本技術(shù)涉及芯片封裝，尤其涉及一種增強底填料結(jié)合的劃切芯片及其應(yīng)用。

背景技術(shù)：

1、目前，主流倒裝芯片封裝工藝包括劃切、上片、底填、模壓成型等工藝流程。其中劃切工藝負(fù)責(zé)將整體晶圓分割為獨立芯片chip，底填工藝將底填料注入芯片與基板之間，保護(hù)凸塊及焊點，并充當(dāng)緩沖層，分散應(yīng)力以避免應(yīng)力集中于凸塊，降低凸塊破壞的風(fēng)險?，F(xiàn)有的劃切工藝為單劃槽式切割，即采用劃切刀片或雷射和刀片結(jié)合方式對切割道貫穿式切割以分離芯片。芯片底填之后，因基板自身或可靠性測試等原因，基板或有幾率發(fā)生翹曲，產(chǎn)生邊緣應(yīng)力于底填料間，有造成底填料破裂或剝離的風(fēng)險，如圖1-圖3所示，圖1中顯示出了底填料破裂處1，及底填料剝離處2。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本實用新型的目的是提供一種增強底填料結(jié)合的芯片及其劃切工藝與應(yīng)用。

2、為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用了如下技術(shù)方案：

3、一種增強底填料結(jié)合的劃切芯片，包括，待切割晶圓，所述待切割晶圓的切割道兩側(cè)均開設(shè)有至少一條淺槽；所述淺槽設(shè)置于擋墻與切割道之間。

4、優(yōu)選地，所述淺槽的槽深大于金屬層厚度，槽寬為25-50μm。

5、優(yōu)選地，所述淺槽的槽深為10-30μm。

6、優(yōu)選地，所述淺槽與切割道之間距離不小于6μm。

7、優(yōu)選地，所述淺槽為連續(xù)型或斷續(xù)型。

8、優(yōu)選地，以上任意一所述的一種增強底填料結(jié)合的劃切芯片的劃切工藝，通過鐳射、刀片劃切或兩者結(jié)合的方式對待切割晶圓上的待切割道兩側(cè)開設(shè)淺槽。

9、優(yōu)選地，以上任意一所述的一種增強底填料結(jié)合的劃切芯片的應(yīng)用，將增強底填料結(jié)合的劃切芯片應(yīng)用于有底填材料封裝的倒裝焊接芯片或?qū)⑵鋺?yīng)用于具有基板翹曲導(dǎo)致底填料破裂風(fēng)險的封裝體中。

10、本實用新型至少具備以下有益效果：本實用新型的芯片可以降低底填料應(yīng)力，解決封裝體翹曲或其他應(yīng)力原因?qū)е碌牡滋盍掀屏鸦騽冸x問題，有效降低芯片制程中可能產(chǎn)生的缺陷風(fēng)險，提升作業(yè)品質(zhì)及產(chǎn)品良率，提升可靠性。

技術(shù)特征：

1.一種增強底填料結(jié)合的劃切芯片，其特征在于，包括，待切割晶圓，所述待切割晶圓的切割道兩側(cè)均開設(shè)有至少一條淺槽；所述淺槽設(shè)置于擋墻與切割道之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種增強底填料結(jié)合的劃切芯片，其特征在于，所述淺槽的槽深大于芯片金屬層厚度，槽寬為25-50μm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種增強底填料結(jié)合的劃切芯片，其特征在于，所述淺槽的槽深為10-30μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種增強底填料結(jié)合的劃切芯片，其特征在于，所述淺槽與切割道之間距離不小于6μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種增強底填料結(jié)合的劃切芯片，其特征在于，所述淺槽為連續(xù)型或斷續(xù)型。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)涉及一種增強底填料結(jié)合的劃切芯片，所述劃切芯片包括，待切割晶圓，所述待切割晶圓的切割道兩側(cè)均開設(shè)有至少一條淺槽；所述淺槽設(shè)置于擋墻與切割道之間。本技術(shù)至少具備以下有益效果：本技術(shù)的芯片可以降低底填料應(yīng)力，解決封裝體翹曲或其他應(yīng)力原因?qū)е碌牡滋盍掀屏鸦騽冸x問題，有效降低芯片制程中可能產(chǎn)生的缺陷風(fēng)險，提升作業(yè)品質(zhì)及產(chǎn)品良率，提升可靠性。

技術(shù)研發(fā)人員：陳慶安
受保護(hù)的技術(shù)使用者：矽品科技（蘇州）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20231207
技術(shù)公布日：2025/1/9