本發(fā)明涉及顯示,尤其涉及一種顯示裝置。
背景技術(shù):
1、發(fā)光二極管(light?emitting?diode,簡(jiǎn)稱led)顯示技術(shù)是指采用led直接作為發(fā)光單元的顯示技術(shù)。隨著對(duì)顯示裝置的分辨率和顯示效果要求越來越高,led顯示裝置中通常采用mini?led(mini?light?emitting?diode,簡(jiǎn)稱mini?led)芯片或micro?led(microlight?emitting?diode,簡(jiǎn)稱micro?led)芯片作為發(fā)光單元。
2、目前對(duì)mini?led芯片或micro?led芯片封裝的主流方式為mip(micro/mini?ledin?package)封裝。目前量產(chǎn)的mip封裝結(jié)構(gòu)中mini?led芯片或micro?led芯片平行排布,平行排布的發(fā)光芯片采用倒裝芯片,受限于當(dāng)前的技術(shù),電路板上用于焊接倒裝芯片的兩個(gè)焊盤的間距縮小受到限制,導(dǎo)致倒裝芯片尺寸及封裝結(jié)構(gòu)尺寸無法進(jìn)一步縮??;隨著倒裝芯片的兩個(gè)電極之間的間距不斷減小,還存在金屬遷移等可靠性風(fēng)險(xiǎn);另外,為了配合多個(gè)倒裝芯片的電路,封裝單元需要進(jìn)行走線和打孔的操作,整個(gè)封裝單元的熱阻會(huì)升高。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本發(fā)明實(shí)施例的第一方面,提供一種顯示裝置,包括:
2、驅(qū)動(dòng)背板,用于提供驅(qū)動(dòng)信號(hào);及
3、多個(gè)顯示單元,位于所述驅(qū)動(dòng)背板之上,所述多個(gè)顯示單元分別與所述驅(qū)動(dòng)背板電性連接;
4、其中,所述顯示單元包括:
5、載板;所述載板包括多個(gè)焊盤;
6、至少兩個(gè)發(fā)光芯片,各所述發(fā)光芯片的出射光顏色不同;一個(gè)所述發(fā)光芯片位于一個(gè)所述焊盤上且與所述焊盤電性連接;及
7、公共電極,位于一個(gè)所述焊盤上且與所述焊盤電性連接;各所述發(fā)光芯片背離所述載板的一側(cè)均連接至所述公共電極。
8、本發(fā)明一些實(shí)施例中,所述發(fā)光芯片包括:
9、襯底;
10、第一電極,位于所述襯底和所述載板之間;所述第一電極與所述載板上對(duì)應(yīng)的所述焊盤電性連接;
11、鍵合層,位于所述襯底背離所述第一電極的一側(cè);
12、第一半導(dǎo)體層,位于所述鍵合層背離所述襯底的一側(cè);
13、發(fā)光層,位于所述第一半導(dǎo)體層背離所述鍵合層的一側(cè);
14、第二半導(dǎo)體層,位于所述發(fā)光層背離所述第一半導(dǎo)體層的一側(cè);及
15、第二電極,位于所述第二半導(dǎo)體層背離所述發(fā)光層的一側(cè);所述第二電極與所述公共電極電性連接。
16、本發(fā)明一些實(shí)施例中,所述發(fā)光芯片中的所述第一半導(dǎo)體層、所述發(fā)光層、所述第二半導(dǎo)體層在所述襯底的正投影位于所述鍵合層在所述襯底的正投影之內(nèi),所述第二電極在所述襯底的正投影位于所述第二半導(dǎo)體層在所述襯底的正投影之內(nèi);所述鍵合層、所述第一半導(dǎo)體層、所述發(fā)光層、所述第二半導(dǎo)體層和所述第二電極的邊緣呈階梯狀;
17、所述發(fā)光芯片還包括:
18、絕緣層,覆蓋呈階梯狀的所述鍵合層、所述第一半導(dǎo)體層、所述發(fā)光層和所述第二半導(dǎo)體層的邊緣且暴露所述第二電極;所述第二電極背離所述襯底一側(cè)的表面高于所述絕緣層背離所述襯底一側(cè)的表面。
19、本發(fā)明一些實(shí)施例中,所述鍵合層采用金屬材料,所述襯底采用硅。
20、本發(fā)明一些實(shí)施例中,所述顯示單元還包括:
21、封裝層,填充于各所述發(fā)光芯片和所述公共電極之間;所述封裝層暴露出各所述發(fā)光芯片的第二電極和部分所述公共電極;
22、導(dǎo)電層,覆蓋所述封裝層暴露出的各所述第二電極和所述公共電極;及
23、保護(hù)層,位于所述導(dǎo)電層背離所述封裝層的一側(cè)。
24、本發(fā)明一些實(shí)施例中,所述封裝層包括第一封裝層和第二封裝層;所述第一封裝層位于所述第二封裝層與所述載板之間;
25、所述第一封裝層中摻雜有深色材料;所述第二封裝層中摻雜有光擴(kuò)散材料。
