本發(fā)明實施例涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種goi測試結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

1、隨著半導(dǎo)體集成電路(integrated?circuit，ic)產(chǎn)業(yè)的快速成長，小型化成為了半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展趨勢，單位面積的晶圓上需要集成的器件越來越多，為了滿足上述需求，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)也隨之發(fā)生了改變。

2、柵氧化層的完整性(gate?oxide?integrity，goi)測試是半導(dǎo)體測試中的一項非常重要的測試項目，它可以用來預(yù)測半導(dǎo)體器件的使用壽命，對于集成電路性能的提高有著至關(guān)重要的作用。

3、但是，隨著半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的變化，使得現(xiàn)有技術(shù)中的goi測試結(jié)構(gòu)的可靠性仍有待提高。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明實施例解決的問題是提供一種goi測試結(jié)構(gòu)，以提高goi測試結(jié)構(gòu)的可靠性。

2、為解決上述問題，本發(fā)明實施提供一種goi測試結(jié)構(gòu)，包括：基底，所述基底包括有源區(qū)；柵極結(jié)構(gòu)，位于所述有源區(qū)的基底上且覆蓋其所在的有源區(qū)的部分區(qū)域，所述柵極結(jié)構(gòu)包括柵介質(zhì)層、以及覆蓋柵介質(zhì)層的柵極，所述柵極結(jié)構(gòu)用于作為第一測試端，在所述柵極結(jié)構(gòu)所在的有源區(qū)中，被所述柵極結(jié)構(gòu)暴露的基底中具有拾取端，且所述拾取端用于作為第二測試端。

3、可選的，所述goi測試結(jié)構(gòu)還包括：插塞，所述插塞包括位于所述柵極結(jié)構(gòu)上的第一插塞、以及位于所述拾取端上的第二插塞，且所述第一插塞和第二插塞的數(shù)量均為多個。

4、可選的，所述goi測試結(jié)構(gòu)還包括：互連層，位于所述插塞的頂部，所述互連層包括與所述第一插塞電連接的第一互連層、以及與所述第二插塞電連接的第二互連層，多個所述第一插塞電連接同一所述第一互連層，多個所述第二插塞電連接同一所述第二互連層。

5、可選的，所述第一互連層和第二互連層位于同層且相互分立。

6、可選的，所述柵極結(jié)構(gòu)包括沿第一方向延伸的第一柵極結(jié)構(gòu)、以及沿第二方向延伸且與所述第一柵極結(jié)構(gòu)相連的第二柵極結(jié)構(gòu)，所述第二柵極結(jié)構(gòu)位于所述第一柵極結(jié)構(gòu)的一側(cè)，所述第一方向和第二方向不同；所述拾取端位于所述第一柵極結(jié)構(gòu)背向所述第二柵極結(jié)構(gòu)的一側(cè)；或者，所述拾取端位于所述第一柵極結(jié)構(gòu)背向所述第二柵極結(jié)構(gòu)的一側(cè)、以及所述第二柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)。

7、可選的，在所述拾取端位于所述第一柵極結(jié)構(gòu)背向所述第二柵極結(jié)構(gòu)的一側(cè)時，所述goi測試結(jié)構(gòu)還包括：源漏摻雜區(qū)，位于所述第二柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的基底中。

8、可選的，所述柵極結(jié)構(gòu)的形狀包括：t形、l形和h形中的一種或多種。

9、可選的，所述拾取端的寬度范圍為0.3微米至1微米。

10、可選的，所述基底包括由下至上依次堆疊的底層半導(dǎo)體層、絕緣材料層和頂層半導(dǎo)體層。

11、可選的，所述goi測試結(jié)構(gòu)還包括：淺槽隔離結(jié)構(gòu)，位于相鄰所述有源區(qū)之間的基底中，所述淺槽隔離結(jié)構(gòu)的底部低于所述絕緣材料層的頂部，或者，與所述絕緣材料層的頂部相齊平。

12、可選的，所述柵極結(jié)構(gòu)所在的有源區(qū)為塊狀結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)也為塊狀結(jié)構(gòu)，且所述有源區(qū)與所述柵極結(jié)構(gòu)一一對應(yīng)；或者，所述柵極結(jié)構(gòu)所在的有源區(qū)為塊狀結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)包括沿第一方向延伸的第一柵極結(jié)構(gòu)、以及沿第二方向延伸且與所述第一柵極結(jié)構(gòu)相連的多個第二柵極結(jié)構(gòu)，所述第一方向和第二方向不同；或者，所述有源區(qū)為條狀結(jié)構(gòu)且數(shù)量為多個，所述柵極結(jié)構(gòu)為塊狀結(jié)構(gòu)，且所述柵極結(jié)構(gòu)橫跨多個所述有源區(qū)。

13、可選的，所述goi測試結(jié)構(gòu)位于晶圓上的切割道區(qū)域。

14、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實施例的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點：

