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準(zhǔn)分子燈的制作方法

文檔序號(hào):40629574發(fā)布日期:2025-01-10 18:35閱讀:3來源:國(guó)知局
準(zhǔn)分子燈的制作方法

本發(fā)明涉及一種準(zhǔn)分子燈。


背景技術(shù):

1、在準(zhǔn)分子燈的設(shè)計(jì)中,常有許多考量,如提升光照度、耐熱性、耐腐蝕性、導(dǎo)電性、抗氧化性等能力,而該些能力皆會(huì)直接地影響準(zhǔn)分子燈的品質(zhì),因此如何設(shè)計(jì)準(zhǔn)分子燈,使其具有良好的產(chǎn)品品質(zhì)實(shí)為一種挑戰(zhàn)。


技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明提供一種準(zhǔn)分子燈,其具有良好的產(chǎn)品品質(zhì)。

2、本發(fā)明的一種準(zhǔn)分子燈,包括放電容器、第一電極以及第二電極。放電容器具有相對(duì)的上表面與下表面且包括透光本體以及放電用氣體。透光本體具有密封空間,且上表面與下表面位于密封空間外。放電用氣體位于密封空間。第一電極設(shè)置于上表面。第一電極的材料為對(duì)于相同波長(zhǎng)區(qū)域的光反射率大于金且熔點(diǎn)大于金的金屬。第二電極設(shè)置于下表面。

3、在本發(fā)明的一實(shí)施例中,上述的金屬為鉑。

4、在本發(fā)明的一實(shí)施例中,上述的第一電極上沒有覆蓋保護(hù)膜。

5、在本發(fā)明的一實(shí)施例中,上述的放電容器包括連接上表面與下表面的第一外側(cè)面與第二外側(cè)面,且第一電極完全覆蓋第一外側(cè)面與第二外側(cè)面之間的上表面。

6、在本發(fā)明的一實(shí)施例中,上述的第一電極為格子狀結(jié)構(gòu)。

7、在本發(fā)明的一實(shí)施例中,上述的第一電極覆蓋上表面的第一面積大于第二電極覆蓋下表面的第二面積。

8、在本發(fā)明的一實(shí)施例中,上述的第一面積與第二面積的比例范圍介于5:4至4:1。

9、在本發(fā)明的一實(shí)施例中,上述的第一電極的厚度大于等于2微米且小于等于5微米。

10、在本發(fā)明的一實(shí)施例中,上述的第一電極與第二電極的材料相同。

11、在本發(fā)明的一實(shí)施例中,上述的第二電極的材料為鉑。

12、基于上述,本發(fā)明至少針對(duì)準(zhǔn)分子燈的上電極進(jìn)行設(shè)計(jì),通過金屬材料的選擇(反射率與熔點(diǎn)優(yōu)于金的金屬),以使上電極可以有效地提升準(zhǔn)分子燈的光照度與耐熱性等能力,使其具有良好的產(chǎn)品品質(zhì)。

13、為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂,下文特舉實(shí)施例,并配合附圖作詳細(xì)說明如下。



技術(shù)特征:

1.一種準(zhǔn)分子燈,其特征在于,包括:

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的準(zhǔn)分子燈,其特征在于,所述金屬為鉑。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的準(zhǔn)分子燈,其特征在于,所述第一電極上沒有覆蓋保護(hù)膜。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的準(zhǔn)分子燈,其特征在于,所述放電容器包括連接所述上表面與所述下表面的第一外側(cè)面與第二外側(cè)面,且所述第一電極完全覆蓋所述第一外側(cè)面與所述第二外側(cè)面之間的所述上表面。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的準(zhǔn)分子燈,其特征在于,所述第一電極為格子狀結(jié)構(gòu)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的準(zhǔn)分子燈,其特征在于,所述第一電極覆蓋所述上表面的第一面積大于所述第二電極覆蓋所述下表面的第二面積。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的準(zhǔn)分子燈,其特征在于,所述第一面積與所述第二面積的比例范圍介于5:4至4:1。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的準(zhǔn)分子燈,其特征在于,所述第一電極的厚度大于等于2微米且小于等于5微米。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的準(zhǔn)分子燈,其特征在于,所述第一電極與所述第二電極的材料相同。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的準(zhǔn)分子燈,其特征在于,所述第二電極的材料為鉑。


技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種準(zhǔn)分子燈,包括放電容器、第一電極以及第二電極。放電容器具有相對(duì)的上表面與下表面且包括透光本體以及放電用氣體。透光本體具有密封空間,且上表面與下表面位于密封空間外。放電用氣體位于密封空間。第一電極設(shè)置于上表面。第一電極的材料為對(duì)于相同波長(zhǎng)區(qū)域的光反射率大于金且熔點(diǎn)大于金的金屬。第二電極設(shè)置于下表面。

技術(shù)研發(fā)人員:坂元弘實(shí),孫立峰,黃建斯,謝政娟
受保護(hù)的技術(shù)使用者:崇翌科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2025/1/9
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