26、本發(fā)明一些實(shí)施例中,所述第一封裝層背離所述載板一側(cè)的表面與所述襯底背離所述載板一側(cè)的表面齊平。
27、本發(fā)明一些實(shí)施例中,所述載板包括多個(gè)與所述多個(gè)焊盤一一對(duì)應(yīng)的通孔;
28、所述焊盤包括第一焊盤和第二焊盤,所述第一焊盤位于所述載板面向所述驅(qū)動(dòng)背板的一側(cè),所述第二焊盤位于所述載板背離所述驅(qū)動(dòng)背板的一側(cè),所述第一焊盤和所述第二焊盤通過對(duì)應(yīng)的所述通孔電性連接。
29、本發(fā)明實(shí)施例的第二方面,提供一種顯示裝置的制作方法,包括:
30、在載板上形成多個(gè)焊盤;
31、在所述載板的多個(gè)焊盤上形成多個(gè)公共電極;
32、將多個(gè)發(fā)光芯片轉(zhuǎn)移至所述載板的焊盤上與對(duì)應(yīng)的焊盤電性連接;
33、對(duì)各所述發(fā)光芯片進(jìn)行封裝,使封裝層暴露出各所述發(fā)光芯片的第二電極和各所述公共電極的部分區(qū)域;
34、在所述封裝層上形成導(dǎo)電層;
35、在所述導(dǎo)電層上形成保護(hù)層,形成顯示單元結(jié)構(gòu)板;
36、對(duì)所述顯示單元結(jié)構(gòu)板進(jìn)行切割形成多個(gè)顯示單元;
37、將各所述顯示單元轉(zhuǎn)移至驅(qū)動(dòng)背板上與所述驅(qū)動(dòng)背板電性連接。
38、本發(fā)明一些實(shí)施例中,所述對(duì)各所述發(fā)光芯片進(jìn)行封裝,包括:
39、在所述載板上的各所述發(fā)光芯片和各所述公共電極之間形成第一封裝層;所述第一封裝層中摻雜有深色材料,所述第一封裝層背離所述載板一側(cè)的表面與所述發(fā)光芯片的襯底背離所述載板一側(cè)的表面齊平;
40、在所述第一封裝層上形成第二封裝層;所述第二封裝層中摻雜有光擴(kuò)散材料,所述第二封裝層暴露出各所述發(fā)光芯片的第二電極和各所述公共電極的部分區(qū)域。
41、本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示裝置及其制作方法中,顯示裝置包括驅(qū)動(dòng)背板和位于驅(qū)動(dòng)背板上的多個(gè)顯示單元,顯示單元包括:載板;載板包括多個(gè)焊盤;至少兩個(gè)發(fā)光芯片,各發(fā)光芯片的出射光顏色不同;一個(gè)發(fā)光芯片位于一個(gè)焊盤上且與焊盤電性連接;公共電極,位于一個(gè)焊盤上且與焊盤電性連接;各發(fā)光芯片背離載板的一側(cè)均連接至公共電極。顯示單元中的發(fā)光芯片采用垂直結(jié)構(gòu),發(fā)光面積占比更高,同等亮度要求下可以使用更小的芯片,芯片成本降低。發(fā)光芯片底部只有一個(gè)電極且大小與發(fā)光芯片相同,因此減少了因電極間距過小所帶來的短路、金屬遷移等一系列風(fēng)險(xiǎn)。采用垂直結(jié)構(gòu)的發(fā)光芯片的導(dǎo)熱面積更大,熱阻更低。
1.一種顯示裝置,其特征在于,包括:
2.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,所述發(fā)光芯片包括:
3.如權(quán)利要求2所述的顯示裝置,其特征在于,所述發(fā)光芯片中的所述第一半導(dǎo)體層、所述發(fā)光層、所述第二半導(dǎo)體層在所述襯底的正投影位于所述鍵合層在所述襯底的正投影之內(nèi),所述第二電極在所述襯底的正投影位于所述第二半導(dǎo)體層在所述襯底的正投影之內(nèi);所述鍵合層、所述第一半導(dǎo)體層、所述發(fā)光層、所述第二半導(dǎo)體層和所述第二電極的邊緣呈階梯狀;
4.如權(quán)利要求2所述的顯示裝置,其特征在于,所述鍵合層采用金屬材料,所述襯底采用硅。
5.如權(quán)利要求2所述的顯示裝置,其特征在于,所述顯示單元還包括:
6.如權(quán)利要求5所述的顯示裝置,其特征在于,所述封裝層包括第一封裝層和第二封裝層;所述第一封裝層位于所述第二封裝層與所述載板之間;
7.如權(quán)利要求6所述的顯示裝置,其特征在于,所述第一封裝層背離所述載板一側(cè)的表面與所述襯底背離所述載板一側(cè)的表面齊平。
8.如權(quán)利要求1~7任一項(xiàng)所述的顯示裝置,其特征在于,所述載板包括多個(gè)與所述多個(gè)焊盤一一對(duì)應(yīng)的通孔;
9.一種顯示裝置的制作方法,其特征在于,包括:
10.如權(quán)利要求9所述的制作方法,其特征在于,所述對(duì)各所述發(fā)光芯片進(jìn)行封裝,包括: