(shù)所有焊盤都在底部,使用兩個或以上的焊盤散熱時,會使焊盤間隙減少,導(dǎo)致焊接失效風(fēng)險提高,同時因焊盤增加造成焊錫用量增加,成本較高的技術(shù)問題。
3、(2)技術(shù)方案
4、為了解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明提供了這樣一種提高半導(dǎo)體芯片sip封裝可靠性的封裝結(jié)構(gòu),該封裝結(jié)構(gòu)包括封裝體、pcb基板和半導(dǎo)體芯片主體,pcb基板包括pcb層,pcb層的上表面設(shè)置有多個頂層焊盤引腳,pcb層的下表面設(shè)置有多個底層焊盤引腳,頂層焊盤引腳和底層焊盤引腳通過側(cè)焊盤引腳電性連接,底層焊盤引腳和側(cè)焊盤引腳在封裝體的下表面和側(cè)面裸露;還包括半導(dǎo)體芯片主體,半導(dǎo)體芯片主體安裝在封裝體的內(nèi)部并與多個頂層焊盤引腳電性連接。
5、優(yōu)選地,封裝體為絕緣的環(huán)氧樹脂材料,封裝體的外表面開設(shè)有與側(cè)焊盤引腳相對應(yīng)的凹槽。
6、進一步的,側(cè)焊盤引腳的長度小于封裝體的厚度,側(cè)焊盤引腳與封裝體的外表面平齊。
7、更進一步的,pcb層的厚度為1.7-2.2mm,頂層焊盤引腳和底層焊盤引腳的厚度為0.15-0.25mm。
8、更進一步的,封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法包括如下步驟:
9、步驟一、準(zhǔn)備具有頂層線路和底層線路的pcb基板,然后使用掩膜材料將頂層線路和底層線路分割成多個安裝區(qū);
10、步驟二、采用蝕刻方法加工頂層線路和底層線路,然后揭開掩膜材料形成頂層焊盤引腳、底層焊盤引腳和切割道,并使切割道位于相鄰兩個安裝區(qū)之間;
11、步驟三、在頂層焊盤引腳與切割道的交界處進行過孔處理并形成通孔,然后在通孔內(nèi)填補導(dǎo)電材料形成側(cè)焊盤引腳,側(cè)焊盤引腳使pcb基板的頂層焊盤引腳和底層焊盤引腳連接;
12、步驟四、通過焊接材料將半導(dǎo)體芯片主體配置于pcb層的上表面,然后使用金屬導(dǎo)線與頂層焊盤引腳連接;
13、步驟五、控制切割設(shè)備沿規(guī)劃的切割道對pcb基板進行切割,獲得焊接有半導(dǎo)體芯片主體的獨立結(jié)構(gòu);
14、步驟六、采用注塑方法用塑封材料包覆密封頂層焊盤引腳、半導(dǎo)體芯片主體和金屬導(dǎo)線,塑封完成后進行烘烤固化形成可靠性的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)。
15、更進一步的,頂層焊盤引腳和底層焊盤引腳均位于安裝區(qū)的內(nèi)部。
16、更進一步的,掩膜材料包括遮蓋頂層焊盤引腳和底層焊盤引腳的引腳掩膜,多個引腳掩膜形成有橫掩膜條和豎掩膜條,安裝區(qū)由橫掩膜條和豎掩膜條圍繞而成。
17、更進一步的,步驟三中在通孔內(nèi)填補導(dǎo)電材料時將內(nèi)壁的灰塵清除干凈,然后將pcb基板放在平板上,接著填充包含金屬粉末和溶劑的導(dǎo)電材料,導(dǎo)電材料固化后將pcb基板的上下兩側(cè)銑削平整。
18、更進一步的,通孔貫穿頂層焊盤引腳、pcb層和底層焊盤引腳,通孔為長條形結(jié)構(gòu)且垂直于pcb基板,步驟五中對pcb基板進行切割時緊貼側(cè)焊盤引腳。
19、更進一步的,切割設(shè)備為激光切割或等離子射線切割中的一種。
20、(3)有益效果
21、與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的有益效果在于:
22、本發(fā)明封裝體四邊具備側(cè)焊盤引腳,焊接時如果底層焊盤引腳處的錫過量,會有部分錫沾到裸露的側(cè)焊盤引腳部分,由于爬錫現(xiàn)象,多余的錫會被引導(dǎo)到側(cè)焊盤引腳處,因此能夠避免焊盤間隙減少導(dǎo)致焊接失效的情況,焊盤之間不會產(chǎn)生干涉或短路的可能性,減少焊錫用量,極大的提高了焊接質(zhì)量,成本較低。
23、上述方案中,該封裝結(jié)構(gòu)在pcb基板的側(cè)邊位置增加類似郵票孔的結(jié)構(gòu),而郵票孔多余的結(jié)構(gòu)經(jīng)過封裝切割工序切除,最終完成在pcb基板的側(cè)邊增加與板厚相同的焊盤,從而使封裝體四邊具備側(cè)焊盤引腳,使焊盤增大,確保后序貼片上板更牢靠,提升產(chǎn)品可靠性與增加大電流特性。
1.一種提高半導(dǎo)體芯片sip封裝可靠性的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:該封裝結(jié)構(gòu)包括封裝體(1)和pcb基板(2),所述pcb基板(2)包括pcb層(3),所述pcb層(3)的上表面設(shè)置有多個頂層焊盤引腳(4),所述pcb層(3)的下表面設(shè)置有多個底層焊盤引腳(5),所述頂層焊盤引腳(4)和底層焊盤引腳(5)通過側(cè)焊盤引腳(6)電性連接,所述底層焊盤引腳(5)和側(cè)焊盤引腳(6)在封裝體(1)的下表面和側(cè)面裸露;
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高半導(dǎo)體芯片sip封裝可靠性的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述封裝體(1)為絕緣的環(huán)氧樹脂材料,所述封裝體(1)的外表面開設(shè)有與側(cè)焊盤引腳(6)相對應(yīng)的凹槽。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高半導(dǎo)體芯片sip封裝可靠性的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述側(cè)焊盤引腳(6)的長度小于封裝體(1)的厚度,所述側(cè)焊盤引腳(6)與封裝體(1)的外表面平齊。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高半導(dǎo)體芯片sip封裝可靠性的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述pcb層(3)的厚度為1.7-2.2mm,所述頂層焊盤引腳(4)和底層焊盤引腳(5)的厚度為0.15-0.25mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高半導(dǎo)體芯片sip封裝可靠性的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法包括如下步驟:
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的提高半導(dǎo)體芯片sip封裝可靠性的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述頂層焊盤引腳(4)和底層焊盤引腳(5)均位于安裝區(qū)(11)的內(nèi)部。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高半導(dǎo)體芯片sip封裝可靠性的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述掩膜材料(15)包括遮蓋頂層焊盤引腳(4)和底層焊盤引腳(5)的引腳掩膜(1503),多個所述引腳掩膜(1503)形成有橫掩膜條(1501)和豎掩膜條(1502),所述安裝區(qū)(11)由橫掩膜條(1501)和豎掩膜條(1502)圍繞而成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高半導(dǎo)體芯片sip封裝可靠性的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述步驟三中在通孔(13)內(nèi)填補導(dǎo)電材料時將內(nèi)壁的灰塵清除干凈,然后將pcb基板(2)放在平板上,接著填充包含金屬粉末和溶劑的導(dǎo)電材料,導(dǎo)電材料固化后將pcb基板(2)的上下兩側(cè)銑削平整。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的提高半導(dǎo)體芯片sip封裝可靠性的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述通孔(13)貫穿頂層焊盤引腳(4)、pcb層(3)和底層焊盤引腳(5),所述通孔(13)為長條形結(jié)構(gòu)且垂直于pcb基板(2),步驟五中對pcb基板(2)進行切割時緊貼側(cè)焊盤引腳(6)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的提高半導(dǎo)體芯片sip封裝可靠性的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述切割設(shè)備為激光切割或等離子射線切割中的一種。