本申請(qǐng)的實(shí)施例涉及一種接合結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

1、在傳統(tǒng)的接合結(jié)構(gòu)10中，如圖1a所示，在設(shè)置在介電層13或15(分別設(shè)置在芯片16或載體14上)上的焊盤11之間的焊球12形成的接頭互連的情況下，幾乎會(huì)出現(xiàn)一些問題，例如，橋接b，并且需要額外的焊球12’和焊盤空間s，但是額外的焊球12’和焊盤空間s需要更高的材料和制造成本。具體地，這些問題是由于需要較大的焊球12，而較大的焊球12使得接頭之間足夠的間隙需要一些足夠的空間(例如對(duì)于諸如mems器件的電子器件17)來分隔操作區(qū)。焊球12的尺寸隨著間隙的增加而增加，焊盤空間s也隨之增大。此外，額外的材料(諸如額外的焊球12’)和制造也會(huì)帶來高成本。

2、針對(duì)上述缺陷，目前的接合改為金屬至金屬接合，諸如一般使用銅(cu)至銅接合。一般銅至銅的接合結(jié)構(gòu)中通過銅至銅對(duì)接方式可降低在小間距時(shí)用如圖1a中所示的焊球12對(duì)接的橋接b問題，但較容易有對(duì)位問題，因此提供了具有數(shù)個(gè)細(xì)柱的接合結(jié)構(gòu)。參見圖1b至圖1c，圖1b示出了相應(yīng)的預(yù)接合結(jié)構(gòu)，并且圖1c示出了相應(yīng)的金屬至金屬(諸如銅至銅)接合結(jié)構(gòu)20，如圖1b和圖1c所示，可在上下焊盤21(設(shè)置在上下介電層23上)上形成數(shù)個(gè)細(xì)柱22a和22b，借由側(cè)壁22as和22bs彼此導(dǎo)引后對(duì)接以形成接頭22，從而提升對(duì)位效益。由于上下細(xì)柱22a和22b同為“垂直方向c”延伸，因此，借由側(cè)壁22as和22bs對(duì)接的接合強(qiáng)度難以承受垂直方向翹曲(圖1c中示出了相應(yīng)的翹曲方向d)而容易有斷裂問題，從而導(dǎo)致電性較差。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、為了解決上述問題，在本申請(qǐng)?zhí)峁┑慕雍辖Y(jié)構(gòu)中，諸如銅至銅接合的接合結(jié)構(gòu)中，在上下焊盤上形成多個(gè)柱，并且進(jìn)一步在多個(gè)柱上設(shè)置阻擋結(jié)構(gòu)，從而解決先前多個(gè)柱借由側(cè)壁彼此導(dǎo)引并對(duì)接，從而會(huì)因上下柱同為“垂直方向”延伸導(dǎo)致側(cè)壁接合強(qiáng)度難以承受垂直方向翹曲而容易斷裂的問題。

2、本申請(qǐng)的一些實(shí)施例提供了一種接合結(jié)構(gòu)，包括：第一柱，以第一方向延伸；以及多個(gè)第一線，形成在所述第一柱的側(cè)壁上，其中，所述多個(gè)第一線中的每個(gè)以不垂直于所述第一方向的第二方向延伸。

3、在一些實(shí)施例中，該接合結(jié)構(gòu)還包括：第二柱，與所述第一柱電連接，并且所述第二柱以與所述第一方向相反的第三方向延伸，其中，在與所述第一方向和所述第三方向垂直的第五方向上，所述第二柱與所述第一柱重疊。

4、在一些實(shí)施例中，該接合結(jié)構(gòu)還包括：多個(gè)第二線，形成在所述第二柱的側(cè)壁上，其中，所述多個(gè)第二線的每個(gè)以不垂直于所述第三方向的第四方向延伸。

5、在一些實(shí)施例中，所述多個(gè)第二線與所述多個(gè)第一線接觸。

6、在一些實(shí)施例中，所述第二線在所述第五方向上與相應(yīng)的所述第一線重疊。

7、在一些實(shí)施例中，所述第二線位于相應(yīng)的所述第一線與所述第一柱之間。

8、在一些實(shí)施例中，所述第二方向與所述第四方向不平行。

9、在一些實(shí)施例中，該接合結(jié)構(gòu)還包括：第一焊盤，所述第一柱形成在所述第一焊盤上，其中，所述第一方向?yàn)樗龅谝恢h(yuǎn)離所述第一焊盤延伸的方向。

10、在一些實(shí)施例中，所述第一線與所述第一柱之間的夾角為銳角。

11、在一些實(shí)施例中，所述第一柱的數(shù)量為多個(gè)，并且形成在同一焊盤上。

12、在一些實(shí)施例中，所述第一柱的數(shù)量為多個(gè)，并且形成在不同的焊盤上。

13、在一些實(shí)施例中，所述第一柱和所述第二柱的數(shù)量均為多個(gè)，并且所述第一柱與所述第二柱交錯(cuò)設(shè)置。

14、在一些實(shí)施例中，所述第一柱與所述第二柱交錯(cuò)設(shè)置為連續(xù)的結(jié)構(gòu)。

15、在一些實(shí)施例中，所述第一柱與所述第二柱交錯(cuò)設(shè)置為多個(gè)組，并且其中，所述多個(gè)組中的相鄰組彼此間隔開。

16、在一些實(shí)施例中，所述第一柱設(shè)置在第一焊盤上，所述第二柱設(shè)置在第二焊盤上，所述多個(gè)組中的所述第一柱設(shè)置在相同或不同的第一焊盤上，并且所述多個(gè)組中的所述第二柱設(shè)置在相同或不同的第二焊盤上，并且所述第一焊盤與所述第二焊盤的數(shù)量相同或不同。

17、在一些實(shí)施例中，該接合結(jié)構(gòu)還包括：第一基底，所述第一焊盤設(shè)置于所述第一基底上，其中，所述第一焊盤設(shè)置為以下方式中的一種：位于在所述第一基底上方、嵌入在所述第一基底中，或者具有延伸穿過所述第一基底以與所述第一基底中的跡線連接的第一部分以及在所述第一基底上方延伸的第二部分。

18、本申請(qǐng)的另一些實(shí)施例提供了一種接合結(jié)構(gòu)，包括：第一柱；以及多個(gè)第一線，形成在所述第一柱的側(cè)壁上，其中，所述第一線與所述第一柱之間的夾角為銳角。

19、在一些實(shí)施例中，該接合結(jié)構(gòu)還包括：第二柱，與所述第一柱電連接，多個(gè)第二線，形成在所述第二柱的側(cè)壁上，其中，所述第二線與所述第二柱之間的夾角為銳角，并且其中，所述第二線位于相應(yīng)的所述第一線與所述第一柱之間。

20、在一些實(shí)施例中，該接合結(jié)構(gòu)還包括：第一焊盤，所述第一柱形成在所述第一焊盤上；以及第二焊盤，所述第二柱形成在所述第二焊盤上，其中，所述第一焊盤在延伸超出所述第一柱的位置處具有第三線，并且所述第二焊盤在延伸超出所述第二柱的位置處具有第四線。

21、綜上，本申請(qǐng)?zhí)峁┑慕雍辖Y(jié)構(gòu)在相應(yīng)的柱的側(cè)壁上形成多個(gè)線來作為阻擋結(jié)構(gòu)，在解決先前多個(gè)柱的接合強(qiáng)度難以承受垂直方向翹曲而容易斷裂問題的同時(shí)，提高了相應(yīng)接合結(jié)構(gòu)的電性能。

技術(shù)特征：

1.一種接合結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接合結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的接合結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的接合結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述多個(gè)第二線與所述多個(gè)第一線接觸。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的接合結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二線在所述第五方向上與相應(yīng)的所述第一線重疊。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接合結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接合結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一線與所述第一柱之間的夾角為銳角。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的接合結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：

9.一種接合結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的接合結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)的一些實(shí)施例提供了一種接合結(jié)構(gòu)，包括：第一柱，以第一方向延伸；以及多個(gè)第一線，形成在第一柱的側(cè)壁上，其中，多個(gè)第一線中的每個(gè)以不垂直于第一方向的第二方向延伸。本申請(qǐng)?zhí)峁┑慕雍辖Y(jié)構(gòu)提高了相應(yīng)接合結(jié)構(gòu)的接合強(qiáng)度以及相應(yīng)的電性能。具體地，在本申請(qǐng)的一些實(shí)施例提供的接合結(jié)構(gòu)中，在第一柱的側(cè)壁上形成多個(gè)第一線來作為阻擋結(jié)構(gòu)，在解決先前第一柱的接合強(qiáng)度難以承受垂直方向翹曲而容易斷裂問題的同時(shí)，提高了相應(yīng)接合結(jié)構(gòu)的電性能。

技術(shù)研發(fā)人員：呂文隆
受保護(hù)的技術(shù)使用者：日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20231229
技術(shù)公布日：2024/12/26