15、本發(fā)明實施例提供的goi測試結(jié)構(gòu)中包括位于所述有源區(qū)(active?area，aa)的基底上且覆蓋其所在的有源區(qū)的部分區(qū)域的柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)包括柵介質(zhì)層、以及覆蓋所述柵介質(zhì)層的柵極，所述柵極結(jié)構(gòu)用于作為第一測試端，在所述柵極結(jié)構(gòu)所在的有源區(qū)中，被所述柵極結(jié)構(gòu)暴露的基底中具有拾取端，且所述拾取端用于作為第二測試端。因為柵極結(jié)構(gòu)僅覆蓋一部分有源區(qū)的基底，即柵極結(jié)構(gòu)露出除其覆蓋的有源區(qū)之外的剩余基底，因此能夠在所述柵極結(jié)構(gòu)的頂部、以及所述柵極結(jié)構(gòu)露出的有源區(qū)的基底上加載對應(yīng)的測試信號，對柵介質(zhì)層的完整性進行測試。由于所述柵極結(jié)構(gòu)和所述拾取端位于同一有源區(qū)，使得測試電流能夠在同一有源區(qū)的基底中流動，而不受淺槽隔離結(jié)構(gòu)的影響，從而提高了測試結(jié)果的可靠性。

技術(shù)特征：

1.一種goi測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的goi測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述goi測試結(jié)構(gòu)還包括：插塞，所述插塞包括位于所述柵極結(jié)構(gòu)上的第一插塞、以及位于所述拾取端上的第二插塞，且所述第一插塞和第二插塞的數(shù)量均為多個。

3.如權(quán)利要求2所述的goi測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述goi測試結(jié)構(gòu)還包括：互連層，位于所述插塞的頂部，所述互連層包括與所述第一插塞電連接的第一互連層、以及與所述第二插塞電連接的第二互連層，多個所述第一插塞電連接同一所述第一互連層，多個所述第二插塞電連接同一所述第二互連層。

4.如權(quán)利要求3所述的goi測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一互連層和第二互連層位于同層且相互分立。

5.如權(quán)利要求1所述的goi測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述柵極結(jié)構(gòu)包括沿第一方向延伸的第一柵極結(jié)構(gòu)、以及沿第二方向延伸且與所述第一柵極結(jié)構(gòu)相連的第二柵極結(jié)構(gòu)，所述第二柵極結(jié)構(gòu)位于所述第一柵極結(jié)構(gòu)的一側(cè)，所述第一方向和第二方向不同；

6.如權(quán)利要求5所述的goi測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，在所述拾取端位于所述第一柵極結(jié)構(gòu)背向所述第二柵極結(jié)構(gòu)的一側(cè)時，所述goi測試結(jié)構(gòu)還包括：源漏摻雜區(qū)，位于所述第二柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的基底中。

7.如權(quán)利要求5所述的goi測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述柵極結(jié)構(gòu)的形狀包括：

8.如權(quán)利要求1～7中任一項所述的goi測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述拾取端的寬度范圍為0.3微米至1微米。

9.如權(quán)利要求1所述的goi測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基底包括由下至上依次堆疊的底層半導(dǎo)體層、絕緣材料層和頂層半導(dǎo)體層。

10.如權(quán)利要求9所述的goi測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述goi測試結(jié)構(gòu)還包括：淺槽隔離結(jié)構(gòu)，位于相鄰所述有源區(qū)之間的基底中，所述淺槽隔離結(jié)構(gòu)的底部低于所述絕緣材料層的頂部，或者，與所述絕緣材料層的頂部相齊平。

11.如權(quán)利要求1所述的goi測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述柵極結(jié)構(gòu)所在的有源區(qū)為塊狀結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)也為塊狀結(jié)構(gòu)，且所述有源區(qū)與所述柵極結(jié)構(gòu)一一對應(yīng)；

12.如權(quán)利要求1所述的goi測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述goi測試結(jié)構(gòu)位于晶圓上的切割道區(qū)域。

技術(shù)總結(jié)
一種GOI測試結(jié)構(gòu)，包括：基底，基底包括有源區(qū)；柵極結(jié)構(gòu)，位于有源區(qū)的基底上且覆蓋其所在的有源區(qū)的部分區(qū)域，柵極結(jié)構(gòu)包括柵介質(zhì)層、以及覆蓋柵介質(zhì)層的柵極，柵極結(jié)構(gòu)用于作為第一測試端，在柵極結(jié)構(gòu)所在的有源區(qū)中，被柵極結(jié)構(gòu)暴露的基底中具有拾取端，且拾取端用于作為第二測試端。本發(fā)明的柵極結(jié)構(gòu)僅覆蓋一部分有源區(qū)的基底，即柵極結(jié)構(gòu)露出除其覆蓋的有源區(qū)之外的剩余基底，因此能夠在柵極結(jié)構(gòu)的頂部、以及柵極結(jié)構(gòu)露出的有源區(qū)的基底上加載對應(yīng)的測試信號，對柵介質(zhì)層的完整性進行測試。由于柵極結(jié)構(gòu)和拾取端位于同一有源區(qū)，使得測試電流能夠在同一有源區(qū)的基底中流動，而不受淺槽隔離結(jié)構(gòu)的影響，從而提高了測試結(jié)果的可靠性。

技術(shù)研發(fā)人員：牛剛,趙曉東,于濤
受保護的技術(shù)使用者：中芯國際集成電路制造（天津）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2